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Study on the diamond/ultrafine WC-Co cermets interface formed in a SPS consolidated composite 被引量:1
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作者 SHI Xiaoliang SHAO Gangqin DUAN Xinglong YUAN Runzhang 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第2期150-155,共6页
Nanocrystalline WC-Co composite powder and coated tungsten diamond by using vacuum vapor deposition were consolidated by the spark plasma sintering (SPS) process to prepare diamond-enhanced WC-Co cemented carbide co... Nanocrystalline WC-Co composite powder and coated tungsten diamond by using vacuum vapor deposition were consolidated by the spark plasma sintering (SPS) process to prepare diamond-enhanced WC-Co cemented carbide composite materials. The interface microstructures between coated tungsten diamond and WC-Co cemented carbide matrix were investigated by scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDXS). The results showed that there is a transitional layer between the diamond and the matrix, in which the carbon content is 62.97wt.%, and the content of cobalt in the transitional zone is 6.19wt.%; the content of cobalt in the WC-Co cemented carbide matrix is 6.07wt.%, in which the carbon content is 15.95wt.%, and the content of cobalt on the surface of diamond is 7.30wt.%, in which the carbon content is 80.38wt.%. The transitional zone prevents the carbon atom of the diamond from spreading to the matrix, in which the carbon content does coincide with the theoretical value of the raw nanocomposite powders, and the carbon content forms a graded distribution among the matrix, transitional zone, and the surface of diamond; after the 1280℃ SPS consolidated process the diamond still maintains a very good crystal shape, the coated tungsten on the surface of the diamond improves thermal stability of the diamond and increases the bonding strength of the interface between the diamond and the matrix. 展开更多
关键词 DIAMOND nanocrystalline wc-co composite powders interface spark plasma sintering
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基于第一性原理的WC-Co(0001)/cBN(111)界面结合性能研究
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作者 杨俊茹 汤美红 +1 位作者 李淑磊 徐学政 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第3期485-493,共9页
