期刊文献+
共找到36篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
光电调控的磁性WSe_(2)超晶格中的自旋和谷极化输运
1
作者 罗国忠 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期9-20,共12页
基于磁性WSe_(2)超晶格系统,探讨了非共振圆偏振光与栅极电压及其对隧穿、谷极化及自旋极化的影响;发现了单层WSe_(2)的弹道输运操纵,以及基于磁性WSe_(2)的NM-FM-NM结的周期性阵列量子输运的调控.结果表明:通过增加势垒的数量,圆偏振... 基于磁性WSe_(2)超晶格系统,探讨了非共振圆偏振光与栅极电压及其对隧穿、谷极化及自旋极化的影响;发现了单层WSe_(2)的弹道输运操纵,以及基于磁性WSe_(2)的NM-FM-NM结的周期性阵列量子输运的调控.结果表明:通过增加势垒的数量,圆偏振光临界值可消除透射能隙;圆偏振光和栅极电压可视为一个透射阀,也可用于控制自旋和谷极化的敏感旋钮.发现了在WSe_(2)超晶格中的克莱因隧穿是自旋-谷相关的;自旋-谷极化可以利用栅极电压和圆偏振光来调整和转换. 展开更多
关键词 磁性wse_(2) 超晶格 圆偏振光 栅极电压 自旋输运 谷极化输运
下载PDF
High-efficiency sodium storage of Co_(0.85)Se/WSe_(2) encapsulated in N-doped carbon polyhedron via vacancy and heterojunction engineering 被引量:2
2
作者 Ya Ru Pei Hong Yu Zhou +5 位作者 Ming Zhao Jian Chen Li Xin Ge Wei Zhang Chun Cheng Yang Qing Jiang 《Carbon Energy》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第1期94-107,共14页
With the advantage of fast charge transfer,heterojunction engineering is identified as a viable method to reinforce the anodes'sodium storage performance.Also,vacancies can effectively strengthen the Na+adsorption... With the advantage of fast charge transfer,heterojunction engineering is identified as a viable method to reinforce the anodes'sodium storage performance.Also,vacancies can effectively strengthen the Na+adsorption ability and provide extra active sites for Na+adsorption.However,their synchronous engineering is rarely reported.Herein,a hybrid of Co_(0.85)Se/WSe_(2) heterostructure with Se vacancies and N-doped carbon polyhedron(CoWSe/NCP)has been fabricated for the first time via a hydrothermal and subsequent selenization strategy.Spherical aberration-corrected transmission electron microscopy confirms the phase interface of the Co_(0.85)Se/WSe_(2) heterostructure and the existence of Se vacancies.Density functional theory simulations reveal the accelerated charge transfer and enhanced Na+adsorption ability,which are contributed by the Co_(0.85)Se/WSe_(2) heterostructure and Se vacancies,respectively.As expected,the CoWSe/NCP anode in sodium-ion battery achieves outstanding rate capability(339.6 mAh g^(−1) at 20 A g^(−1)),outperforming almost all Co/W-based selenides. 展开更多
关键词 Co_(0.85)Se/wse_(2)heterostructure density functional theory simulations N-doped carbon polyhedron Se vacancies sodium-ion batteries
下载PDF
High responsivity photodetectors based on graphene/WSe_(2) heterostructure by photogating effect 被引量:1
3
作者 李淑萍 雷挺 +5 位作者 严仲兴 王燕 张黎可 涂华垚 时文华 曾中明 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第1期728-733,共6页
