期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
多层金属化中的钨插塞技术 被引量:3
1
作者 李红征 谢一强 《微电子技术》 2003年第1期13-15,共3页
本文介绍了亚微米ULSI工艺中 ,采用钨插塞 (TungstenPlug)制作接触孔与通孔的技术 ,对于WCVD、WEtchback及其常见工艺问题作了一些分析 ,此项技术已经用于C 0 5电路的工艺流片。
关键词 多层金属化 钨插塞 台阶覆盖 覆盖式钨淀积 wcvd 粘着层 钨反腐 CMOS集成电路
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部