基于FPGA的非XGA标准图像显示控制器的设计

针对实际应用中许多相机输出的图像数据格式不符合XGA标准,无法直接进行显示,介绍了一种对该类图像进行标准XGA格式转化的显示控制器。在分析计算的基础上实现对相机的合理控制,使相机的输出行频与XGA标准一致。对于CCD的输出数据通过采用缓冲和时钟切换的技术方法将其转化为符合VGA时序的图像数据。按照VGA标准时序将图像数据输出,从而实现XGA显示。该显示控制器基于FPGA实现,其关键技术在于利用FPGA内部的FIFO实现CCD数据的二级缓冲和时钟变换。一级缓冲为大容量双时钟FIFO,实现时钟的切换和数据的深度缓冲;二级缓冲为单时钟FIFO,其容量为1行,作为行显示缓冲区。该显示控制器同时利用FPGA实现XGA所需的行场同步信号及控制CCD的外行同步信号。文中的非XGA标准图像显示控制器具有实现灵活,时序稳定的优点,可作为其他相类似图像显示的参考。

基于FPGA的D1到XGA图像放大引擎

实现了基于FPGA的D1格式信号放大至XGA格式的图像放大引擎,介绍了算法原理和硬件系统结构。利用查表代替乘法运算,简化了硬件结构,提高了处理速度;无论在水平方向还是垂直方向上,算法始终是对一维的数据进行操作,有效地降低了复杂性;系统输入数据同时进行按行插值,显示图像的同时实现按列插值,充分利用了处理空隙,保证了系统的实时性。最后FPGA验证表明本文设计的图像放大系统可以在每秒60帧的速率下高质量地实现D1到XGA格式转换,同时很好地保留图像的边缘信息。

IBM公司最新的图形标准—XGA卡的原理和设计

1990年IBM公司向世界宣布XGA(Extended Graphics Array)高性能的视频子系统的标准,1991年由英国INMOS公司首次把它商品化,设计制造了两个专用芯片,组成了XGA系统.本文详细叙述了XGA系统的原理及其设计方法.

Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)

通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。

硅铬共掺杂尖晶石长余辉材料Zn1+xGa2–2xSixO4:Cr3+中近红外余辉的增强及陷阱分布分析

本论文基于硅铬共掺杂,合成得到了一种尖晶石长余辉材料Zn1+xGa2–2xSixO4:Cr^3+。实验采用高温固相法,按照设计的化学计量比精确称量ZnO、Ga2O3、SiO2和Cr2O3等原料,制备了一系列硅铬共掺杂的镓酸锌尖晶石长余辉材料,其化学式为Zn1+xGa2–2xSixO4:Cr^3+(x=0, 0.1, 0.15, 0.2, 0.5, 1)。实验结果表明:采用硅铬共掺杂方式后,引入合适浓度的硅离子可有效改善余辉性能。当x=0.2时,样品余辉强度最佳,相比ZnGa2O4:Cr^3+增强了3倍,并且余辉持续时间长达24 h。进一步的陷阱分布分析表明,在ZnGa2O4基质基础上引入硅掺杂,可有效调控不同陷阱深度的分布。即在丰富的反位缺陷基础上,硅的共掺杂可增加不等价替换缺陷和填隙缺陷等,并可调控禁带宽度及缺陷形成,从而实现改善余辉性能的目的。

为SXGA＋屏幕笔记本电脑设置大字体

目前笔记本普遍采用分辨率为1024×768(XGA)的14．1英寸TFT液晶屏，优点是价格便宜，缺点是图像不够细腻。而高端笔记本一般采用1400×1050(SXGA+)的14．1英寸TFT液晶屏，优点是像素点小，图像细腻，在14．1英寸下SXGA+分辨率比XGA分辨率可以多显示87％的信息；缺点是字体太小，很多人都不适应。笔者通过实践发现，有四种方法可以放大字体。

扩展图形阵列XGA的软件仿真系统的设计

ＸＧＡ是为ＩＢＭＰＳ／２或其它以ｉ３８６／ｉ４８６为基础的微机系统提供高级图形和图象功能的新一代显示适配器和图形标准。本文首先简述ＸＧＡ的主要特征，随后详细论述了ＸＧＡ适配器接口软件仿真的设计思想及主要功能模块的实现方法，最后对仿真系统用户接口的设计进行了讨论。

