50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计

X射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点,比如其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等,更为重要的是,其技术已经比较成熟。对于 100nm 同步辐射 X 射线光刻系统而言,它采用的波长通常为 0.7—1.0nm,而当光刻分辨率达到 50nm 以下时,采用的同步辐射 X 射线波长范围应该为 0.2—0.4 nm。探讨了在北京同步辐射 3B1A 光刻束线上进行 50nm X 射线光刻的可能性。

深亚微米X射线光刻模拟软件XLSS1.0

介绍了一套自行研制的深亚微米同步辐射X射线光刻模拟软件———XLSS1 0。该软件基于面向对象技术,采用束衍生法及快速傅里叶变换相结合的方法来研究X射线掩模中吸收体的光导波效应,对光刻胶表面空间光强分布及光刻胶剖面进行了精确模拟计算,发现模拟结果与实验结果吻合很好,且模拟结果的特征尺寸宽度与实验结果的特征尺寸宽度误差小于±10%。

深亚微米同步辐射x射线光刻模拟

用束衍生法研究了深亚微米同步辐射 x射线光刻中掩模吸收体的光导波效应 ,并对 x射线光刻后的光刻胶剖面进行了理论计算。采用面向对象技术 ,研制了一个取名为 XLLS1 .0的模拟软件。