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多层金属化中的钨插塞技术
被引量:
3
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作者
李红征
谢一强
《微电子技术》
2003年第1期13-15,共3页
本文介绍了亚微米ULSI工艺中 ,采用钨插塞 (TungstenPlug)制作接触孔与通孔的技术 ,对于WCVD、WEtchback及其常见工艺问题作了一些分析 ,此项技术已经用于C 0 5电路的工艺流片。
关键词
多层金属化
钨插塞
台阶覆盖
覆盖式钨淀积
wcvd
粘着层
钨反腐
CMOS集成电路
下载PDF
职称材料
题名
多层金属化中的钨插塞技术
被引量:
3
1
作者
李红征
谢一强
机构
信息产业部电子
出处
《微电子技术》
2003年第1期13-15,共3页
文摘
本文介绍了亚微米ULSI工艺中 ,采用钨插塞 (TungstenPlug)制作接触孔与通孔的技术 ,对于WCVD、WEtchback及其常见工艺问题作了一些分析 ,此项技术已经用于C 0 5电路的工艺流片。
关键词
多层金属化
钨插塞
台阶覆盖
覆盖式钨淀积
wcvd
粘着层
钨反腐
CMOS集成电路
Keywords
Tungsten plug
Step coverage
Blanket
wcvd
W Etch-back
Glue layer
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
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多层金属化中的钨插塞技术
李红征
谢一强
《微电子技术》
2003
3
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