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由WNi金属薄膜形成光弹波导结构的研究
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作者 邢启江 徐万劲 《量子电子学报》 CAS CSCD 2000年第5期441-442,共2页
关键词 wni 光弹 波导结构 金属薄膜
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烧结和热处理对WNiFe合金板材轧制性能的影响 被引量:2
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作者 武杰 孙毅 王晖 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2016年第20期239-241,共3页
对93WNiFe板坯的烧结和热处理工艺进行了研究,主要讨论了烧结温度和热处理工艺对板坯轧制性能的影响。结果表明:真空预结有利于减少残余气孔,提高板坯密度和强度,有利于加工;对用于轧制的93WNiFe板坯的烧结,减少残余气孔、采用较高的烧... 对93WNiFe板坯的烧结和热处理工艺进行了研究,主要讨论了烧结温度和热处理工艺对板坯轧制性能的影响。结果表明:真空预结有利于减少残余气孔,提高板坯密度和强度,有利于加工;对用于轧制的93WNiFe板坯的烧结,减少残余气孔、采用较高的烧结温度、采用较慢速度冷却,能获得较好的板坯轧制性能;烧结坯料的热处理有利于提高轧制性能。在材料到达产生裂纹的加工率前,及时地对材料进行热处理,使粘接相充分扩散而使裂纹弥合。 展开更多
关键词 烧结 热处理 wni FE 合金 轧制性能
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光弹效应在光电子器件中的应用 被引量:1
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作者 邢启江 徐万劲 +3 位作者 高文胜 袁志军 孙锴 王爱民 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期1-6,共6页
在直流负偏压120V作用下利用射频溅射和光刻剥离技术在InGaAsP/InP双异质结结构外延片表面淀积110nm厚、宽为2μm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条. 实验测得W0.95Ni0.05金属薄膜应变条边缘单位长度产生9.7×105dyn/cm压应变力.在这样... 在直流负偏压120V作用下利用射频溅射和光刻剥离技术在InGaAsP/InP双异质结结构外延片表面淀积110nm厚、宽为2μm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条. 实验测得W0.95Ni0.05金属薄膜应变条边缘单位长度产生9.7×105dyn/cm压应变力.在这样压应变力作用下,W0.95Ni0.05金属薄膜应变条下InGaAsP/InP 双异质结结构内0.2~2μm深度范围内形成的条形波导的导波强度为1.5×10-3至1.7 ×10-1.与由W和SiO2应变薄膜所形成的光弹波导及其光弹光电子器件相比较,由W 0.95Ni0.05金属薄膜应变条形成的光弹效应波导结构在平面型光电子器件中有着更重要的实际应用. 展开更多
关键词 wni/半导体接触 光弹效应 光弹波导结构 平面型光弹光电子器件.
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在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用
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作者 邢启江 徐万劲 武作兵 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期846-852,共7页
从理论上计算了厚度为 110 nm的 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条在 In Ga As P/ In P双异质结构中形成的应力场分布 ,及由应力场分布引起的折射率变化 .在 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条下半导体中 0 .2— 2μm深度范围内 ,由应变引... 从理论上计算了厚度为 110 nm的 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条在 In Ga As P/ In P双异质结构中形成的应力场分布 ,及由应力场分布引起的折射率变化 .在 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条下半导体中 0 .2— 2μm深度范围内 ,由应变引起条形波导轴中央的介电常数 ε相应增加 2 .3× 10 - 1— 2 .2× 10 - 2 (2 μm应变条宽 )和 1.2× 10 - 1— 4.1× 10 - 2(4μm应变条宽 ) .同时 ,测量了由 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条所形成的 In Ga As P/ In P双异质结光弹效应波导结构导波的近场光模分布 .从理论计算和实验结果两方面证实了 In Ga As P/ In 展开更多
关键词 侧向光 光弹效应 InGaAsP/InP双异质结构 半导体材料
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由W_(0.95)Ni_(0.05)金属薄膜形成光弹波导结构的热稳定性
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作者 邢启江 徐万劲 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期21-25,37,共6页
InGaAsP/InP双异质结构外延片在直流负偏压 12 0V作用下 ,利用射频溅射和光刻剥离技术在样品表面淀积厚为 110nm的W0 .95Ni0 .0 5金属薄膜应变条 ,并在该应变条下的半导体内形成了对InGaAsP/InP双异质结构侧向光具有良好限制作用的光弹... InGaAsP/InP双异质结构外延片在直流负偏压 12 0V作用下 ,利用射频溅射和光刻剥离技术在样品表面淀积厚为 110nm的W0 .95Ni0 .0 5金属薄膜应变条 ,并在该应变条下的半导体内形成了对InGaAsP/InP双异质结构侧向光具有良好限制作用的光弹波导结构。W0 .95Ni0 .0 5金属薄膜及由其形成的光弹波导器件在氢氮混合气体的保护下 ,分别在 2 50℃、350℃、4 50℃和 60 0℃温度下各退火 30min以后 ,W0 .95Ni0 .0 5金属薄膜中压应变减少了十分之一。光弹波导器件输出椭圆形近场光模长、短轴之比由原来的 2 .0增加到 2 .2 (对 2 μm条宽 )和 2 .5增加到 2 .9(对 4 μm条宽 )。实验结果证明 ,这种波导结构具有很高的热稳定性。 展开更多
关键词 光弹效应 热稳定性 金属薄膜 波导结构
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微波治疗鼻出血200例报告
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作者 王晓莉 《中国社区医学》 2001年第3期52-52,共1页
关键词 微波疗法 鼻出血 wni微波治疗仪
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定期租船合同中气导船舶的性能计算和分析
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作者 吴国生 《中国水运(下半月)》 2018年第7期24-25,共2页
定期租船合同的格式以及定期租船过程中气象导航公司的作用,分析海事仲裁中认可的气象导航对船舶性能计算的方法,并对国际上两家主要气导公司计算方法进行比较,关于实际业务操作中注意事项,希望对使用气象导航的各方有些许帮助。
关键词 定期租船合同 好天气 船舶性能计算 AWT和wni比较
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高温退火对InGaAsP/InP双异质结光弹波导结构的影响
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作者 邢启江 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期266-269,共4页
光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构。InGaAsP/InP双异质结外延片在直流负偏压120V作用下,利用射频溅射和光刻刻剥离技术在样品表面沉积110nm厚的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条。在W0.95-Ni0.05金属薄膜应变条... 光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构。InGaAsP/InP双异质结外延片在直流负偏压120V作用下,利用射频溅射和光刻刻剥离技术在样品表面沉积110nm厚的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条。在W0.95-Ni0.05金属薄膜应变条下的半导体内形成了对InGaAsP/InP双异质结构侧向光具有良好限制作用的光弹波导结构。W0.95Ni0.05金属薄膜及由其形成的光弹波导器件在氢氮混合气体(85%N2,15%H2)的保护下,分别在250℃,350℃,450℃,600℃温度下各退火0.5h以后,W0.95Ni0.05金属薄膜中压应变减少了原来的1/10左右。退火前后光弹波导输出的近场光模没有发生很大的变化。这些实验结果充分证明了由W0.95Ni0.05金属薄膜在InGaAsP/InP双异质结构内形成的光弹波导结构具有很高的热稳定性。 展开更多
关键词 平面型波导器件 INGAASP/INP 高温退火
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