快速生长的TGS晶体缺陷的X射线形貌术研究

本文用 X 射线形貌术研究了生长速度不同的 TGS 晶体的缺陷,得到了与浸蚀法一致的结果;比较发现,快速生长的 TGS 晶体中缺陷密度较高;并对缺陷的性质和形成原因进行了讨论。文章还指出了快速生长的晶体与正常晶体性能间的差别主要是由于晶体中缺陷密度的不同引起的。

同步辐射X射线形貌术在晶体生长和缺陷研究中的应用

本文介绍了同步辐射光源的特点 ,以及在应用于X射线形貌术时带来的各种好处。并通过介绍在北京同步辐射装置上所做的若干实验成果 ,扼要叙述了同步辐射X射线形貌术在晶体缺陷研究和晶体生长中的应用。

同步辐射X射线形貌术在宝石学中的应用

简要介绍了X射线衍射形貌术实验技术及北京同步辐射实验室形貌站的实验技术。通过举例,扼要叙述了同步辐射X射线形貌术在宝石级晶体缺陷研究中的应用。

同步辐射X射线形貌术在晶体生长和缺陷研究中的应用

本文介绍了同步辐射光源的特点，以及在应用于X射线形貌术时带来的各种好处。并通过介绍在北京同步辐射装置上所做的若干实验成果，扼要叙述了同步辐射X射线形貌术在晶体缺陷研究和晶体生长中的应用。

X射线衍射形貌术在碲锌镉晶体中的应用

碲锌镉晶体中存在着各种典型晶体缺陷,X射线衍射形貌术是一种非破坏性地整体研究晶体材料结构完整性、均匀性的有效方法。本文将反射式X射线衍射形貌术应用于碲锌镉晶体质量的评价,研究了入射线狭缝宽度、积分时间、扫描步长等测试参数以及样品表面加工状态对X射线衍射形貌的影响。结果表明入射线狭缝宽度对碲锌镉晶体的X射线衍射成像及晶体质量筛选应用影响很大,积分时间、样品扫描步长等测试参数的选择与入射线狭缝宽度密切相关。

碲锌镉小角晶界的反射式X射线衍射形貌

碲锌镉晶体中存在着各种晶体缺陷,其中小角晶界是制约碲锌镉晶体质量的主要晶体缺陷之一。X射线衍射形貌术是一种非破坏性地全面研究小角晶界缺陷的有效方法。采用反射式X射线衍射形貌术对碲锌镉衬底的小角晶界缺陷进行了研究,讨论了小角晶界类型、样品扫描方向以及入射线发散度等对小角晶界缺陷的X射线衍射形貌的影响。为全面获得小角晶界缺陷的衍射形貌,应尽量选择宽的入射线狭缝,对于对称倾侧晶界和扭转晶界,应分别平行和垂直于小角晶界方向扫描。

碲锌镉晶体的X射线衍射形貌与腐蚀形貌

碲锌镉晶体中存在着各种典型晶体缺陷,其缺陷研究一直倍受关注,X射线衍射形貌术是一种非破坏性地研究晶体材料结构完整性、均匀性的有效方法.采用反射式X射线衍射形貌术对碲锌镉衬底的质量进行了研究,并将衬底的X射线衍射形貌与Everson腐蚀形貌进行了对比分析,碲锌镉衬底的X射线衍射形貌主要有六种特征类型,分别对应不同的晶体结构或缺陷,包括均匀结构、镶嵌结构、孪晶、小角晶界、夹杂、表面划伤,对上述特征类型进行了详细的分析.目前,衬底的X射线衍射形貌主要以均匀结构类型为主,划伤和镶嵌结构缺陷基本已消除,存在的晶体缺陷主要以小角晶界为主.通过对比分析碲锌镉衬底和液相外延碲镉汞薄膜的X射线衍射形貌,发现小角晶界等晶体结构缺陷会延伸到外延层上,碲锌镉衬底质量会直接影响碲镉汞外延层的质量,晶体结构完整的衬底是制备高质量碲镉汞外延材料的基础.

