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X45NiCrMo4钢锻轧材退火组织对硬度的影响 被引量:6
1
作者 刘宗昌 赵鸣 +1 位作者 高占勇 邵淑艳 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期9-11,24,共4页
研究了德国 X45Ni Cr Mo4工具钢锻轧材软化退火的组织对硬度的影响。若要将硬度降低到 2 1 5~ 2 30 HB,采用锻轧后高温回火来实现退火软化是十分困难的。因为高温回火时铁素体再结晶困难 ,得到的组织特别细小 ,硬度居高不下。而在临界... 研究了德国 X45Ni Cr Mo4工具钢锻轧材软化退火的组织对硬度的影响。若要将硬度降低到 2 1 5~ 2 30 HB,采用锻轧后高温回火来实现退火软化是十分困难的。因为高温回火时铁素体再结晶困难 ,得到的组织特别细小 ,硬度居高不下。而在临界点以上奥氏体化后再使其分解为粗珠光体组织可使硬度降低到 2 30 HB以下 。 展开更多
关键词 x45nicrmo4 退火 硬度
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X45NiCrMo4钢软化工艺的研究 被引量:1
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作者 高占勇 赵鸣 刘宗昌 《包头钢铁学院学报》 2000年第3期241-243,共3页
由于X45NiCrMo4钢A/P转变的特殊性 ,常规球化退火难以软化 ,采用高温加热可以降低硬度 ,而且等温之后的缓冷工艺 。
关键词 退火 软化 显微组织 x45nicrmo4
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X45NiCrMo4钢退火工艺的研究
3
作者 闫俊萍 刘宗昌 +1 位作者 王玉峰 刘丽 《铸造》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期134-135,共2页
研究了X45NiCrMo4钢的退火工艺中奥氏体化温度、冷却速度、等温温度对硬度的影响,结果表明:该钢最佳的退火工艺为860℃,奥氏体化后冷却速度为30℃/h,等温温度为640℃。
关键词 x45nicrmo4 退火 硬度 冷作模具钢
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X45NiCrMo4钢冶金剪刃的热处理
4
作者 陈清 《江苏冶金》 2007年第4期23-25,共3页
对X45NiCrMo4工具钢试样进行了整体淬火、回火处理,检测其不同工艺热处理后各试样的金相组织、表面硬度、机械性能等。通过分析试验的结果,摸索了该材质冶金剪刃较为合理的热处理工艺方案。
关键词 x45nicrmο4 热处理 组织 性能
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X45NiCrMo4钢退火工艺参数对硬度的影响
5
作者 王开国 刘宗昌 +1 位作者 邵淑艳 顾永强 《包头钢铁学院学报》 2001年第2期141-143,共3页
采用球化退火工艺方法 ,研究了X45NiCrMo4钢退火工艺参数对硬度的影响 ,分析了退火组织与硬度之间的关系 ,制定了最佳退火工艺 X45NiCrMo4钢退火的奥氏体化温度为 860℃ ,等温温度为 640℃ 结果表明 ,在临界点以上奥氏体化后缓冷使其... 采用球化退火工艺方法 ,研究了X45NiCrMo4钢退火工艺参数对硬度的影响 ,分析了退火组织与硬度之间的关系 ,制定了最佳退火工艺 X45NiCrMo4钢退火的奥氏体化温度为 860℃ ,等温温度为 640℃ 结果表明 ,在临界点以上奥氏体化后缓冷使其分解为粗珠光体组织可使HB降低到 2 10 。 展开更多
关键词 软化退火 碳化物 硬度 x45nicrmo4 工具钢
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P4X266A的中流砥柱——Shuttle AV45GTR
6
作者 Artfish 静若止水 《电脑》 2002年第2期54-58,共5页
关键词 芯片组 主板 P4x266A 计算机硬件 ShattleAV45GTR
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45,X/46,X,i(Xq)伴4号染色体长臂部分缺失一例及文献复习
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作者 周敏 马金元 +1 位作者 徐樨巍 宋文琪 《中国优生与遗传杂志》 2010年第10期49-50,F0004,共3页
目的探讨45,X,del(4)(pter→q33:)/46,X,i(Xq),del(4)(pter→q33:)的产生、主要表现及特征,阐述产前筛查实验的重要性。方法与结果在孕早、中期利用超声检查和母亲血清生化指标进行产前筛查实验,对有异常指标的胎儿可利用孕早期绒毛培... 目的探讨45,X,del(4)(pter→q33:)/46,X,i(Xq),del(4)(pter→q33:)的产生、主要表现及特征,阐述产前筛查实验的重要性。方法与结果在孕早、中期利用超声检查和母亲血清生化指标进行产前筛查实验,对有异常指标的胎儿可利用孕早期绒毛培养及孕中期羊水细胞培养和脐静脉穿刺等方法检测胎儿染色体核型,可提高染色体异常的检出率。结论产前诊断可以有效预防染色体缺陷的患儿出生,减少家庭和社会的巨大压力。 展开更多
关键词 染色体 45 x/46 x i(xq) del(4)(pter→q33:) 产前诊断
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基于聚吡咯/TiO_(2)纳米管阵列的邻苯二甲酸二乙脂分子印迹光电化学传感器 被引量:1
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作者 薛冬 周先民 +2 位作者 张敏 刘素芹 戴高鹏 《分析科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期532-536,共5页
以邻苯二甲酸二乙酯(DEP)为模板分子,以吡咯为功能单体,在阳极氧化制备的TiO_(2)纳米管阵列(TiO_(2) NTs)中,通过电聚合法沉积分子印迹聚吡咯(MIP-PPy),构建MIP-PPy/TiO_(2) NTs传感器,用于光电化学检测DEP。采用恒电位i-t曲线和交流阻... 以邻苯二甲酸二乙酯(DEP)为模板分子,以吡咯为功能单体,在阳极氧化制备的TiO_(2)纳米管阵列(TiO_(2) NTs)中,通过电聚合法沉积分子印迹聚吡咯(MIP-PPy),构建MIP-PPy/TiO_(2) NTs传感器,用于光电化学检测DEP。采用恒电位i-t曲线和交流阻抗法研究了光电化学传感器的性能。结果表明:MIP传感器对DEP分子表现出优异的光电化学响应和识别能力,在含0.5 mg/L DEP的0.1 mol/L Na 2 SO 4水溶液中,MIP-PPy/TiO_(2) NTs修饰电极的光电流变化明显大于非印迹PPy/TiO_(2) NTs(NIP-PPy/TiO_(2) NTs)修饰电极。MIP-PPy/TiO_(2) NTs传感器的光电流与DEP浓度在0.05~2.80 mg/L范围内呈良好的线性关系,线性方程I(μA)=1.026+1.156 c(mg/L),检出限为0.02 mg/L(S/N=3)。 展开更多
关键词 光电化学传感器 分子印迹 邻苯二甲酸二乙酯 PPy/TiO_(2)纳米管阵列
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