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GaAs探测器与放大电路的单片集成
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作者 杨沁清 高俊华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第5期395-398,共4页
本文介绍一种结构简单且与GaAs MESFET的制备工艺相容的GaAs MSM-PD器件,它可用作探测短波长激光。文中介绍了MSM—PD的特性,还叙述了它与MESFET放大电路的单片集成工艺。最后给出了集成芯片测试的初步结果。
关键词 GAAS 探测器 放大电路 单片集成
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