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硅基3C-SiC的热氧化机理
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作者 赵永梅 孙国胜 +5 位作者 刘兴昉 李家业 赵万顺 王雷 罗木昌 李晋闽 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期95-98,共4页
采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.利用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050℃.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合Ar+溅射技术,在不同的溅射时间下,对氧化生长的SiO2层及SiO2/SiC界面层... 采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.利用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050℃.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合Ar+溅射技术,在不同的溅射时间下,对氧化生长的SiO2层及SiO2/SiC界面层的化学键和组成成分进行了深度谱分析,在此基础上提出了热氧化模型,探讨了3C-SiC的热氧化机理. 展开更多
关键词 3c-sic 热氧化 xps 氧化机理
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