肖特基C-V法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结界面二维电子气

通过对 Pt/ Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N肖特基二极管的 C- V测量 ,研究分析了 Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面二维电子气 (2 DEG)浓度及其空间分布 .测量结果表明 ,Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面 2 DEG浓度峰值对应的深度在界面以下 1.3nm处 ,2 DEG分布峰的半高宽为 2 .3nm ,2 DEG面密度为 6 .5× 10 1 2 cm- 2 .与 Alx Ga1 - x As/ Ga As异质结相比 ,其 2 DEG面密度要高一个数量级 ,而空间分布则要窄一个数量级 .这主要归结于 Alx Ga1 - x N层中～ MV / cm量级的压电极化电场和自发极化电场对 Alx Ga1 - x N/ Ga N异质结能带的调制和 Alx Ga1 - x N/ Ga

电容-电压法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结压电极化效应(英文)

制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容 电压特性显著不同。根据对样品电容 电压特性的数值模拟 ,在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 30nm和 4 5nm的样品中 ,异质界面的极化电荷面密度为 6 78× 1 0 12 cm-2 。在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 75nm的样品中 ,极化电荷面密度降为 1 30×10 12 cm-2 。这种极化电荷面密度的降低是由于GaN上Al0 2 2 Ga0 78N势垒层由于厚度增加而产生应变的部分弛豫。本工作也提供了一种定量表征AlxGa1-xN/GaN异质结中极化电荷面密度的方法。

GaN和Al_xGa_(1-x)N薄膜材料研究进展

ＧａＮ及ＡｌｘＧａ１－ｘＮ是发兰光的关键材料，是目前光电子材料中最引人注目、必须攻克的课题。本文综述了ＧａＮ及ＡｌｘＧａ１－ｘＮ材料的研究现状，重点介绍了ＧａＮ及ＡｌｘＧａ１－ｘＮ材料近年来在性能评价。

Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究(英文)

在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为 7 2× 1 0 12 cm-2 。通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究 ,说明在 1 5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用。

基于CS7123的VGA／XGA电视盒设计

CS7123芯片是深圳市芯海科技有限公司自主设计的高速／高精度视频DAC芯片，其内部包括三路10位电流导引（Current Steering）结构的DAC，最大采样速度达到11240MHz。CS7123的结构框图见图1所示，它包括三路高速、10位输入的视频DA转换器、标准的TTL输入和互补输出高阻抗模拟输出电流源。CS7123有三路独立的10位输入端口，可以在单电源5V下工作，也可以在单电源3.3V下工作。

XGA高分辨率彩色图形卡的设计

ＸＧＡ高分辨率彩色图形卡是一种智能型图形适配器。本文对ＸＧＡ图形卡的功能和设计方法作了详细介绍。我们设计的基本图形卡有多种硬件作图功能，彩色种类为１６Ｍ，实现的ＸＧＡ适配器接口则以汇编和Ｃ两种方式供用户调用ＸＧＡ的绘图功能使用。

LG飞利浦XGA VIC屏幕

什么是VIC？VIC是Viewing-angle image Control的缩写，中文为图像可视角度控制技术。在IMID展会上，LG飞利浦发布了采用了VIC技术的液晶面板。研究者称这项技术对保护商业机密、个人隐私很有帮助，未来将被应用在笔记本电脑，UIVPC、PMP、电话以及其他的移动设备上。LG飞利浦还发布了一款具有VIC技术的15英寸液晶显示器，它的特点是当显示器同时显示两个程序时，

投你所好——25款XGA主流投影机专题评测——Viewsonic

优派PJ485D是一款价格上比较有竞争力的产品。万元左右的价位正是那些预算紧张的用户所关注的。

投你所好——25款XGA主流投影机专题评测——Optoma EP709

Optoma EP709是一款价格上很有竞争力的产品，2公斤的重量和不到七千元的促销价格，可以让那些预算紧张却需要经常携带投影机拜访客户的投影机用户心满意足了。