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Acupuncture at Waiguan (TE5) influences activation/deactivation of functional brain areas in ischemic stroke patients and healthy people A functional MRI study 被引量:10
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作者 Junqi Chen Yong Huang +6 位作者 Xinsheng Lai Chunzhi Tang Junjun Yang Hua Chen Tongjun Zeng Junxian Wu Shanshan Qu 《Neural Regeneration Research》 SCIE CAS CSCD 2013年第3期226-232,共7页
In the present study, 10 patients with ischemic stroke in the left hemisphere and six healthy controls were subjected to acupuncture at right Waiguan (TE5). In ischemic stroke subjects, functional MRI showed enhance... In the present study, 10 patients with ischemic stroke in the left hemisphere and six healthy controls were subjected to acupuncture at right Waiguan (TE5). In ischemic stroke subjects, functional MRI showed enhanced activation in Broadmann areas 5, 6, 7, 18, 19, 24, 32, the hypothalamic inferior lobe, the mamiilary body, and the ventral posterolateral nucleus of the left hemisphere, and Broadmann areas 4, 6, 7, 18, 19 and 32 of the right hemisphere, but attenuated activation of Broadmann area 13, the hypothalamic inferior lobe, the posterior lobe of the tonsil of cerebellum, and the culmen of the anterior lobe of hypophysis, in the left hemisphere and Broadmann area 13 in the right hemisphere. In ischemic stroke subjects, a number of deactivated brain areas were enhanced, including Broadmann areas 6, 11,20, 22, 37, and 47, the culmen of the anterior lobe of hypophysis, alae lingulae cerebella, and the posterior lobe of the tonsil of cerebellum of the left hemisphere, and Broadmann areas 8, 37, 45 and 47, the culmen of the anterior lobe of hypophysis, pars tuberalis adenohypophyseos, inferior border of lentiform nucleus, lateral globus pallidus, inferior temporal gyrus, and the parahippocampal gyrus of the right hemisphere. These subjects also exhibited attenuation of a number of deactivated brain areas, including Broadmann area 7. These data suggest that acupuncture at Waiguan specifically alters brain function in regions associated with sensation, vision, and motion in ischemic stroke patients. By contrast, in normal individuals, acupuncture at Waiguan generally activates brain areas associated with insomnia and other functions. 展开更多
关键词 neural regeneration acupuncture and moxibustion waiguan (te5) ischemic stroke specificity ofacupoints functional MRI cerebral function imaging ACUPUNCTURE motion brain areas grants-supported paper photographs-containing paper NEUROREGENERATION