Graphene, with its zero-bandgap electronic structure, is a highly promising ultra-broadband light absorbing material.However, the performance of graphene-based photodetectors is limited by weak absorption efficiency a... Graphene, with its zero-bandgap electronic structure, is a highly promising ultra-broadband light absorbing material.However, the performance of graphene-based photodetectors is limited by weak absorption efficiency and rapid recombination of photoexcited carriers, leading to poor photodetection performance. Here, inspired by the photogating effect, we demonstrated a highly sensitive photodetector based on graphene/WSe_(2) vertical heterostructure where the WSe_(2) layer acts as both the light absorption layer and the localized grating layer. The graphene conductive channel is induced to produce more carriers by capacitive coupling. Due to the strong light absorption and high external quantum efficiency of multilayer WSe_(2), as well as the high carrier mobility of graphene, a high photocurrent is generated in the vertical heterostructure. As a result, the photodetector exhibits ultra-high responsivity of 3.85×10~4A/W and external quantum efficiency of 1.3 × 10~7%.This finding demonstrates that photogating structures can effectively enhance the sensitivity of graphene-based photodetectors and may have great potential applications in future optoelectronic devices. 展开更多
关键词 wse_(2) HETEROSTRUCTURE PHOTODETECTOR photogating effect
下载PDF
基于第一性原理研究缺陷对单层WSe_(2)结构的光电性质的影响
4
作者 廖展旺 江玉琪 郭祥 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期5079-5085,共7页
二硒化钨(WSe_(2))具有许多优异的性能,在自旋电子和光电子学的应用中具有极好的潜力,研究缺陷WSe_(2)的电子结构有助于理解载流子掺杂、散射等效应,对其在电子和光电器件中的应用有重要意义。基于密度泛函理论,研究了五种缺陷对WSe_(2... 二硒化钨(WSe_(2))具有许多优异的性能,在自旋电子和光电子学的应用中具有极好的潜力,研究缺陷WSe_(2)的电子结构有助于理解载流子掺杂、散射等效应,对其在电子和光电器件中的应用有重要意义。基于密度泛函理论,研究了五种缺陷对WSe_(2)的电子结构和光学性质的影响。对于实验结果进行分析,缺陷对于单层WSe_(2)调控能力较强,其中钨(W)原子与硒(Se)原子位置互换的替位缺陷模型增强了材料的导电性。引入缺陷后材料的光学性质发生较大变化,缺陷结构与本征WSe_(2)结构相比,其长波吸收能力得到了提升,为WSe_(2)在光探测领域的运用提供了理论基础。 展开更多
关键词 第一性原理 wse_(2) 缺陷 光电性质
下载PDF
Bidirectional rectifier with gate voltage control based on Bi_(2)O_(2)Se/WSe_(2)heterojunction
5
作者 Ruonan Li Fangchao Lu +3 位作者 Jiajun Deng Xingqiu Fu Wenjie Wang He Tian 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第1期63-70,共8页
