X射线存储材料Si^(4+)掺杂BaFBr:Eu^(2+)中电子陷阱的研究(英文)

在BaFBr:Eu2 + 中掺入Si4+ 合成了一种新的X射线影像板材料 ,其主要光激励发光 (PSL)性能 ,如射线敏感度和长波可激发性都优于低价阳离子掺杂的BaFBr∶Eu2 + 。用喇曼和顺磁共振 (EPR)等手段表征了掺Si4+ 后BaFBr∶Eu2 + 中电子陷阱的结构 ,并根据此结构解释了其激发波长的红移量比其它低价阳离子掺杂都高的原因。

X射线影像存储材料BaF_xCl_（2－x）Eu^（2＋）的制备及其热释发光和

本文采用了不同温度下两次烧结的新方法，制备了系列Ｘ射线影象存储材料ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）（ｘ＝０．９０，０．９５，１．００，１．０５，１．１０１．１５）。通过改变Ｆ／Ｃｌ比值，研究了在Ｘ射线辐照后ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）的热释发光性质，给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系。最后，我们研究了ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）的光激励发光性质，给出了Ｆ／Ｃｌ比值与光激励发光强度的关系。