用磁控溅射法将 NiTi 薄膜沉积在纯 Cu 箔片上,在 800℃分别固溶 30 min,45 min,60 min 和 120 min;采用X 射线傅氏线形分析法计算各固溶时间的位错密度及位错分布参量。随固溶时间的增加,平均位错密度不断下降; 亚晶粒尺寸 D 逐渐增加;...用磁控溅射法将 NiTi 薄膜沉积在纯 Cu 箔片上,在 800℃分别固溶 30 min,45 min,60 min 和 120 min;采用X 射线傅氏线形分析法计算各固溶时间的位错密度及位错分布参量。随固溶时间的增加,平均位错密度不断下降; 亚晶粒尺寸 D 逐渐增加; 平均位错分布参量基本不变。由位错密度及位错分布参量计算得到 NiTi 薄膜材料的显微硬度值,随固溶时间的增加,显微硬度计算值明显低于测量值。展开更多
文摘用磁控溅射法将 NiTi 薄膜沉积在纯 Cu 箔片上,在 800℃分别固溶 30 min,45 min,60 min 和 120 min;采用X 射线傅氏线形分析法计算各固溶时间的位错密度及位错分布参量。随固溶时间的增加,平均位错密度不断下降; 亚晶粒尺寸 D 逐渐增加; 平均位错分布参量基本不变。由位错密度及位错分布参量计算得到 NiTi 薄膜材料的显微硬度值,随固溶时间的增加,显微硬度计算值明显低于测量值。
