液相外延生长Hg_（1－x）Cd_xTe薄膜及其特性分析

报道了用液相外延技术生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法．结果表明Ｈｇ气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响．由Ｘ射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份，由红外透射光谱确定外延层组份的纵向分布．

超低膨胀陶瓷K_（2x）Ba_（1－x）Zr_4（PO_4）_6系统的X射线衍射

用高温Ｘ射线衍射方法对磷酸锆钡钾系统陶瓷材料的各向异性热膨胀作了研究．对七个组份试样的７７套高温Ｘ射线衍射图作了仔细的指标化和精密点阵常数测定．点阵常数随温度作非线性变化·对Ｋ_２ｘＢａ_１－ｘＺｒ_４（ＰＯ_４）_６的不同组份不同温度（３００～１３００Ｋ）的热膨胀系数。α_ａ、α_ｃ、 作了测定·该系统零膨胀陶瓷的组份为Ｋ_１．１６Ｂａ_０．４２Ｚｒ_４（ＰＯ_４）_６（ｘ＝０．５８）

X射线影像存储材料BaF_xCl_（2－x）Eu^（2＋）的制备及其热释发光和

本文采用了不同温度下两次烧结的新方法，制备了系列Ｘ射线影象存储材料ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）（ｘ＝０．９０，０．９５，１．００，１．０５，１．１０１．１５）。通过改变Ｆ／Ｃｌ比值，研究了在Ｘ射线辐照后ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）的热释发光性质，给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系。最后，我们研究了ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）的光激励发光性质，给出了Ｆ／Ｃｌ比值与光激励发光强度的关系。

电光、热释电材料KTa_（1－x）Nb_xO_3的制备、性能及应用

介绍了电光、热释电材料ＫＴａ＿（１－ｘ）Ｎｂ＿ｘＯ＿３单晶、陶瓷、薄膜的制备方法，以及所制备材料的性能和应用。分析了其研究现状，简要论述了其发展趋势。

ZrCr_（2－x）Fe_x合金表面性质及中毒研究

利用ＸＰＳ研究了ＺｒＣｒ＿（２－ｘ）Ｆｅ＿ｘ（ｘ＝１．２，１．４，１．６）的表面组分及化学态，结果表明Ｚｒ在表面偏析，以ＺｒＯ＿２形式存在，而Ｆｅ和Ｃｒ以金属态存在于次表示。用１０１．３５ｋＰａ空气对ＺｒＣｒ＿（２－ｘ）Ｆｅ＿ｘ抗中毒性质进行了研究，发现抗中毒性质随铁含量的增加而增大，当时，抗中毒性质与此相反。

SrTi_（1－x）Sn_xO_3的水热合成与结构研究

采用水热晶化法合成出ＳｒＴｉ_（１－ｘ）Ｓｎ_ｘＯ_３系列化合物，并对其结构进行了表征。结果表明，随着Ｓｎ含量的增加，产物的晶胞体积增大，红外吸收谱带发生劈裂，并向高波数方向移动；ＳｒＴｉ_（１－ｘ）Ｓｎ_ｘＯ_３化合物粒度较小，其中常含有少量有机物和吸附水，可以Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为Ｔｉ源直接合成。

Si_（1－x）Ge_x／Si定向耦合器的研制

在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数的基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ（ｘ＝０．０５）单模定向耦合器．在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦合效率达到９８．１％

X射线辐照下BaF_xCl_（2－x）：Eu^（2＋）的热释发光性质

本文研究了在不同温度下，经互射线辐照后ＢａＦｘＣｌ２－ｘ：ＥＵ２＋的热释发光性质．给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系，讨论了两种温度辐照下，ＢａＦｘＣｌ２－ｘ：Ｅｕ２＋（Ｘ＝０．９０，…，１．１５）热释发光产生差异的原因．

应用量子化学研究Ca_2Fe_（2-x）Al_xO_5的水化活性

用量子化学ＳＣＣ—ＤＶ—Ｘａ方法分析了Ｃａ_２Ｆｅ_（２-ｘ）ＡｌｘＯ_５体系中的Ｃａ_２Ｆｅ_２Ｏ_５（即Ｃ_２Ｆ），Ｃａ_２Ｆｅ_（１．４３）Ａｌ_（０．５７）Ｏ_５和Ｃａ_２Ｆｅ_（１．２８）Ａｌ_（０．７２）Ｏ５．认为它们的水化活性随Ａｌ的增加而提高的原因是：（１）Ａｌ的净电荷比Ｆｅ高，易吸收水分子的孤对电子；（２）Ａｌ-Ｏ键比Ｆｅ-Ｏ键弱，易断裂而容易与水反应．

BRIDGMAN—Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长时场量数值分析的进展

综述近十余年来关于Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ（１－ｘ）ＣｄｘＴｅ晶体生长过程中场量的数值分析工作，评价一般Ｂｒｉｄｇｍａｎ系统的数值分析，总结和归纳计算模型及边界条件处理方法，指出存在的问题及今后应开展的研究工作．

射频反应溅射Ge_xC_（1－x）薄膜的特性

射频反应溅射Ｇｅ_ｘＣ_（１－ｘ）薄膜的特性刘正堂，朱景芝，许念坎，郑修麟（西北工业大学材料科学与工程系，西安，７１００７２）［摘要］通过在Ａｒ＋ＣＨ４气体中的射频反应溅射法制备出ＧｅｘＣ（１－ｘ）薄膜。利用俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射、光度计及硬度测定等...