Two-dimensional(2D)WSe_(2)has received increasing attention due to its unique optical properties and bipolar behavior.Several WSe_(2)-based heterojunctions exhibit bidirectional rectification characteristics,but most ... Two-dimensional(2D)WSe_(2)has received increasing attention due to its unique optical properties and bipolar behavior.Several WSe_(2)-based heterojunctions exhibit bidirectional rectification characteristics,but most devices have a lower rectification ratio.In this work,the Bi_(2)O_(2)Se/WSe_(2)heterojunction prepared by us has a typeⅡband alignment,which can vastly suppress the channel current through the interface barrier so that the Bi_(2)O_(2)Se/WSe_(2)heterojunction device has a large rectification ratio of about 10^(5).Meanwhile,under different gate voltage modulation,the current on/off ratio of the device changes by nearly five orders of magnitude,and the maximum current on/off ratio is expected to be achieved 106.The photocurrent measurement reveals the behavior of recombination and space charge confinement,further verifying the bidirectional rectification behavior of heterojunctions,and it also exhibits excellent performance in light response.In the future,Bi_(2)O_(2)Se/WSe_(2)heterojunction field-effect transistors have great potential to reduce the volume of integrated circuits as a bidirectional controlled switching device. 展开更多
关键词 Bi_(2)O_(2)Se wse_(2) HETEROJUNCTION bidirectional rectification optoelectronic devices
下载PDF
二维MoSi_(2)N_(4)/WSe_(2)异质结的第一性原理研究
6
作者 梁前 谢泉 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2024年第2期87-92,共6页
实验上新合成的MoSi_(2)N_(4)(MSN)由于其独特的七原子层结构和电子特性引起了人们的广泛关注.本文搭建了一种由二维MSN与二维WSe_(2)(WS)垂直堆垛而成的二维MSN/WS异质结并基于第一性原理计算对其电子性质进行了计算,其表现出直接间隙... 实验上新合成的MoSi_(2)N_(4)(MSN)由于其独特的七原子层结构和电子特性引起了人们的广泛关注.本文搭建了一种由二维MSN与二维WSe_(2)(WS)垂直堆垛而成的二维MSN/WS异质结并基于第一性原理计算对其电子性质进行了计算,其表现出直接间隙半导体和I型能带排列的特性,具有1.46 eV的带隙.在异质结界面处存在一个由电荷耗尽层MSN指向电荷积累层WS微弱的内建电场.最后,通过施加双轴应变对二维MSN/WS异质结进行调控.发现在正双轴应变的作用下,MSN/WS异质结保持了原来直接带隙半导体和I型能带排列特性;在负双轴应变作用下,MSN/WS异质结由原来的直接带隙半导体转变为间接带隙半导体,当施加的负双轴应变达到-6%与-8%时,I型能带排列转变为Ⅱ型能带排列. 展开更多
关键词 MoSi_(2)N_(4) wse_(2) 双轴应变 能带排列
下载PDF
Strong hetero-interface interaction in 2D/2D WSe_(2)/ZnIn_(2)S_(4) heterostructures for highly-efficient photocatalytic hydrogen generation
7
作者 Xu Guo Xing Liu +4 位作者 jing Shan Zhuo Xu Zhiming Fang Lu Wang Shengzhong Liu 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第10期379-387,I0008,共10页