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Needling at the Waiguan (SJ5) in healthy limbs deactivated functional brain areas in ischemic stroke patients A functional magnetic resonance imaging study 被引量:2
2
作者 Yong Huang Huiling Xiao +4 位作者 Junqi Chen Shanshan Qu Yu Zheng Yangjia Lu Xinsheng Lai 《Neural Regeneration Research》 SCIE CAS CSCD 2011年第36期2829-2833,共5页
Deactivation is common in cerebral functional imaging. However, the physiological mechanisms responsible for this phenomenon remain poorly understood. The present study analyzed 12 ischemic stroke patients, who were r... Deactivation is common in cerebral functional imaging. However, the physiological mechanisms responsible for this phenomenon remain poorly understood. The present study analyzed 12 ischemic stroke patients, who were randomly assigned to two groups: one group underwent sham needling and true needling at the Waiguan (SJ 5) in the healthy upper limb and the other group underwent sham and true needling at a sham point. Functional magnetic resonance imaging results showed no activation points in brain tissues following needling at SJ 5. However, compared with sham needling at SJ 5, true needling at SJ 5 deactivated Broadmann 4, 6, 24, and 32 areas. In addition, compared to needling at the sham point, true needling at SJ 5 deactivated bilateral hypothalamus. Results demonstrated that SJ 5 needling in the healthy upper limb resulted in specific directional brain action, as manifested by deactivation of cerebral areas related to motor (Broadmann 4 and 6), emotion (hypothalamus), and cognition (Broadmann 24, 32). 展开更多
关键词 acupuncture cerebral functional imaging Chinese medicine functional MRI ischemic stroke waiguan (SJ 5) neural regeneration
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Cerebral functional imaging of Waiguan (SJ 5) acupoint specificity using single-photon emission computed tomography 被引量:2
3
作者 Yong Huang Yangjia Lu +5 位作者 Ganlong Li Xinsheng Lai Hong Zhang Chunzhi Tang JunjunYang Gustav Wik 《Neural Regeneration Research》 SCIE CAS CSCD 2011年第6期428-434,共7页
The action of needling in acupoint therapy has to first be regulated and integrated by the brain, and then it affects the target organ and manifests its therapeutic effects, which is dependent on the specificity of th... The action of needling in acupoint therapy has to first be regulated and integrated by the brain, and then it affects the target organ and manifests its therapeutic effects, which is dependent on the specificity of the acupoints. The authors put forward the hypothesis of the "acupoint-related brain". Single-photon emission computed tomography was used to explore the activation of brain regions following true needling in true acupoint Waiguan (SJ 5), sham needling in true acupoint Waiguan, true needling in a sham point, and sham needling in a sham point. The relative specificity of Waiguan in normal persons was analyzed by observing changes in regional cerebral blood flow. Compared with the sham needling in true acupoint group and sham needling in the sham point group, acupuncture at Waiguan can activate brain regions controlling movement. Compared with true needling in the sham point group, acupuncture at Waiguan can also activate brain regions controlling movement. The results suggest that the specificity of needling at an acupoint is related to certain activated cerebral functional regions, which are associated with the clinical application of the acupoint. 展开更多
关键词 acupoint specificity waiguan (SJ 5) NEEDLING sham needling sham point single-photon emission computed tomography
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Ge_2Sb_2Te_5晶体结构的第一性原理模拟 被引量:3
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作者 刘富荣 韩欣欣 +2 位作者 白楠 范振坤 朱赞 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期137-141,148,共6页
基于密度泛函理论,采用CASTEP软件对Ge2Sb2Te5亚稳态晶体进行结构优化,并比较了局部密度泛函LDA CA-PZ和广义梯度近似GGA PBE两种不同电子交换关联函数对模型晶体结构、能带、态密度、分波态密度、布居数等相关性质的影响,获得Ge2Sb2Te... 基于密度泛函理论,采用CASTEP软件对Ge2Sb2Te5亚稳态晶体进行结构优化,并比较了局部密度泛函LDA CA-PZ和广义梯度近似GGA PBE两种不同电子交换关联函数对模型晶体结构、能带、态密度、分波态密度、布居数等相关性质的影响,获得Ge2Sb2Te5亚稳态晶体结构的性质.研究发现,电子交互关联函数采用局部密度泛函LDA CA-PZ时计算体系的总能量更低,具有更好的稳定性,但该优化使晶格常数缩小,而采用广义梯度近似GGA PBE方法对GST材料的晶胞结构进行模拟获得的结果与实验结果较为吻合.亚稳态Ge2Sb2Te5的能带没有带隙,呈现典型的金属性,而对材料性质影响最大的是Te原子. 展开更多
关键词 相变 Ge2 Sb2 te5 第一性原理 密度泛函
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溅射功率对Ge_2Sb_2Te_5薄膜光学常数的影响 被引量:2
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作者 谢泉 侯立松 +3 位作者 干福熹 阮昊 李晶 李进延 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期501-504,共4页
研究了溅射功率对 Ge2Sb2Te5 薄膜的光学常数与波长关系的影响,结果表明,在波长小于 500nm的情况下,随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率n先增加然后减小,消光系数K则逐渐减小; 在波长大于 500nm的情况下,... 研究了溅射功率对 Ge2Sb2Te5 薄膜的光学常数与波长关系的影响,结果表明,在波长小于 500nm的情况下,随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率n先增加然后减小,消光系数K则逐渐减小; 在波长大于 500nm的情况下,随溅射功率的增加折射率 n逐渐减少,消光系数k先减小后增加.对于晶 态薄膜样品,在整个波长范围折射率n随溅射功率的增加先减小后增加,消光系数k则逐渐减少.薄膜样 品的光学常数,在长波长范围随波长变化较大,在短波长范围变化较小.讨论了溅射功率对 Ge2Sb2Te5 薄膜的光学常数影响的机理. 展开更多
关键词 溅射功率 GE2SB2te5薄膜 光学常数 波长
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Ge_2Sb_2Te_5相变薄膜光学及擦除性能研究 被引量:3
6
作者 张广军 顾冬红 干福熹 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期577-581,共5页