天然金刚石晶体中层错的X射线形貌研究

利用 X射线形貌术 Lang法对辽南天然金刚石晶体中层错进行了研究 ,详细讨论其层错类型 ,确定层错面及其矢量。

辽宁天然金刚石晶体缺陷的X射线形貌研究

本文利用透射X射线衍射形貌术研究辽宁天然金刚石晶体缺陷的问题。实验结果表明,金刚石晶体中存在有位错、亚结构及包裹体等缺陷。

利用同步辐射形貌术研究晶体缺陷的实验方法探讨

利用同步辐射 X射线形貌术研究晶体缺陷 ,是近年来发展起来的一种优良的实验方法 .本文在研究LNP等晶体缺陷的同时 ,对这种实验方法进行了系统的探讨 ,讨论了散射光的消除、焦距的选择、样品的透明度与厚度、曝光的时间、底片的冲洗等问题 。

基于XRT的晶圆检测技术进展

随着晶体管和激光器的发明和发展,工业上对高质量单晶体的需求量大幅度增长。单个集成电路中器件密度在逐渐增加,需要晶圆在组成、组分和晶体结构上高度均匀。X射线形貌术(XRT)是一种能够对完整晶圆的表面及内部进行无损检测的技术,从20世纪中后期就开始用于硅等传统半导体材料生产的质检环节中,并在近年来初步应用在碳化硅、氮化镓等新一代半导体晶圆的检测。同时,XRT在X光管、准直系统和探测器技术以及仿真方法上取得了许多进步和突破。本文旨在介绍近年来基于XRT的晶圆检测原理方法、技术进展和应用。

非线性光学晶体CBO的缺陷形貌分析

以碳酸铯和硼酸为原料采用泡生法生长出三硼酸铯 (化学式CsB3 O5,简称CBO)晶体 ,首次报道了利用同步辐射白光X射线形貌术对CBO晶体的 (0 0 1)面、(0 10 )面和 (10 0 )面进行了观察。观察结果表明 ,CBO晶体的主要缺陷是生长层。缺陷形成的原因是晶体生长炉内热流的非稳态对流和温度振荡导致晶体的微观生长率随时间变化 。

YVO_4晶体缺陷分析

运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4 的结构和缺陷行为 ,也观测了YVO4 晶体 (0 0 1)、(10 0 )面的缺陷。发现在 (0 0 1)面出现应力生长区、沿 [10 0 ]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构。运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑 ,证明晶体为四方晶系。确定了小角晶界是引起多晶的主要原因。

γ-LiAlO_2晶体的生长缺陷研究

γ LiAlO2 晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料 ,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2 晶体的缺陷。结果表明 ,提拉法生长的γ LiAlO2 晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界。并发现在其 (10 0 )晶片上的腐蚀形貌两面有较大差异。

Nd:LuVO_4晶体缺陷的研究

采用提拉法生长的Nd:LuVO4 晶体是一种适合二极管泵浦的新型激光晶体,运用化学腐蚀结合光学显微术和同步辐射白光X射线形貌术对Nd:LuVO4 晶体缺陷进行观察,结果表明:晶体的主要缺陷为位错和小角晶界。利用高分辨X射线衍射仪进一步验证了这一结果。并初步讨论了缺陷形成的原因。

高温相偏硼酸钡(α-BaB_2O_4)晶体的缺陷行为分析

运用同步辐射X射线白光形貌研究了α BaB2 O4 晶体内部的完整性 ,并分析了α BaB2 O4 晶体的缺陷行为及缺陷形成原因。在 (0 0 1)面发现生长扇界和亚晶界 ,而在 (10 0 )面和 (12 0 )面分别观察到了位错、位错簇以及针状包裹体。使用双晶衍射实验发现在 (0 0 1)面有生长条纹 ,这些生长条纹呈环形 ,该条纹与熔体中温度波动而导致的生长速率波动有关。运用白光形貌拍摄到高清晰的劳埃斑 。

LBO晶体缺陷的研究

本文报道利用光学显微法和同步辐射白光 X射线形貌术对非线性光学晶体 LBO缺陷的研究结果。利用光学显微法观测 ,得到多个面不同形态的位错蚀坑和小角度晶界 ;利用同步辐射白光 X射线形貌术拍摄出晶体薄片的形貌照片 ,观测到密集的位错以及包裹物的衍射花样。

KTiOAsO4晶体的生长缺陷研究

研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷，对于改善它的性能和应用前景，有很大的意义。本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷，实验结果表明，两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著，KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物。讨论了这些缺陷形成的原因。