WSi栅耗尽型高电子迁移率晶体管制作

用国产ＭＢＥ调制掺杂材料研制了具有难熔金属硅化物（ＷＳｉ）栅的耗尽型高电子迁移率晶体管器件。这种低噪声器件的栅长和栅宽分别为１．２～１．５μｍ和２×１６０μｍ。制作该器件的材料的电子迁移率，在３００Ｋ温度下为６０８０ｃｍ２·Ｖ－１ｓ－１，７７Ｋ时为６８０００ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１。二维电子密度（ｎｓ）为９×１０１１ｃｍ－２。源与漏的触点使用ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ通过蒸发技术制作，为减小触点电阻，在５２０℃的温度下放在氢气环境中合金３ｍｉｎ。ＷＳｉ栅器件的室温跨导为１１０～１３０ｍＡ／Ｖ。可用于通信卫星的３．８３ＧＨｚ及雷达接收机的１．５ＧＨｚ频道。它的噪声系数约为２－３ｄＢ。

面向WSI的乳腺病理亚型分类研究

为实现乳腺病理WSI图像的精准分类,提出了一种基于混合连接的门控卷积神经网络分类方法。搭建了局部残差连接和全局稠密连接的混合模块,将压缩激活门控单元嵌入混合模块,建立了混合模块与过渡层交替连接的骨干网络。结合基于四叉树分割的图像数据增强方法训练模型,基于BreastSet临床数据集的实验结果得出,该方法的图像级、患者级和病理级准确率分别达到92.24%、92.83%和92.18%,相较其他方法,其准确率提高,参数量和计算量降低,更具有临床应用价值。

钨硅/砷化镓肖特基接触的热稳定性分析

研究了以ＷＳｉ０．６复合材料作为靶源，采用直流磁控溅射工艺成膜，不同退火温度下ＧａＡｓ衬底材料上ＷＳｉ０．６膜层的特性。包括ＷＳｉ０．６／ＧａＡｓ系统断面ＳＥＭ分析，ＡＥＳ界面机构分析、表面形貌分析及金属－半导体肖特基势垒特性分析。实验结果表明，在氩气压力为１３３Ｐａ的气氛下，直流磁控溅射的ＷＳｉ０．６膜层与ＧａＡｓ衬底所构成的系统具有良好的物理、化学和电学性能。