利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2Te5相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000ns, 500ns,100ns, 60ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一定脉宽下,反射率对比度随擦除功率的增加而增大 并且,在1000ns, 500ns, 100ns, 60ns的激光作用时间范围... 利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2Te5相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000ns, 500ns,100ns, 60ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一定脉宽下,反射率对比度随擦除功率的增加而增大 并且,在1000ns, 500ns, 100ns, 60ns的激光作用时间范围内,非晶态薄膜均可转变成晶态 对于脉宽为60ns的蓝绿激光,擦除功率大于4. 49mW以后,薄膜的反射率对比度高于15%,这表明Ge2Sb2Te5 相变薄膜在短脉宽、低擦除功率条件下,可具有较高的晶化速度 同时,分析了非晶态和晶态Ge2Sb2Te5 相变薄膜的光谱特性,对比研究了780nm, 650nm, 514nm和405nm波长处的反射率和反射率对比度。 展开更多
关键词 相变薄膜 蓝绿激光 Ge2Sb2te5 擦除 反射率对比度 光盘
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硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响 被引量:3
7
作者 刘波 宋志棠 +2 位作者 封松林 Chen Bomy 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期158-160,共3页
采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂... 采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂硅后,Ge2Sb2Te5薄膜的电阻有较大变化,晶态电阻的提高有利于降低非晶化相变过程的操作电流,薄膜电阻-温度稳定性的改善可保证有较宽的操作电流波动范围. 展开更多
关键词 Ge2Sb2te5 硅离子注入掺杂 方块电阻
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lncRNA DGCR5通过上调EGFR表达促进食管鳞状细胞癌TE1细胞的恶性生物学行为 被引量:3
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作者 段玉青 贾云泷 +2 位作者 王佳丽 吕微 刘丽华 《中国肿瘤生物治疗杂志》 CAS CSCD 北大核心 2020年第9期1006-1011,共6页
目的:探讨长链非编码RNA(long non-coding RNA,lncRNA)DiGeorge综合征临界区基因5(digeorge syndrome critical region gene 5,DGCR5)对食管鳞状细胞癌(esophageal squamous cell carcinoma,ESCC)TE1细胞增殖、迁移和侵袭的影响及其机... 目的:探讨长链非编码RNA(long non-coding RNA,lncRNA)DiGeorge综合征临界区基因5(digeorge syndrome critical region gene 5,DGCR5)对食管鳞状细胞癌(esophageal squamous cell carcinoma,ESCC)TE1细胞增殖、迁移和侵袭的影响及其机制。方法:采用qPCR检测ESCC细胞系TE1、Yes-2、KYSE150和Eca9706中DGCR5的表达水平。将siRNA-DGCR5(si-DGCR5)和阴性对照组(si-NC)质粒转染进TE1细胞,用CCK-8、划痕愈合、Transwell小室法分别检测TE1细胞增殖、迁移和侵袭能力。依据GEPIA数据库资料分析食管癌组织中DGCR5表达与细胞表皮生长因子受体(epidermal growth factor receptor,EGFR)的相关性,并用qPCR和Western blotting(WB)检测ESCC细胞系中EGFR mRNA和蛋白表达水平,进一步用WB实验检测转染si-DGCR5前后TE1细胞中EGFR蛋白的表达水平。结果:DGCR5在ESCC细胞系中均高表达(均P<0.01),转染siDGCR5组TE1细胞中DGCR5的表达水平明显低于si-NC组(P<0.01)。敲低DGCR5后,TE1细胞的增殖、侵袭和迁移能力显著低于si-NC组细胞(均P<0.01)。GEPIA数据库的分析显示,食管癌组织中DGCR5表达水平与EGFR的表达呈正相关(P<0.01)。敲低DGCR5后TE1细胞中EGFR蛋白表达水平明显下降(P<0.01)。结论:lncRNA DGCR5在ESCC细胞中呈高表达,可能通过上调EGFR表达来促进TE1细胞的增殖、侵袭和迁移等恶性生物学行为。 展开更多
关键词 DiGeorge综合征临界区基因5 表皮生长因子受体 食管鳞状细胞癌 te1细胞 增殖 侵袭 迁移
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生长温度对Ge_2Sb_2Te_5薄膜的相变行为以及微观结构的影响 被引量:2
9
作者 都健 潘石 +1 位作者 吴世法 张庆瑜 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第4期328-332,共5页