基于第一性原理方法,建立WC-Co/cBN4B、WC-Co/cBN4N、WC-Co/cBN1B-near OA、WC-Co/cBN1N-near OA、WC-Co/cBN1N-near OB和WC-Co/cBN1B-near OB六种界面模型,计算其界面粘附功、断裂韧性。结果表明:WC-Co/cBN4B界面具有最大粘附功值9.705... 基于第一性原理方法,建立WC-Co/cBN4B、WC-Co/cBN4N、WC-Co/cBN1B-near OA、WC-Co/cBN1N-near OA、WC-Co/cBN1N-near OB和WC-Co/cBN1B-near OB六种界面模型,计算其界面粘附功、断裂韧性。结果表明:WC-Co/cBN4B界面具有最大粘附功值9.705 J·m^-2,界面最稳定,粘附功大于WC(0001)w界面的断裂韧性7.824 J·m^-2,裂纹倾向于出现在基体中;WC-Co/cBN4N界面有最小粘附功4.470 J·m^-2,界面最不稳定,粘附功小于WC(0001)w界面的断裂韧性,裂纹倾向于出现在界面处。在此基础上,为从电荷转移、成键方式和价电子分布的深层次角度解释界面稳定性,进行了差分电荷密度、态密度和Mulliken布居分析,结果表明:WC-Co/cBN4B模型中,界面处Co、B原子之间存在电荷转移,由Co-d、B-p轨道杂化成强Co-B共价键;WC-Co/cBN4N模型中,界面处Co、N原子之间亦存在电荷转移,由Co-d、N-p轨道杂化成弱Co-N共价键。两种模型的界面处,Co-B共价键的布居数更大且键长更小、键能更大,Co-B共价键的作用强于Co-N共价键作用,因此,WC-Co/cBN4B界面结合性能更好,界面更稳定。 展开更多
关键词 wc-co/cbn界面 粘附功 差分电荷密度 态密度 Mulliken布居
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镀Ti立方氮化硼(cBN)与玻化SiO_2-Na_2O-B_2O_3结合剂的作用 被引量:14
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作者 王艳辉 王明智 +1 位作者 温熙宇 臧建兵 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期351-355,共5页
为了防止玻化SiO2-Na2O-B2O3结合剂烧结时对立方氨化硼(cBN)的侵蚀,并实现cBN晶体与结合剂间的化学键结合,本文用DTA、XRD、SEM、EPMA等研究了Ti镀层与CBN界面在600~1200℃温度范围... 为了防止玻化SiO2-Na2O-B2O3结合剂烧结时对立方氨化硼(cBN)的侵蚀,并实现cBN晶体与结合剂间的化学键结合,本文用DTA、XRD、SEM、EPMA等研究了Ti镀层与CBN界面在600~1200℃温度范围的界面反应过程及界面成分结构特征,讨论了镀TicBN与结合剂复合体在烧结过程中的成分结构及性能.结果表明:Ti镀层与cBN晶体在600℃以上,以反应扩散的形式发生界面反应形成TiN,800℃以上形成TiB2及TiB,这些在cBN表面外延生长的难熔化合物使Ti镀层与cBN牢固结合并阻止了结合剂中的碱性组分对cBN的侵蚀,镀TicBN晶体与结合剂则由低价的氧化钛为中介实现良好结合. 展开更多
关键词 立方氮化硼 硼硅玻璃 钛镀层 玻化陶瓷 结合剂
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Mo涂层的立方氮化硼(cBN)与玻化陶瓷复合烧结体的研究 被引量:7
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作者 张明 藏建兵 +2 位作者 王明智 王艳辉 张红霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第1期23-28,共6页
本文用DTA、XRD、SEM、EPMA等研究了Mo镀层与立方氮化硼(CBN)晶体在600~1000℃温度范围的界面反应过程,以及界面成分、结构特征;讨论了Mo镀层在烧结时与SiO2-Na2O-B2O3玻化结合剂的作用... 本文用DTA、XRD、SEM、EPMA等研究了Mo镀层与立方氮化硼(CBN)晶体在600~1000℃温度范围的界面反应过程,以及界面成分、结构特征;讨论了Mo镀层在烧结时与SiO2-Na2O-B2O3玻化结合剂的作用。结果表明,Mo镀层与cBN晶体在700℃以上形成MO2N,在800℃以上形成Mo2B5和MoB。这些在cBN晶体表面外延生长的难熔化合物,使Mo镀层与cBN牢固结合,并阻止了结合剂中碱性组分对cBN的侵蚀,实现了cBN与结合剂间的强力化学键合。 展开更多
关键词 立方氮化硼 镀层 硼硅玻璃 烧结 复合材料
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Cr镀层对立方氮化硼(cBN)-玻化陶瓷复合材料界面成分、结构的作用 被引量:4
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作者 王艳辉 王明智 臧建兵 《复合材料学报》 CSCD 北大核心 1996年第1期50-54,共5页
本文用DTA、XRD、SEM、EPMA等研究了Cr镀层与cBN晶体在600~1000℃范围的界面反应过程,以及界面成分结构特征,讨论了Cr镀层在烧结时与SiO_2-Na_2O-B_2O_3玻化结合剂的的作用。结果表明,C... 本文用DTA、XRD、SEM、EPMA等研究了Cr镀层与cBN晶体在600~1000℃范围的界面反应过程,以及界面成分结构特征,讨论了Cr镀层在烧结时与SiO_2-Na_2O-B_2O_3玻化结合剂的的作用。结果表明,Cr镀层与cBN晶体在600℃以上发生界面反应形成CrN,800℃以上开始形成CrB_2,这些在cBN晶体上外延生长的难熔化合物使Cr镀层与cBN牢固结合并阻止了结合剂中碱性组分对cBN的侵蚀,实现了cBN与玻化结合剂间的化学键结合。 展开更多
关键词 铬镀层 立方氮化硼 玻化陶瓷 复合材料 成分
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Ni–Cr钎料钎焊镀钛CBN界面微观结构分析 被引量:1
