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GaAs探测器与放大电路的单片集成
1
作者
杨沁清
高俊华
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第5期395-398,共4页
本文介绍一种结构简单且与GaAs MESFET的制备工艺相容的GaAs MSM-PD器件,它可用作探测短波长激光。文中介绍了MSM—PD的特性,还叙述了它与MESFET放大电路的单片集成工艺。最后给出了集成芯片测试的初步结果。
关键词
GAAS
探测器
放大电路
单片集成
下载PDF
职称材料
题名
GaAs探测器与放大电路的单片集成
1
作者
杨沁清
高俊华
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第5期395-398,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文介绍一种结构简单且与GaAs MESFET的制备工艺相容的GaAs MSM-PD器件,它可用作探测短波长激光。文中介绍了MSM—PD的特性,还叙述了它与MESFET放大电路的单片集成工艺。最后给出了集成芯片测试的初步结果。
关键词
GAAS
探测器
放大电路
单片集成
Keywords
monolithic integration
MSM-PD
MESFET
wsi_x
分类号
TN361 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs探测器与放大电路的单片集成
杨沁清
高俊华
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
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