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用XPS对CdTe(111)面进行化学特性分析 被引量:4
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作者 刘朝旺 宋炳文 《红外技术》 CSCD 1994年第5期6-10,共5页
用XPS化学位移和定量分析方法,研究了露于室温空气中的CdTe(111)面的化学特征。首次报道了经机械抛光表面上形成的表面化合物为TeO2(Te3d5/2575.8eV,O1s530.1eV)和Cd(OH)2(Cd3... 用XPS化学位移和定量分析方法,研究了露于室温空气中的CdTe(111)面的化学特征。首次报道了经机械抛光表面上形成的表面化合物为TeO2(Te3d5/2575.8eV,O1s530.1eV)和Cd(OH)2(Cd3d5/24051eV.O1s531.4eV)。并与基体里的CdTe共存;经2%Br-乙醇溶液化学抛光,表面上形成的化合物为CdTeO4(Cd3d5/2405.3eV,Te3d5/25765eV,O1s531.2eV)和TeOx(x<1)(Te3d5/2574~575eV,O1s5281eV),并且XPS谱中没有基体里的CdTe的特征,其中TeOX为Te氧化物的过渡态。结果表明,在相同氧化环境中,表面上形成的化合物强烈依赖表面状况。 展开更多
关键词 外延生长 CdTe(111)晶片 xps 化学特性
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