Green hydrogen is urgently required for sustainable development of human beings and rational construction of heterostructures holds great promising for photocatalytic hydrogen generation.Herein,2D/2D WSe_(2)/ZnIn_(2)S... Green hydrogen is urgently required for sustainable development of human beings and rational construction of heterostructures holds great promising for photocatalytic hydrogen generation.Herein,2D/2D WSe_(2)/ZnIn_(2)S_(4) heterostructures with strong hetero-interface interaction and abundant contact were constructed via an impregnation-annealing strategy.Efficient charge transfer from ZnIn_(2)S_(4) to WSe_(2)was evidenced by transient absorption spectroscopy in crafted heterostructures owing to the tight and2D face-to-face contact.As a result,the prepared WSe_(2)/ZnIn_(2)S_(4) heterostructures exhibited boosted photocatalytic performance and a highest hydrogen evolution rate of 3.377 mmol/(g h)was achieved with an apparent quantum yield of 45.7%at 420 nm.The work not only provides new strategies to achieve efficient 2D/2D heterostructures but also paves the way for the development of green hydrogen in the future. 展开更多
关键词 Strong hetero-interface interaction in 2D/2D wse_(2)/ZnIn_(2)S_(4) heterostructures for highly-efficient photocatalytic hydrogen generation
下载PDF
纳米线二聚体对单层WSe_(2)光致发光光谱的增强研究
8
作者 王慧 尤卿章 王培杰 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第S01期297-298,共2页
二维过渡金属硫族化物(two-dimensional transition-metal dichalcogenides,2D-TMDs)是一种直接带隙半导体,表现出显著的光学特性,成为各种光电探测器、光伏和发光二级管等光电器件的理想材料。然而,由于原子级厚度的限制,TMDs的本征光... 二维过渡金属硫族化物(two-dimensional transition-metal dichalcogenides,2D-TMDs)是一种直接带隙半导体,表现出显著的光学特性,成为各种光电探测器、光伏和发光二级管等光电器件的理想材料。然而,由于原子级厚度的限制,TMDs的本征光吸收率和发射率非常低,限制了光与物质之间的相互作用,严重阻碍了其在电子学和光子学中的应用。而等离子体纳米结构可以将光限制在纳米尺度,极大增强局域电场强度,从而显著增强光与物质之间的相互作用。因此在这里,构建了由单层WSe_(2)和银纳米线二聚体(nanowire dimer,NWD)组成的复合体系,研究了单层WSe_(2)激子与NWD等离子体的相互作用,相比于原始单层WSe_(2),在NWD/WSe_(2)复合体系中荧光强度初步实现了1.2倍增强。理论模拟揭示这里荧光增强源于NWD的高辐射效率、purcell效应和激发增强,理论分析很好的解释了实验结果,证明了该体系可以有效地增强单层WSe_(2)的荧光。 展开更多
关键词 单层二硒化钨 纳米线二聚体 光致发光光谱 光与物质相互作用
下载PDF
应变对二维WSe_(2)材料磁性影响的计算研究
9
作者 韩医临 宁福林 +2 位作者 杨梦雪 任杰 王敏 《当代化工研究》 CAS 2023年第24期177-179,共3页
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究,通过构建完美体系的WSe_(2)模型以及分别在体系中引入本征缺陷如W原子空位、Se原子空位等,并对这三种模型施加0%到10%的拉伸应变,计算研究WSe_(2)的磁电子性质变化情况。计算研究发现,完... 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究,通过构建完美体系的WSe_(2)模型以及分别在体系中引入本征缺陷如W原子空位、Se原子空位等,并对这三种模型施加0%到10%的拉伸应变,计算研究WSe_(2)的磁电子性质变化情况。计算研究发现,完美WSe_(2)单层材料是一个没有磁性的半导体,其禁带宽度为2.1eV左右;缺失一个Se原子的WSe_(2)在应变较小时没有磁矩,而当应变达到一定值时磁矩会突增至2.0μ_(B)。当WSe_(2)引入一个W空位后,其电子结构性质会发生显著改变,比如将会产生4.0μ_(B)左右的磁矩、禁带宽度变为0等。 展开更多
关键词 wse_(2) 单层材料 第一性原理 电子结构 自旋电子学
下载PDF
WSe_(2)分子外电场作用下的结构和光谱特性 被引量:2
10
作者 邱学军 王涵 郭旖 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2022年第4期449-453,共5页
