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微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究
被引量:
3
1
作者
周炳卿
刘丰珍
+3 位作者
朱美芳
周玉琴
吴忠华
陈兴
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期2422-2427,共6页
采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积一系列处于不同生长阶段的微晶硅薄膜.通过同步辐射X射线掠角反射技术研究微晶硅薄膜的表面粗糙度随时间等的演化,探讨微晶硅薄膜的生长动力学过程及其生长机制.研究结果表明,在衬底温度为200℃,...
采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积一系列处于不同生长阶段的微晶硅薄膜.通过同步辐射X射线掠角反射技术研究微晶硅薄膜的表面粗糙度随时间等的演化,探讨微晶硅薄膜的生长动力学过程及其生长机制.研究结果表明,在衬底温度为200℃,电极间距为2cm,沉积气压为6.66×102Pa,射频功率密度为0.22W/cm2,氢稀释度分别为99%和98%的沉积条件下,在玻璃衬底上生长的微晶硅薄膜生长指数β分别为0.21±0.01和0.24±0.01.根据KPZ模型,微晶硅薄膜的生长机制为有限扩散生长.
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关键词
x射线掠角反射
微晶硅薄膜
表面粗糙度
生长机制
原文传递
题名
微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究
被引量:
3
1
作者
周炳卿
刘丰珍
朱美芳
周玉琴
吴忠华
陈兴
机构
内蒙古师范大学物理与电子信息学院
中国科学院研究生院物理科学学院
中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期2422-2427,共6页
基金
国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028208)
中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室开放课题基金
+1 种基金
国家自然科学基金(批准号:50662003)
内蒙古自治区自然科学基金(批准号:200308020104)资助的课题.~~
文摘
采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积一系列处于不同生长阶段的微晶硅薄膜.通过同步辐射X射线掠角反射技术研究微晶硅薄膜的表面粗糙度随时间等的演化,探讨微晶硅薄膜的生长动力学过程及其生长机制.研究结果表明,在衬底温度为200℃,电极间距为2cm,沉积气压为6.66×102Pa,射频功率密度为0.22W/cm2,氢稀释度分别为99%和98%的沉积条件下,在玻璃衬底上生长的微晶硅薄膜生长指数β分别为0.21±0.01和0.24±0.01.根据KPZ模型,微晶硅薄膜的生长机制为有限扩散生长.
关键词
x射线掠角反射
微晶硅薄膜
表面粗糙度
生长机制
Keywords
grazing incidence
x
-ray reflectivity, microcrystalline silicon film, surface roughness, growth mechanism
分类号
O484.41 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究
周炳卿
刘丰珍
朱美芳
周玉琴
吴忠华
陈兴
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
原文传递
已选择
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