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非晶硒合金膜的制备方法研究
被引量:
2
1
作者
孔玮曼
张斌
温婷婷
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第7期52-55,共4页
基于传统工艺,新研制开发了一套非晶硒合金膜制备的设备和工艺流程。实验采用高真空电阻加热蒸镀方法,已制备出面积为180mm×180mm的非晶硒合金膜并进行了基本特性检测。测试结果表明:所制备的膜非晶化程度高,厚度最大为90μm,厚度...
基于传统工艺,新研制开发了一套非晶硒合金膜制备的设备和工艺流程。实验采用高真空电阻加热蒸镀方法,已制备出面积为180mm×180mm的非晶硒合金膜并进行了基本特性检测。测试结果表明:所制备的膜非晶化程度高,厚度最大为90μm,厚度分布比较均匀,相对误差在10%以内。所制备的膜满足光电转换膜的基本特性要求。
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关键词
半导体技术
非晶硒
x射线平板探测仪
热蒸镀
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职称材料
题名
非晶硒合金膜的制备方法研究
被引量:
2
1
作者
孔玮曼
张斌
温婷婷
机构
威盛电子(中国)有限公司研发部
清华大学核能与新能源技术研究院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第7期52-55,共4页
文摘
基于传统工艺,新研制开发了一套非晶硒合金膜制备的设备和工艺流程。实验采用高真空电阻加热蒸镀方法,已制备出面积为180mm×180mm的非晶硒合金膜并进行了基本特性检测。测试结果表明:所制备的膜非晶化程度高,厚度最大为90μm,厚度分布比较均匀,相对误差在10%以内。所制备的膜满足光电转换膜的基本特性要求。
关键词
半导体技术
非晶硒
x射线平板探测仪
热蒸镀
Keywords
semiconductor technology
amorphous selenium
x
-ray flat panel detector
thermal evaporation deposition
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非晶硒合金膜的制备方法研究
孔玮曼
张斌
温婷婷
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
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职称材料
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