利用Gaussian 03软件计算了WSe_(2)分子在不同外电场强度下的结构和光谱.采用密度泛函理论,在BVP86/SDD基组水平上获得了不同外电场强度下WSe_(2)分子的基态优化构型、键长、键角、电偶极矩、总能量和电荷分布.利用相同的方法进行了频... 利用Gaussian 03软件计算了WSe_(2)分子在不同外电场强度下的结构和光谱.采用密度泛函理论,在BVP86/SDD基组水平上获得了不同外电场强度下WSe_(2)分子的基态优化构型、键长、键角、电偶极矩、总能量和电荷分布.利用相同的方法进行了频率计算,获得了不同外电场强度下WSe_(2)分子的基态振动频率和红外光谱.利用时间依赖的密度泛函理论,在B3LYP/SDD基组水平上进一步计算并分析了不同外电场对分子紫外-可见吸收光谱和激发态分子轨道的影响.结果可以为研究WSe_(2)分子的电致发光效应提供重要的理论依据. 展开更多
关键词 二硒化钨 密度泛函理论 光谱 外电场
下载PDF
二维WSe_(2)化合物晶体图形化构筑综合性实验设计
11
作者 王震东 王剑宇 王立 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2022年第3期47-50,61,共5页
二维材料图形化是实现器件规模化制备的有效途径,也是目前材料、物理和化学等学科的研究热点。基于此,该文设计了二维WSe_(2)化合物晶体图形化构筑的多学科交叉综合性实验,利用金属材料的诱导作用,采用化学气相沉积法,在SiO;/Si衬底上... 二维材料图形化是实现器件规模化制备的有效途径,也是目前材料、物理和化学等学科的研究热点。基于此,该文设计了二维WSe_(2)化合物晶体图形化构筑的多学科交叉综合性实验,利用金属材料的诱导作用,采用化学气相沉积法,在SiO;/Si衬底上构筑了有序的WSe_(2)晶体阵列。扫描电子显微镜观测发现WSe_(2)晶体围绕着金属点生长,并形成了有序二维晶体图形;透射电子显微镜和拉曼光谱进一步确证了WSe_(2)晶体的高质量合成。该综合性设计性实验能有效打破学科壁垒,拓展学生的实验技能范围,培养学生的创新思维和科研能力。 展开更多
关键词 过渡金属二硫化物 图形化生长 wse_(2)晶体 化学气相沉积
下载PDF
基于WSe_(2)/GaAs的异质结光电探测器的研究
12
作者 李明 陈博瀚 +1 位作者 何秀冬 方昶月 《电子测试》 2021年第16期5-7,共3页
WSe_(2)属于二维过渡族金属二硫化物(TMD),具有高迁移率,以及良好的稳定性。本文采用磁控溅射技术和硒化的方法生长了WSe_(2)薄膜,并通过湿法转移的方法构建了WSe_(2)/GaAs异质结光电探测器。通过对WSe_(2)薄膜成分和形貌的表征以及对... WSe_(2)属于二维过渡族金属二硫化物(TMD),具有高迁移率,以及良好的稳定性。本文采用磁控溅射技术和硒化的方法生长了WSe_(2)薄膜,并通过湿法转移的方法构建了WSe_(2)/GaAs异质结光电探测器。通过对WSe_(2)薄膜成分和形貌的表征以及对器件电学性能参数的测试,结果表明,器件具有自驱动能力,在波长为808nm、强度为121 mW/cm^(2)的光照下,器件的开关比可达16.6×10^(4),同时具有毫秒以下的响应速度和持续稳定工作的能力。 展开更多
关键词 光电探测器 磁控溅射 wse_(2) 异质结
下载PDF
WSe_(2)光电性质的第一性原理研究 被引量:1
13
作者 陈圳 陈妍 +2 位作者 徐中辉 罗兵 袁秋明 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2022年第5期167-172,共6页
本文采用基于非平衡态格林函数-密度泛函理论的第一性原理方法,计算了单层WSe_(2)的光电性质.计算结果表明:在小偏压下,几乎整个可见光范围内都能产生较强的光响应,且光响应与偏振角θ呈现完美的余弦关系,与唯象理论相符合.锯齿型和扶... 本文采用基于非平衡态格林函数-密度泛函理论的第一性原理方法,计算了单层WSe_(2)的光电性质.计算结果表明:在小偏压下,几乎整个可见光范围内都能产生较强的光响应,且光响应与偏振角θ呈现完美的余弦关系,与唯象理论相符合.锯齿型和扶手椅型WSe_(2)纳米器件均在光子能量为2.8 eV(443 nm,对应于可见光)时,能产生较大的光响应;利用能带结构和态密度分析了产生较大光响应的原因,其主要来自第一布里渊区高对称点X处的电子受激跃迁.此外,WSe_(2)纳米器件还具有较强的各向异性和较高的偏振灵敏度;这些结果可为WSe_(2)在光电子器件中的应用提供重要的理论参考. 展开更多
关键词 wse_(2) 光电性质 光响应 第一性原理 光电探测器
下载PDF
Van der Waals heterojunction ReSe_(2)/WSe_(2)polarization-resolved photodetector 被引量:6
14
作者 Xiaoyu Tian Yushen Liu 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2021年第3期45-49,共5页
Polarization-resolved photodetectors,a significant branch of photodetection,can more effectively distinguish the target from the background by exploiting polarization-sensitive characteristics.However,due to the absen... Polarization-resolved photodetectors,a significant branch of photodetection,can more effectively distinguish the target from the background by exploiting polarization-sensitive characteristics.However,due