采用等离子直流电弧法,在氢气、氩气、甲烷分压分别为10、20、7.5 k Pa的混合气氛下制备纳米SiC@C核壳型复合粒子。利用XRD、Raman对纳米粒子的成分进行表征,用TEM对其形貌进行分析。将纳米SiC@C复合粒子均匀分散在石蜡基体中,在100 MHz...采用等离子直流电弧法,在氢气、氩气、甲烷分压分别为10、20、7.5 k Pa的混合气氛下制备纳米SiC@C核壳型复合粒子。利用XRD、Raman对纳米粒子的成分进行表征,用TEM对其形貌进行分析。将纳米SiC@C复合粒子均匀分散在石蜡基体中,在100 MHz^18 GHz频率内测定其复介电常数。结果表明,当电磁波吸收材料匹配厚度为8 mm、测试频率为9.49 GHz时,最大反射损耗能达到-27 d B。对SiC介电特性分析进一步表明,SiC中的C空位(VC)和Si空位(VSi)产生的偶极子发生的弛豫过程和SiC缺陷带来的电导率变化是影响介电性能的关键因素。展开更多
文摘采用等离子直流电弧法,在氢气、氩气、甲烷分压分别为10、20、7.5 k Pa的混合气氛下制备纳米SiC@C核壳型复合粒子。利用XRD、Raman对纳米粒子的成分进行表征,用TEM对其形貌进行分析。将纳米SiC@C复合粒子均匀分散在石蜡基体中,在100 MHz^18 GHz频率内测定其复介电常数。结果表明,当电磁波吸收材料匹配厚度为8 mm、测试频率为9.49 GHz时,最大反射损耗能达到-27 d B。对SiC介电特性分析进一步表明,SiC中的C空位(VC)和Si空位(VSi)产生的偶极子发生的弛豫过程和SiC缺陷带来的电导率变化是影响介电性能的关键因素。