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用于X射线光刻掩模的纳米金刚石膜成核研究
被引量:
1
1
作者
李东辉
刘志凌
+2 位作者
叶甜春
陈大鹏
吕反修
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期887-894,共8页
介绍了金刚石膜在下一代X射线光刻掩模中应用的必要性;通过调节衬底温度,改变生长时间、控制甲烷浓度等工艺措施,实验研究了不同参数对成核密度及成核质量的影响,获得了高密度形核的样品;对形核后的预生长期进行了工艺优化,有效地控制...
介绍了金刚石膜在下一代X射线光刻掩模中应用的必要性;通过调节衬底温度,改变生长时间、控制甲烷浓度等工艺措施,实验研究了不同参数对成核密度及成核质量的影响,获得了高密度形核的样品;对形核后的预生长期进行了工艺优化,有效地控制了核岛的优势生长,总结出了一套优化的形核方案,即甲烷浓度4%,衬底温度700℃,形核时间14min;这套工艺不仅改善了自支撑金刚石薄膜窗口的光学性能,还有效地降低了膜的内应力。
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关键词
成核
金刚石薄膜
MPCVD
x射线光刻掩模
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职称材料
题名
用于X射线光刻掩模的纳米金刚石膜成核研究
被引量:
1
1
作者
李东辉
刘志凌
叶甜春
陈大鹏
吕反修
机构
中国科学院微电子所
北京科技大学材料系
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期887-894,共8页
文摘
介绍了金刚石膜在下一代X射线光刻掩模中应用的必要性;通过调节衬底温度,改变生长时间、控制甲烷浓度等工艺措施,实验研究了不同参数对成核密度及成核质量的影响,获得了高密度形核的样品;对形核后的预生长期进行了工艺优化,有效地控制了核岛的优势生长,总结出了一套优化的形核方案,即甲烷浓度4%,衬底温度700℃,形核时间14min;这套工艺不仅改善了自支撑金刚石薄膜窗口的光学性能,还有效地降低了膜的内应力。
关键词
成核
金刚石薄膜
MPCVD
x射线光刻掩模
Keywords
nucleation
diamond film
MPCVD
x
-ray lithography mask
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于X射线光刻掩模的纳米金刚石膜成核研究
李东辉
刘志凌
叶甜春
陈大鹏
吕反修
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
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职称材料
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