to the absence of intrinsic polarized absorption properties of many materials,there is still a great challenge to develop the high-performance polarization-resolved photodetectors.Here,we report a van der Waals heterojunction(vdWH)ReSe_(2)/WSe_(2)photodetector,which performs a high responsivity of~0.28 A/W and a high detectivity of 1.1×10^(12)Jones under the illumination of 520 nm laser at room temperature.Remarkably,scanning photocurrent mapping(SPCM)measurements demonstrate the photoresponse of devices closely depend on the polarized angle of the incident light,indicating the effective polarized light detection.This work paves the way to develop high-performance polarization-resolved photodetectors based on two-dimensional(2D)materials. 展开更多
关键词 ReSe_(2)/wse_(2) PHOTODETECTOR POLARIZATION
下载PDF
Au膜-WSe_(2)复合结构的发光特性研究 被引量:1
15
作者 岑栋湛 郑业雄 +4 位作者 李嘉志 吴文航 石庆峰 唐伟明 温锦秀 《光散射学报》 2021年第2期165-170,共6页
过渡金属硫化物(transition metal dichalcogenides,TMDs)具有优异的光学、电学性能,其中,二维WSe_(2)薄膜作为典型的TMDs类材料之一,凭借其可调控的光学带隙,在光电子器件领域有极大的潜在应用价值。但是,由于单层的WSe_(2)薄膜具有较... 过渡金属硫化物(transition metal dichalcogenides,TMDs)具有优异的光学、电学性能,其中,二维WSe_(2)薄膜作为典型的TMDs类材料之一,凭借其可调控的光学带隙,在光电子器件领域有极大的潜在应用价值。但是,由于单层的WSe_(2)薄膜具有较低的光学吸收截面,对于光的吸收效率较弱,限制了其在光电器件中的应用发展。因此,如何提高单层WSe_(2)薄膜的光吸收和光发射效率成为了人们的研究热点。本文将单层WSe_(2)薄膜作为研究对象构建了Au膜-WSe_(2)复合结构,通过显微光致发光光谱分析其光学性能,分别对比了Au膜-WSe_(2)交界处和Au膜-WSe_(2)复合区域与纯WSe_(2)区域的发光特性,研究表明Au膜与WSe_(2)薄膜直接接触发生了荧光淬灭效应,发光强度减弱;而在两者交界处,受到金属表面等离极化激元效应的作用,交界处的发光强度有明显的增强;为了解释这现象,本文建立了相应的物理模型来解释Au膜-WSe_(2)复合结构的发光特性。 展开更多
关键词 Au膜-wse_(2)复合结构 发光特性 表面等离极化激元 荧光淬灭
下载PDF
二维MoS_(2)/WSe_(2)异质结的光电性能研究 被引量:2
16
作者 皇甫路遥 戴梦德 +2 位作者 南海燕 顾晓峰 肖少庆 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第11期2075-2080,共6页
近年来基于二维半导体过渡金属硫族化合物如MoS_(2)的光电晶体管被广泛研究。虽然基于单层MoS_(2)的光电探测器表现出较高的响应度,但是其较低的载流子迁移率也限制了响应时间,约在秒量级。二维半导体的相互堆垛可以形成具有低缺陷态且... 近年来基于二维半导体过渡金属硫族化合物如MoS_(2)的光电晶体管被广泛研究。虽然基于单层MoS_(2)的光电探测器表现出较高的响应度,但是其较低的载流子迁移率也限制了响应时间,约在秒量级。二维半导体的相互堆垛可以形成具有低缺陷态且空间均匀的范德华异质结构,是提高二维光电探测器性能的有效途径。基于此本文通过机械剥离转移法构筑MoS_(2)/WSe_(2)垂直pn异质结,其较强的空间电荷区能有效地分离光生载流子,所以在自驱动状态下仍具有较好的光电探测能力,光响应度和探测率分别达到2.12×10^(3) A/W和2.33×10^(11) Jones,同时极大地缩短了响应时间,响应时间达到40 ms。这种二维异质结器件制备方法简易,性能优异,在光电子领域具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 MoS_(2)/wse_(2) PN结 机械剥离转移法 二维范德华异质结构 光电探测器 过渡金属硫族化合物
下载PDF
g-C_(3)N_(4)-MoS_(2)/WSe_(2)自偏压系统构建与不同类型污染物同时去除性能研究 被引量:1
17
作者 陈光 宋美旗 +8 位作者 于婷婷 吴文伟 刘青松 朱致远 魏继龙 邹毅 陈继铭 杨涛 王学松 《环境化学》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期1444-1452,共9页