LaAlO_3衬底上磁控溅射的大面积YBa_2Cu_3O_（7－x）薄膜微观组织

用分析电镜和高分辨电镜对在３０ｍｍ×３０ｍｍＬａＡｌＯ３衬底上，采用中空柱状阴极直流磁控溅射的高ＪｃＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（ＹＢＣＯ）薄膜的微观组织结构进行了研究。薄膜为ｃ轴取向ＹＢＣＯ，含有少量Ｙ２ＢａＣｕＯ５颗粒和纺锤状Ｙ２Ｏ３。膜内主要晶体缺陷为［００１］刃位错和螺位错、堆垛层错、（００１）晶面弯曲带、小于１５ｎｍ的晶格畸变区和阳离子空位。ＬａＡｌＯ３衬底表面呈阶梯状并有小坑。衬底表面第一层膜原子为ＣｕＯ和ＣｕＯ２层，以致在界面形成ＢａＣｕＯ２和ＹａＢａＣｕ２Ｏ５相。ＬａＡｌＯ３衬底表层有较多位错，对薄膜外延生长和缺陷的形成有明显影响。

短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料进行了表征。

掺CdS_xSe_（1－x）玻璃波导分布反馈光学双稳器件

本文给出了掺ＣｄＳ_ｘＳｅ_(１－ｘ)玻璃平面波导分布反馈（ＤＦＢ）光学双稳器件的设计和制备方法，实现了低功耗、快速的本征光学双稳。

BaFCl_xBr_（1－x）：Sm的发光研究

本文报道了ＢａＦＣｌｘＢｒ１－ｘ：Ｓｍ中Ｓｍ２＋、Ｓｍ３＋的光致发光、光激励发光和热释发光特征．讨论了基质组分对发光的影响及Ｓｍ２＋、Ｓｍ３＋的相对发光效率．发现Ｓｍ２＋的复合发光能力大于Ｓｍ３＋的复合发光能力，并从复合发光的过程及途径对这一现象进行了说明．

纳米晶Ba_（1－x）Pb_xTiO_3的合成与表征

以醋酸铅、硬脂酸钡和钛酸丁酯为原料，用硬脂酸凝胶法（ＳＡＧ）合成了粒度均匀、粒径１０－２０ｎｍ的Ｂａ（１－ｘ）ＰｂｘＴｉＯ３纳米晶粉末．利用红外光谱（ＩＲ）、热重（ＴＧ）和差热分析（ＤＴＡ）研究了纳米晶粉末的合成过程．用ＴＥＭ、ＸＲＤ观察和研究纳米晶的形貌及晶体结构，并用发射光谱测定样品的纯度．

LaNi_（5－x）Al_x贮氢合金的研究

用Ａｌ置换ＬａＮｉ５贮氢合金中部分Ｎｉ，得到一系列ＬａＮｉ（５－ｘ）Ａｌｘ（ｘ＝０．１，０．３，０．５）贮氢合金．通过对合金的热力学性能的测试可知：随着Ａｌ的加入及其含量的增加，贮氢合金的平台氢压降低，吸氢量有所减少，而吸氢速度有所增加．通过对合金及吸氢后氢化物品体结构的Ｘ射线衍射分析，发现Ａｌ的加入并未使晶体结构类型发生变化，只是晶格常数略有增加；同时还证明了ＬａＮｉ（５－ｘ）Ａｌｘ合金吸氢后其晶体结构也未发生变化，但晶格常数增加较大．

金属间化物（Sm_（1－x）Y_x）_2Fe_（17）N_y中的各向异性机制探讨

通过Ｘ射线衍射和穆斯堡尔谱等手段研究金属间化物（Ｓｍ１－ｘＹｘ）２Ｆｅ１７Ｎｙ中的各向异性产生机制。结果表明，（１）Ｓｍ次格子的单轴各向异性较强，对总的各向异性贡献起主导机制；（２）Ｎ原子的占位与自旋磁结构密切相关，而与晶体结构无关，Ｎ原子的双重占位导致单轴各向异性；（３）Ｙ原子的择优占位导致晶体结构的变化，而对各向异性影响较小。

K_2NiF_4型结构的A_（2－x）Sr_xBO_4（A＝La，Dy，B＝Mn，Fe，Co，Ni）希土复合氧化物的合成

以典型的轻希土镧和重希上镝及碱土金属锶作为Ａ位离子，以过渡金属锰、铁、钴、镍作为Ｂ位离子，合成了Ｋ２ＮｉＦ４型结构的Ａ２－ｘＳｒｘＢＯ４希土复合氧化物．采用粉末Ｘ射线衍射技术考察了反应条件等因素对生成Ｋ２ＮｉＦ４型四方（Ｔ）结构相的影响．实验结果表明，四方结构的形成不仅与几何因素有关，而且与各组分的物理化学性质有关．各个不同的组成，生成四方相的温度范围也有所不同．适当地提高反应温度以及延长灼烧时间总是有利于高结晶态的Ｋ２ＮｉＦ４型结构相的形成．值得注意的是，过高的合成反应温度反而会引起四方结构的不稳定性以致破坏．

金属间化物（Sm_（1－x）Dy_x）_2Fe_（17）N_y中的各向异性机制探讨

本文主要通过变温穆斯堡尔谱等手段研究金属间化物（Ｓｍ（１－ｘ）Ｄｙｘ）２Ｆｅ（１７）Ｎｙ（ｘ＝０．４；２＜ｙ＜３）的自旋重取向现象，进而对其中的各向异性产生机制进行分析。由实验结果得出Ｄｙ次格子的单轴各向异性较强，导致在１５０Ｋ～１００Ｋ较低温度下出现自旋重取向现象。