WN/W难熔栅自对准增强型n沟道HFET

发展了WN/W难熔栅自对准工艺。WN/W栅在850oC下退火，保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管。在1×50μm的HFET中，实现了最大跨导约为56mS/mm，阈值电压为3.5V。与p型HFET的－3V的阈值基本对称。反向击穿电压为4～5V。

低阻W/WN难熔栅技术研究

探索了新型难熔栅 W/WN工艺制备技术 ,通过 SEM,XRD,SIMS,XPS等手段对WN,WN/Ga As特性作了分析。结果表明 ,溅射气压和 N分压对 W,WN薄膜特性有着显著影响 ,通过工艺条件的优化 ,制备的 W/WN膜厚为 36 0 nm,方块分压为 0 .5 1Ω。利用Si O2 作为退火包封层 ,780℃ 10 s快速退火后 ,W/WN能够保持好的稳定性 ,在此基础上制备了肖特基二极管和自对准的 Ga As MESF ET。

W及W-Mo团簇吸附H_2分子的密度泛函研究

采用密度泛函广义梯度近似(GGA)的PW91方法,用全电子基组DNP对Wn(n=2–5)及W-Mo团簇几何结构进行优化,计算团簇电子结构参数,考察H2分子在W团簇上的吸附行为,并计算W4、W2Mo2团簇吸附H2分子的Mulliken电荷布居。结果表明:Wn(n=2–5)团簇为共价性成键特点,吸附H2分子的吸附能在0.02068 eV–1.9552 eV之间;Fukui指数分析发现合适的W、Mo比例,可降低团簇活性;Mulliken电荷布居说明H2分子在W-Mo团簇上的吸附不稳定。

BCI-代数的W_n-根

本文引入了BCI-代数的Wn-理想 ,并证明了Wn 具有根性 。

氮等离子体处理的抑制用于改善钨填充（英文）

在体钨生长过程中使用原位氮等离子体处理成功实现了无孔洞钨填充。通过氮等离子体处理,钨转化成了氮化钨,其作为抑制剂引起结构顶部钨薄膜的生长延迟。因此,消除了结构顶部薄膜封口,并且实现了无孔洞的钨薄膜生长。使用扫描电子显微镜(SEM)表征钨薄膜的填充能力。结果表明:开口有弓状形貌的结构,使用传统化学气相沉积(CVD)方式生长钨薄膜非常容易导致孔洞;而利用氮等离子体处理能够获得没有孔洞的钨填充。引入扫描透射电子显微镜(STEM)解释氮等离子体处理的机理,同时对体钨生长延迟时间与氮等离子体处理的时间、氮气体积流量、乙硼烷通气时间、体钨生长温度的关系进行了研究。