由于工业化进程的不断推进,染料与重金属废水被非法排入自然水体,水体污染问题日益严峻.为实现两种污染物的同时去除,本文通过调控合成MoS_(2)/WSe_(2)(MW)异质结复合催化材料,提高其催化活性.黑暗条件下,以MoS_(2)、WSe_(2)以及MW为阳... 由于工业化进程的不断推进,染料与重金属废水被非法排入自然水体,水体污染问题日益严峻.为实现两种污染物的同时去除,本文通过调控合成MoS_(2)/WSe_(2)(MW)异质结复合催化材料,提高其催化活性.黑暗条件下,以MoS_(2)、WSe_(2)以及MW为阳极材料,g-C_(3)N_(4)为阴极材料组建自偏压燃料电池系统,实现在降解有机染料的同时,去除水体中的重金属离子.通过调控参数,探究影响染料与重金属去除的因素.研究表明,影响重金属和有机染料去除效果的因素有pH、电解质溶液浓度、重金属溶液浓度.当溶液pH=5,电解质溶液浓度为0.1 mol·L^(-1),铜离子浓度为4 mg·L^(-1)时,重金属的去除率为64.3%.当溶液pH=5,电解质溶液浓度为0.2 mol·L^(-1),铜离子浓度为2 mg·L^(-1)时,有机染料罗丹明B的去除率为99.5%.该系统在无外加光照条件下,实现不同类型污染物同时去除,并产生约240 mV的电压,为无光条件下光催化材料的实际应用提供新思路. 展开更多
关键词 g-C_(3)N_(4) MoS_(2)/wse_(2) 自偏压燃料电池 染料 重金属
下载PDF
基于Mo/WSe_(2)/血红素复合纳米材料的比色法对葡萄糖的检测
18
作者 于霄 朱志佳 +5 位作者 谷梦巧 李慧 杨馥瑞 蔡晴 杨云慧 胡蓉 《化学传感器》 CAS 2020年第1期54-58,共5页
该文合成了具有纳米模拟酶的性质的Mo/WSe_(2)/血红素复合纳米材料,能够有效地催化H_(2)O_(2)氧化3,3',5,5'-四甲基联苯胺(TMB)产生蓝色的反应。利用纳米复合材料对葡萄糖与葡萄糖氧化酶反应产生的过氧化氢的催化性质,可间接实... 该文合成了具有纳米模拟酶的性质的Mo/WSe_(2)/血红素复合纳米材料,能够有效地催化H_(2)O_(2)氧化3,3',5,5'-四甲基联苯胺(TMB)产生蓝色的反应。利用纳米复合材料对葡萄糖与葡萄糖氧化酶反应产生的过氧化氢的催化性质,可间接实现对葡萄糖定量测定。在最优条件下,吸光度与葡萄糖浓度在1~10 mmol/L范围内有线性关系,检测限为0.3 mmol/L。该方法为葡萄糖的检测提供了一种新的简单、快速方法。 展开更多
关键词 血红素 Mo/wse_(2) 比色测定 葡萄糖
下载PDF
溅射压强对WSe_(2)纳米薄膜形貌及光电性能的影响
19
作者 刘晓彤 王梦琪 +1 位作者 姚成宝 物利娟 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2022年第1期48-53,共6页
采用射频(RF)磁控溅射技术在Si(100)衬底上制备WSe_(2)纳米薄膜,研究在不同制备压强(2.0、2.5、3.0 Pa)下WSe_(2)纳米薄膜的形貌及光电性质变化.采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、光致发光谱(PL)、霍尔效应等... 采用射频(RF)磁控溅射技术在Si(100)衬底上制备WSe_(2)纳米薄膜,研究在不同制备压强(2.0、2.5、3.0 Pa)下WSe_(2)纳米薄膜的形貌及光电性质变化.采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、光致发光谱(PL)、霍尔效应等测试对薄膜样品进行基本性质表征.SEM测试结果表明:溅射压强的改变对薄膜形貌有显著影响,随着压强的增加“蠕虫”状结构更加明显.进一步研究WSe_(2)的生长取向,XRD测试结果表明WSe_(2)薄膜在(008)晶面优先生长,证明压强的不同会改变WSe_(2)的晶体结构,提高其结晶性和光吸收特性.此外电学性能测试表明,WSe_(2)纳米薄膜的载流子浓度和霍尔系数可以通过改变压强来调节.体现了磁控溅射技术制备的WSe_(2)具有可控性好,易于重复等优点,在构建多功能WSe_(2)器件领域中具有很好的应用前景. 展开更多
关键词 射频磁控溅射 二硒化钨(wse_(2))薄膜 二维材料 光电性能
下载PDF
ReSe_(2)/WSe_(2)记忆晶体管的光电调控和阻变特性
20
作者 余雪玲 陈凤翔 +3 位作者 相韬 邓文 刘嘉宁 汪礼胜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第21期283-292,共10页
记忆晶体管是结合了忆阻器和场效应晶体管特点的多端口器件.二维过渡金属硫化物拥有独特的电子结构和性质,在电子器件、能源转化、存储器等领域都有广泛的应用.本文以二维金属硫化物为基础,制备了ReSe_(2)/WSe_(2)双p型的范德瓦耳斯异... 记忆晶体管是结合了忆阻器和场效应晶体管特点的多端口器件.二维过渡金属硫化物拥有独特的电子结构和性质,在电子器件、能源转化、存储器等领域都有广泛的应用.本文以二维金属硫化物为基础,制备了ReSe_(2)/WSe_(2)双p型的范德瓦耳斯异质结记忆晶体管,探究其在电控、光控以及光电协控下的阻变特性变化.结果表明:栅压是调控记忆晶体管性能的重要手段,可有效地调控开关比在10^(1)-10^(5)之间变化;不同波长光照或者光功率密度的变化可以实现记忆晶体管高低阻态和开关比的调控;而且,光电协控也可使器件开关比在10^(2)-10^(5)范围内变化,并分析了不同调控条件下器件阻态变化的原因.此外,在经历了225次循环和1.9×10^(4)s时间后,ReSe_(2)/WSe_(2)异质结构记忆晶体管仍能保持接近10^(4)的开关比,表明器件有良好的稳定性和耐久性,将是一种很有发展潜力的下一代非易失性存储器. 展开更多
关键词 ReSe_(2)/wse_(2) 记忆晶体管 栅控 光控
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部