采用射频磁控溅射方法,分别在玻璃和具有本征氧化层的Si(100)基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外分光光度计等对薄膜进行了表征,研究了不同生长温度(室温~300℃)的Ge2... 采用射频磁控溅射方法,分别在玻璃和具有本征氧化层的Si(100)基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外分光光度计等对薄膜进行了表征,研究了不同生长温度(室温~300℃)的Ge2Sb2Te5薄膜的表面形貌和结晶特性。分析结果表明:室温沉积的薄膜为非晶态;沉积温度为100℃~250℃时,薄膜转变为晶粒尺度约14nm的面心立方结构;300℃~350℃沉积的薄膜有少量的六方相出现。薄膜表面粗糙度随着沉积温度的升高逐渐递增,且薄膜的反射率变化与表面粗糙度有直接的关系。 展开更多
关键词 GE2SB2te5薄膜 射频磁控溅射 表面形貌 薄膜反射率
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溅射参数对Ge_2Sb_2Te_5薄膜光学常数的影响 被引量:1
10
作者 谢泉 侯立松 +2 位作者 阮昊 干福熹 李晶 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期187-192,共6页
研究了溅射参数对 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的光学常数随波长变化关系的影响 ,结果表明 :(1)当溅射功率一定时 ,随溅射氩气气压的增加 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的折射率先增大后减小 ,而消光系数先减小后增大 .(2 )当溅射氩气气压一定时 ,对于非晶态... 研究了溅射参数对 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的光学常数随波长变化关系的影响 ,结果表明 :(1)当溅射功率一定时 ,随溅射氩气气压的增加 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的折射率先增大后减小 ,而消光系数先减小后增大 .(2 )当溅射氩气气压一定时 ,对于非晶态薄膜样品 ,在 5 0 0 nm波长以下 ,折射率随溅射功率的增加先增加后减小 ,消光系数则逐渐减小 ;在 5 0 0 nm以上 ,折射率随溅射功率的增加逐渐减少 ,消光系数先减小后增加 .对于晶态薄膜样品 ,在整个波长范围折射率随溅射功率的增加先减小后增加 ,消光系数则逐渐减少 .(3)薄膜样品的光学常数都随波长的变化而变化 ,在长波长范围变化较大 ,短波长范围变化较小 .探讨了影响 Ge2 Sb2 Te5 展开更多
关键词 光学常数 GE2SB2te5薄膜 溅射参数 三元化合物半导体
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N-Ge_2Sb_2Te_5薄膜的相变特性研究 被引量:2
11
作者 刘巧丽 刘军伟 +2 位作者 李春波 李廷取 路大勇 《吉林化工学院学报》 CAS 2016年第3期80-82,共3页
采用射频磁控溅射法在室温下沉积了N-GST相变薄膜,利用原位XRD研究了其相变过程.结果表明:室温下沉积薄膜均为非晶态,且在室温~375℃温度范围内,纯GST薄膜发生了非晶态→立方晶态→六方晶态相转变;然而,当N2流量为12.8 sccm时,N掺杂GS... 采用射频磁控溅射法在室温下沉积了N-GST相变薄膜,利用原位XRD研究了其相变过程.结果表明:室温下沉积薄膜均为非晶态,且在室温~375℃温度范围内,纯GST薄膜发生了非晶态→立方晶态→六方晶态相转变;然而,当N2流量为12.8 sccm时,N掺杂GST薄膜则发生了非晶态→六方晶态直接相转变.此外,通过原位XRD确定结晶温度,表明N引入能够显著提高GST薄膜的结晶温度,这有利于提高相变薄膜的非晶热稳定性. 展开更多
关键词 相变特性 Ge2Sb2te5 N掺杂 原位XRD 结晶温度
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Ge_2Sb_2Te_5不同晶相对相变存储单元RESET电流影响 被引量:2
12
作者 王玉婵 康杰虎 王玉菡 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第1期61-63,共3页
相变存储器(Phase Change Memory,PCM)的RESET电流是决定其功耗的最重要参数。基于相变材料Ge_2Sb_2Te_5(GST)的PCM单元,不同的SET条件下晶粒表现出两种不同的晶态结构,分别为立方晶相和六方晶相。针对这两种不同晶态结构的晶粒,应用数... 相变存储器(Phase Change Memory,PCM)的RESET电流是决定其功耗的最重要参数。基于相变材料Ge_2Sb_2Te_5(GST)的PCM单元,不同的SET条件下晶粒表现出两种不同的晶态结构,分别为立方晶相和六方晶相。针对这两种不同晶态结构的晶粒,应用数值模拟计算,对PCM单元的RESET电流进行研究,并将模拟结果与实际测试结果对比验证。结果表明:基于立方晶粒GST的PCM单元需要的RESET电流更小。 展开更多
关键词 相变存储器 Ge2Sb2te5 RESET 数值计算 立方晶相 六方晶相
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激光致溅射沉积Ge_2Sb_2Te_5薄膜的结晶行为研究 被引量:2
13
作者 刘波 阮昊 干福熹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期637-640,共4页