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作者 王君临 肖冰 +3 位作者 王树义 苏仕超 浦一子 高睿 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2020年第6期31-35,共5页
采用Ni–Cr钎料真空钎焊镀钛CBN磨粒和45号钢。用扫描电子显微镜、能谱仪、X射线衍射仪综合分析镀钛CBN磨粒的焊后形貌,磨粒与Ni–Cr钎料连接界面的微观结构和钎焊后磨粒表面的生成物。发现:钎焊过程中Ni–Cr钎料沿钛镀层爬升,对磨粒浸... 采用Ni–Cr钎料真空钎焊镀钛CBN磨粒和45号钢。用扫描电子显微镜、能谱仪、X射线衍射仪综合分析镀钛CBN磨粒的焊后形貌,磨粒与Ni–Cr钎料连接界面的微观结构和钎焊后磨粒表面的生成物。发现:钎焊过程中Ni–Cr钎料沿钛镀层爬升,对磨粒浸润性良好。焊后CBN磨粒出露部分的钛镀层在Ni原子的扩散下转变为Ni–Ti金属层。而在钎料包埋处,磨粒的钛镀层在钎焊过程中与CBN、Ni–Cr钎料相互扩散反应,生成了一层以NiTi和Ni0.3Ti0.7N为主的中间层,实现镀钛CBN磨粒和Ni–Cr钎料的冶金结合。 展开更多
关键词 钎焊 Ni–Cr钎料 镀钛cbn 界面微观结构
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立方氮化硼表面镀Ti及其与金属粘结剂的作用 被引量:11
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作者 王明智 臧建兵 王艳辉 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期104-106,132,共4页
通过磁控溅射及其后处理等方法在立方氮化硼(简写cBN)表面形成均匀的Ti镀层。用DTA、XRD、SEM及EPMA等方法研究了镀层与cBN间的界面反应及产物、镀层与CuCo基金属粘结剂之间的作用,并用经不同方法处理的... 通过磁控溅射及其后处理等方法在立方氮化硼(简写cBN)表面形成均匀的Ti镀层。用DTA、XRD、SEM及EPMA等方法研究了镀层与cBN间的界面反应及产物、镀层与CuCo基金属粘结剂之间的作用,并用经不同方法处理的cBN试样有不同的抗弯强度说明了这种作用。结果发现,cBN表面Ti镀层只有在与其形成Ti、B、N的化合物后,才能达到cBN与粘结剂的冶金结合。 展开更多
关键词 镀层 界面 粘结剂 立方氮化硼 镀钛 cbn
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铜锡钛合金钎焊金刚石及立方氮化硼磨粒界面特征分析 被引量:7
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作者 刘思幸 肖冰 +3 位作者 张子煜 段端志 徐风雷 王波 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1161-1165,共5页
采用一种铜基合金(Cu-Sn-Ti)作为活性钎料,在高真空炉中钎焊连接金刚石、立方氮化硼与45#钢基体,将其牢固钎焊在基体表面。通过扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射仪进一步研究活性元素Ti在Cu基合金与金刚石及立方氮化硼结合界面的... 采用一种铜基合金(Cu-Sn-Ti)作为活性钎料,在高真空炉中钎焊连接金刚石、立方氮化硼与45#钢基体,将其牢固钎焊在基体表面。通过扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射仪进一步研究活性元素Ti在Cu基合金与金刚石及立方氮化硼结合界面的扩散现象。结果表明:活性元素Ti向金刚石、立方氮化硼表面发生偏聚,生成Ti C、Ti N、Ti B和Ti B2;活性元素Ti在向金刚石和立方氮化硼磨粒的扩散存在一定的差异性;铜基合金和钢基体的结合界面发生元素扩散生成铁钛金属间化合物。 展开更多
关键词 真空钎焊 铜锡钛合金 金刚石 立方氮化硼 界面特征
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立方氮化硼单晶生长界面层的精细结构 被引量:2
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作者 许斌 张文 +2 位作者 郭晓斐 吕美哲 苏海通 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期879-884,共6页
以Li3N为触媒、六方氮化硼(hBN)为原料,采用静态高温高压法合成立方氮化硼(cBN)单晶。为探讨cBN合成机理,利用扫描电镜观察了cBN单晶生长界面层形貌,利用俄歇电子能谱和X射线光电子能谱对界面层精细结构进行了表征。结果表明,cBN单晶被... 以Li3N为触媒、六方氮化硼(hBN)为原料,采用静态高温高压法合成立方氮化硼(cBN)单晶。为探讨cBN合成机理,利用扫描电镜观察了cBN单晶生长界面层形貌,利用俄歇电子能谱和X射线光电子能谱对界面层精细结构进行了表征。结果表明,cBN单晶被合成后的触媒粉末所包裹,界面层中B、N元素相对比例基本保持不变,且随着距离cBN单晶越来越近,B、N元素的sp2杂化态逐渐减少,sp3杂化态逐渐增多,这说明hBN含量逐渐减少,而cBN含量逐渐增多。由于Li元素非常活泼,在高温高压体系中的电子结构极不稳定,故可以作为电子转移的桥梁,完成电子由N向B的转移。据此认为在cBN单晶生长界面层中,B、N元素的sp2杂化态逐渐转变成了sp3杂化态。以上结果说明hBN在触媒催化作用下可直接转变为cBN。 展开更多
关键词 高温高压 cbn 生长界面层 精细结构
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