碲镉汞小晶片中缺陷的X射线形貌相检测

用X射线劳厄透射形貌术拍摄了用于制备多元线列探测器的碲镉汞小晶片的形貌相,观察到在碲镉汞小晶片中存在的各种晶体缺陷,如晶格扭曲、亚晶块、滑移线和其它缺陷。结合晶片扭曲和滑移的模型,分析了小晶片的受力状况。实验表明,在普通的X射线光源上,用劳厄透射形貌术能以20μm的分辨率无损检测用于制备多元线列探测器的碲镉汞小晶片中的晶体缺陷;在不良的器件工艺中,小晶片的晶格会受到明显的损伤,严重地影响了小晶片的电学参数和多元线列探测器的性能。

Fe—3wt—％Si合金氢损伤的X射线形貌照相法研究

采用Lange式透射X射线形貌照相法研究了电解充氢导致Fe-3wt-％Si单晶中氢损伤的规律。结果表明:在不加毒化剂的1mol/LH_2SO_4中电解充氢时,不产生氢损伤;在有毒化剂时,即使电流密度很低,也会产生氢损伤。在一定电流密度下产生的氢损伤有一极限大小,并不随充氢时间增加而无限止长大。随电流密度增加,氢损伤尺寸增大,但当电流密度较大时,这种增大不明显。外应力显著促进氢损伤。在含毒化剂时,氢渗透曲线随时间延长而下降是由于产生了氢损伤所致。

变温循环热处理对液相外延Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料晶体质量的影响

采用X射线衍射双晶回摆曲线半峰宽(FWHM)、反射式X射线形貌相和腐蚀坑密度(EPD)技术对开管变温热处理前后的液相外延(LPE)Hg1-xCdxTe薄膜材料晶体质量进行了研究。变温循环热处理能有效减小液相外延Hg1-xCdxTe薄膜材料的FWHM、释放材料中的应力、减少材料的腐蚀坑密度,说明变温循环热处理是一种简单而有效的改善Hg1-xCdxTe薄膜材料晶体质量的方法。