利用XRD研究了激光致溅射沉积Ge2Sb2Te5薄膜的结晶行为;研究发现,与热致相变不同的是,激光致相变只发生从非晶态到FCC晶态结构的转变,从FCC到HCP的结构转变不再发生,这有利于提高相变光盘的信噪比.Ge2Sb2... 利用XRD研究了激光致溅射沉积Ge2Sb2Te5薄膜的结晶行为;研究发现,与热致相变不同的是,激光致相变只发生从非晶态到FCC晶态结构的转变,从FCC到HCP的结构转变不再发生,这有利于提高相变光盘的信噪比.Ge2Sb2Te5薄膜的结晶程度受初始化功率和转速的影响. 展开更多
关键词 激光致溅射沉积 GE2SB2te5薄膜 结晶行为 激光致相变 X射线衍射 面心立方 光盘 相变光存储材料
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激光致晶态Ge_2Sb_2Te_5相变介质的光学常数 被引量:1
14
作者 刘波 阮昊 干福熹 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期479-483,共5页
利用椭偏仪和光谱仪研究了结晶程度对 Ge2 Sb2 Te5相变薄膜光学常数的影响 .当初始化仪转速固定时 ,随激光功率的增加 ,折射率基本随之减小 ,消光系数逐渐增大 ,透过率逐渐减小 ;当激光功率固定时 ,随转速的增大 ,折射率也随之增大 ,消... 利用椭偏仪和光谱仪研究了结晶程度对 Ge2 Sb2 Te5相变薄膜光学常数的影响 .当初始化仪转速固定时 ,随激光功率的增加 ,折射率基本随之减小 ,消光系数逐渐增大 ,透过率逐渐减小 ;当激光功率固定时 ,随转速的增大 ,折射率也随之增大 ,消光系数随之减小 ,透过率逐渐增加 .非晶态与晶态间的变换、薄膜微结构的变化 (包括原子间键合状态的变化 )以及薄膜内残余应力是影响 Ge2 Sb2 Te5相变薄膜复数折射率的主要原因 .测量了 CD- RW(可擦重写光盘 )中 Ge2 Sb2 展开更多
关键词 Ge2Sb2te5 光学常数 相变薄膜 折射率 消光系数 光存储介质
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四川石棉大水沟碲矿床未知矿物相“Bi_5Te”初步研究及讨论 被引量:1
15
作者 代鸿章 王登红 +1 位作者 王成辉 陈振宇 《黄金科学技术》 CSCD 2017年第5期11-17,共7页
四川石棉大水沟碲矿床是世界首例独立碲矿床,产出独特的Bi-Te矿物种类,在矿物学研究方面仍有许多可挖掘点。为进一步研究矿床中赋存的特殊Te-Bi矿物,通过电子探针分析,并结合背散射图像及元素面扫面分析,在矿区内发现一种可能为新矿物相... 四川石棉大水沟碲矿床是世界首例独立碲矿床,产出独特的Bi-Te矿物种类,在矿物学研究方面仍有许多可挖掘点。为进一步研究矿床中赋存的特殊Te-Bi矿物,通过电子探针分析,并结合背散射图像及元素面扫面分析,在矿区内发现一种可能为新矿物相的"Bi_5Te"。这种新成分不同于已知Bi-Te二端元已定名或已知成分,但由于矿物颗粒细小,不能排除为纳米尺度上已知Bi-Te矿物一定比例的混合,需要进一步开展高倍扫描电镜、透射电镜及微区XRD等分析,才能得到更加深入的认识。 展开更多
关键词 碲矿物 未知矿物相 “Bi5te 大水沟碲矿床 四川省
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Na掺杂P型Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3块状合金热电性能的研究
16
作者 胡孔刚 段兴凯 +3 位作者 满达虎 丁时锋 张汪年 林伟民 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第22期108-111,共4页
采用真空熔炼(1073 K,8 h)和热压烧结(733 K,1 h)制备了Na掺杂P型Bi0.5 Sb1.5 Te3热电材料,并在293~473 K范围内进行了电导率、塞贝克系数测试.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对样品的物相结构和表面形貌进行了表征.... 采用真空熔炼(1073 K,8 h)和热压烧结(733 K,1 h)制备了Na掺杂P型Bi0.5 Sb1.5 Te3热电材料,并在293~473 K范围内进行了电导率、塞贝克系数测试.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对样品的物相结构和表面形貌进行了表征.XRD分析表明,真空熔炼合成粉末和热压烧结块体材料的XRD图谱峰与Bi0.5Sb1.5-Te3的标准衍射图谱(01 089-4302)相对应,表明Na元素已经完全固溶到Bi0.5Sb1.5Te3晶体结构中,形成了单相固溶体合金.SEM分析说明,Bi0.Sb1.5xNax Te3热压块体材料在平行和垂直于热压方向的断面上都分布着大量的层片状结构.Na掺杂明显提高了Bi0.5Sb1.5Te3在室温附近的Seebeck系数,但降低了电导率.在实验掺杂浓度范围内,Na掺杂使P型Bi0.5 Sb1.5 Te3块体材料的功率因子均减小. 展开更多
关键词 BI0 5Sb1 5te3 掺杂 热电性能
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Ge_2Sb_2Te_5相变存储单元瞬态结晶过程研究
17
作者 王玉菡 康杰虎 +1 位作者 王玉婵 徐霞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期253-256,共4页
研究了基于Ge2Sb2Te5的相变存储器单元的瞬态结晶过程,并通过高频示波器捕捉了瞬态结晶过程的电压波形,发现了在结晶过程中瞬态波形存在振荡现象,且振荡频率随时间和脉高变化具有一定规律。结晶完成后振荡现象消失,单元电阻转变为稳定... 研究了基于Ge2Sb2Te5的相变存储器单元的瞬态结晶过程,并通过高频示波器捕捉了瞬态结晶过程的电压波形,发现了在结晶过程中瞬态波形存在振荡现象,且振荡频率随时间和脉高变化具有一定规律。结晶完成后振荡现象消失,单元电阻转变为稳定的低阻,通过相变存储器的场致导电通道结晶模型很好地解释了该瞬态结晶现象。 展开更多
