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纳米催化剂Pt/C的X射线衍射线形分析 被引量:2
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作者 樊志剑 陈波 +6 位作者 夏庆中 胡胜 彭梅 李建 孙良卫 罗阳明 黎光武 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1147-1154,共8页
X射线衍射线形与晶体材料的微观结构密切相关.在晶粒尺寸衍射线形和微应变衍射线形可由Voigt函数近似描述的前提下,本文较详细地论述了由X射线衍射线形分析获取晶粒尺寸和位错等微观结构信息的方法.采用这种方法,对乙二醇还原法制备的P... X射线衍射线形与晶体材料的微观结构密切相关.在晶粒尺寸衍射线形和微应变衍射线形可由Voigt函数近似描述的前提下,本文较详细地论述了由X射线衍射线形分析获取晶粒尺寸和位错等微观结构信息的方法.采用这种方法,对乙二醇还原法制备的Pt/C催化剂进行了X射线衍射线形分析.样品晶粒尺寸分布的对数正态均值为0.95 nm,对数正态方差为0.37.X射线衍射线形分析所得晶粒尺寸分布与透射电镜的测试结果符合较好.对样品的衍射线形积分宽度进行细致的比较,发现存在各向异性展宽现象.如果衍射线的各向异性展宽主要是由伯格斯矢量为1/2〈110〉的位错引起,可进一步计算位错密度值.结果表明,位错组态无论是螺型位错还是刃型位错,位错密度值的量级均约为1015/m2. 展开更多
关键词 PT/C x射线衍射线形分析 晶粒尺寸 各向异性微应变 位错
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X射线衍射线形Fourier变换
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作者 刘刚 梁志德 卢柯 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期109-112,共4页
采用计算机辅助实验技术,研究X射线衍射线形在仪器宽化修正过程中Fourier系数变化的规律及其影响 .结果表明,只要实测线形接近 Gauss分布,Fourier变换就会导致弯勾效应; Fourier变换可引起真实线形的... 采用计算机辅助实验技术,研究X射线衍射线形在仪器宽化修正过程中Fourier系数变化的规律及其影响 .结果表明,只要实测线形接近 Gauss分布,Fourier变换就会导致弯勾效应; Fourier变换可引起真实线形的尾部波动及大于实际值的宽化,引入边界条件可予以消除:Ka双线线形经过 Fourier变换后,Fourier系数与真实 Fourier系数存在着一定的差异,通过真实线形的 Fourier变换可以修正. 展开更多
关键词 x射线衍射线形 FOURIER变换 Fourier系数精修 纳米材料
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铜薄膜微结构的X射线衍射线形分析
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作者 龙梦龙 庞娜 陈冷 《理化检验(物理分册)》 CAS 2012年第8期508-511,共4页
首先采用真空蒸镀法制备了不同厚度的铜薄膜,并对薄膜进行了退火处理;然后用X射线衍射仪测定铜薄膜的衍射谱,最后采用线形分析法对衍射谱进行计算,得到了不同厚度铜薄膜退火前后的晶粒尺寸和微应变。结果表明:真空蒸镀铜薄膜晶粒尺寸随... 首先采用真空蒸镀法制备了不同厚度的铜薄膜,并对薄膜进行了退火处理;然后用X射线衍射仪测定铜薄膜的衍射谱,最后采用线形分析法对衍射谱进行计算,得到了不同厚度铜薄膜退火前后的晶粒尺寸和微应变。结果表明:真空蒸镀铜薄膜晶粒尺寸随薄膜厚度的增加而增大,微应变随薄膜厚度的增加而减小;退火处理后薄膜晶粒明显长大,薄膜微应变在退火处理后明显减小。 展开更多
关键词 铜薄膜 x射线衍射线形分析 晶粒尺寸 微应变
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基于X射线衍射线形分析的铝合金切削表层晶体特征研究 被引量:2
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作者 安增辉 李舜酩 付秀丽 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第21期2632-2638,共7页
为深入研究高速高效加工条件下材料表层晶体特征形成机理,提高铝合金构件服役性能,同时解决传统观察法较难得出晶粒尺寸与位错密度统计学规律的问题,立足微观,以铝合金7050-T7451为研究对象,将材料学与物理学中基于X射线衍射线形分析的M... 为深入研究高速高效加工条件下材料表层晶体特征形成机理,提高铝合金构件服役性能,同时解决传统观察法较难得出晶粒尺寸与位错密度统计学规律的问题,立足微观,以铝合金7050-T7451为研究对象,将材料学与物理学中基于X射线衍射线形分析的Modified Warren-Averbach和Modified Williamson-Hall方法引入切削加工表层微观组织分析中,实现了不同切削速度下切削表层微观组织结构的定量研究。研究表明,高速切削条件下已加工表面以刃位错为主,得出了位错密度值(高达1015 m-2以上)与位错密度变化规律,并从塑性变形及能量角度解释了其形成机理;拟合出了晶粒尺寸分布曲线,并通过分布函数分析了已加工表面晶粒分布均匀性;当切削速度高于4500m/min时可以得到位错密度相对较低、晶体尺寸较均匀的已加工表面。 展开更多
关键词 位错密度 晶粒尺寸 高速切削 x射线衍射线形分析 表面质量
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用XRD线形分析法表征TiC粉体中的镶嵌尺寸与晶格畸变 被引量:2
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作者 陈霞 李晨辉 《硬质合金》 CAS 北大核心 2009年第2期106-109,共4页
采用XRD线形分析(双Voigt函数)法对球磨行星96h的TiC粉和纳米TiC粉中的镶嵌尺寸和晶格畸变进行了对比分析和表征,并采用TEM法印证。研究结果表明,球磨粉的平均镶嵌尺寸大约为纳米粉的40%,而球磨粉的平均晶格畸变大约为纳米粉的5倍。TEM... 采用XRD线形分析(双Voigt函数)法对球磨行星96h的TiC粉和纳米TiC粉中的镶嵌尺寸和晶格畸变进行了对比分析和表征,并采用TEM法印证。研究结果表明,球磨粉的平均镶嵌尺寸大约为纳米粉的40%,而球磨粉的平均晶格畸变大约为纳米粉的5倍。TEM的分析结果与XRD表征结果相吻合。 展开更多
关键词 x射线衍射线形分析 镶嵌尺寸 晶格畸变
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