关键词 Ge2Sb2te5 相变存储器 结晶 振荡
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Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变行为及其对光存储特性影响
18
作者 张庆瑜 都健 +1 位作者 潘石 吴世法 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期781-785,共5页
采用射频磁控溅射方法,在石英玻璃基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.X射线衍射分析表明:室温沉积的薄膜为非晶态;170℃真空退火后,薄膜转变为晶粒尺度约为17nm的面心立方结构;250℃退火导致晶粒尺度约为40nm的密排六方相出现.研究了室温至... 采用射频磁控溅射方法,在石英玻璃基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.X射线衍射分析表明:室温沉积的薄膜为非晶态;170℃真空退火后,薄膜转变为晶粒尺度约为17nm的面心立方结构;250℃退火导致晶粒尺度约为40nm的密排六方相出现.研究了室温至450℃下薄膜相变的热力学性能.差热分析显示:薄膜的非晶相向fcc相转变的相变活化能为(2.03±0.15)eV;fcc相向hex相转变的相变活化能为(1.58±0.24)eV.薄膜反射率测量表明:面心相与非晶相的反射率对比度随着波长从400nm增加到1000nm在15%~30%变化,六方相与非晶相的反射率对比度在30%~40%.不同脉冲宽度的激光对非晶态薄膜的烧蚀结果显示:激光的能量密度对薄膜的记录效果有显著影响,在5mW、50ns的脉冲激光作用下,Ge2Sb2Te5薄膜具有最好的光存储效果. 展开更多
关键词 GE2SB2te5薄膜 射频磁控溅射 相变 光学特性 激光辐照
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钛掺杂对Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变特性的改善(英文)
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作者 张颖 魏慎金 +5 位作者 易歆雨 程帅 陈坤 朱焕锋 李晶 吕磊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期658-662,共5页
利用椭偏光谱术与XRD对钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜中钛元素对体系的光学性质及其微结构的影响进行了实验研究.进而对该薄膜进行变温阻抗实验表明,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜与未掺杂的薄膜相比具有更好的热稳定性.基于对薄膜样品的数据保持能... 利用椭偏光谱术与XRD对钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜中钛元素对体系的光学性质及其微结构的影响进行了实验研究.进而对该薄膜进行变温阻抗实验表明,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜与未掺杂的薄膜相比具有更好的热稳定性.基于对薄膜样品的数据保持能力测试的实验数据,经阿伦纽斯外推处理可知,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜样品的10年数据保持温度要高于未掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜样品.本文的实验结果均证实,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜更适合应用于相变随机存取存储器中. 展开更多
关键词 钛掺杂Ge2Sb2te5薄膜 相变特性 热稳定性 数据保持能力
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Ge_2Sb_2Te_5薄膜光学性能和短波长静态记录特性的研究
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作者 方铭 李青会 干福熹 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期978-981,共4页
利用直流磁控溅射制备了单层Ge2 Sb2 Te5薄膜 ,研究了薄膜在 4 0 0~ 80 0nm区域的反射、透过光谱 ,计算了它的吸收系数 ,发现薄膜在 4 0 0~ 80 0nm波长范围内具有较强的吸收 随着薄膜厚度的增加 ,相应的禁带宽度Eg 也随之增加 对Ge2... 利用直流磁控溅射制备了单层Ge2 Sb2 Te5薄膜 ,研究了薄膜在 4 0 0~ 80 0nm区域的反射、透过光谱 ,计算了它的吸收系数 ,发现薄膜在 4 0 0~ 80 0nm波长范围内具有较强的吸收 随着薄膜厚度的增加 ,相应的禁带宽度Eg 也随之增加 对Ge2 Sb2 Te5薄膜光存储记录特性的研究发现 ,在5 14 .5nm波长激光辐照样品时 ,薄膜具有良好的写入对比度 ,擦除前后的反射率对比度在 6 %~18%范围内 展开更多
关键词 GE2SB2te5薄膜 光存储 反射率对比度 光学性能
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