不同阳极靶材上GaN半导体材料的XPS分析

在X射线光电子能谱(XPS)分析表征样品时,经常会出现俄歇峰与其他元素特征峰干扰的现象,影响谱峰的拟合与分析。本文以GaN半导体材料为例,分别采用单色Al靶、单色Ag靶、双阳极Mg靶作为X射线源进行表征,得到GaN材料中各元素精细谱,分析发现常用的Mg靶和Al靶为X射线源时,Ga LMM俄歇峰与N 1s峰互相重叠的问题,影响了N 1s能谱的准确解析,而高能Ag靶为X射线源时,上述二峰完全分离,有利于N 1s的谱峰的准确分析。

铜导线短路熔痕的XPS研究

利用氩离子溅射对熔痕样品进行了深度刻蚀,同时利用Cu的俄歇谱线和计算的俄歇参数值,对不同环境形成的铜导线短路痕迹的物相及元素分布规律进行了分析。根据刻蚀时间可将一次短路熔痕表面膜层分为三部分,即C含量迅速减少的近表面层;O含量变化不大,C含量逐渐消失且有Cu2O相的中间层;无Cu2O相,O含量显著减少的过渡层。而将二次短路熔痕表面膜层分为两部分:C含量迅速减少的近表面层;无Cu2O相,C和O量逐渐减少层。由此可见,一次短路熔痕的表面膜层与基体分界明显,有显著的过渡层,而二次短路熔痕的表面膜层与基体分界不明显,无过渡层。综上所述,可以根据两种短路熔痕是否含有Cu2O相以及定量分析结果来区分两种熔痕,为判断火灾原因提供新的技术依据。

硅酸盐矿物中硅的Auger参数及其构型

本文以MgK_o的韧致辐射激发SiKLL,测定了20个分别代表岛状、链状、层状.架状4种构型的硅酸盐矿物中Si的Auger参数值;引用了环状硅酸盐矿物绿宝石的文献值,从22组数据中总结出硅酸盐矿物中Si的Auger参数值依岛状、环状、链状、层状、架状构型顺序递减的规律,并分析了原因,解释了例外情况。

X光电子能谱分析中光电子峰和俄歇峰的干扰及消除

X光电子能谱(XPS)在分析多元素材料时,光电子峰可能受到其它元素俄歇谱的干扰。在AlKα激发CrZnSi合金样品时,光电子峰Cr2p和俄歇峰ZnLMM相互干扰,而换用双阳极中的MgKα源激发,虽可消除此相互干扰,但样品表面的C1s和N1s又会受到ZnLMM干扰。类似地,AlKα激发的GaN样品中N1s受俄歇峰GaLMM的严重干扰,而换用MgKα源激发时,C1s峰又受到的GaLMM的干扰。交替使用Mg/Al双阳极激发源,可改变XPS分析中的俄歇谱及其背景对光电子峰的干扰位置,并用未受干扰的峰互相校正2组谱图能量位置,以对样品谱峰作出正确的分析。

铈卤氧化物的ESCA表征（Ⅱ）──Ce的M_5N_（45）N_（45）俄歇峰

研究了ＸＰＳ诱导的ＣｅＭ５Ｎ４５Ｎ４５俄歇峰，由于其终态空穴处于芯能级，故俄歇峰有较好的分辨率。从ＣｅＭ５Ｎ４５Ｎ４５的俄歇峰可获得中心离子Ｃｅ的电子云密度等信息，发现其俄歇参数与配位体的极化变形程度有关，从而解释了双烯烃定向聚合必须有稀土卤氧键存在的原因。

X射线诱导俄歇电子能谱(XAES)的应用

简要介绍X射线诱导俄歇电子能谱(XAES)用于化学分析的一般性理论。XAES可与X射线光电子能谱(XPS)一起用于元素化学态分析。但是XAES分析有其优势,(1)俄歇参数与荷电位移无关,结果无需荷电校准就可用于价态分析;(2)在一些涉及过渡元素和重元素物质的价态分析时,XAES峰化学位移大于XPS峰;(3)对于分析一些轻元素(如K、Mg、Al等),XAES峰比某些XPS峰有更高的灵敏度。因而,XAES可弥补XPS分析的某些不足,可方便、有效地表征元素价态。通过实例,介绍XAES在这3个方面的实际应用。

分子束外延ZnS_(1-x)Te_x单晶薄膜特性分析

通过精确的测量发现，分子束外延（ Ｍ Ｂ Ｅ） 生长的Ⅱ－ Ⅵ族三元合金碲硫锌（ Ｚｎ Ｓ１ － ｘ Ｔｅ ｘ）（０ ≤ｘ ≤１） 半导体单晶薄膜中 Ｚｎ 和 Ｔｅ 修正的俄歇参数α′随 ｘ 增大近似线性增加，且前者大于后者；同时还发现 Ｔｅ ４ｄ３／２ 和 Ｔｅ ４ｄ５／２ 光电子谱峰间距随 ｘ

俄歇参数法及其在硅酸盐材料研究中的应用

本文对Auger参数法及其在硅酸盐材料研究中的应用作了综合介绍。在VG ESCALAB MKII电子能谱仪上作了韧致辐射激发Si KLL的尝试。实验结果表明,普通配有Al/Mg双阳极的X射线光电子能谱仪可以获得SiKLL线;用Auger参数法可弥补XPS法在硅酸盐材料分析方面的不足,并为AP法在该材料领域中的应用指出了乐观的前景。

脉冲激光沉积的金属原子团簇的电子状态及生长的研究

介绍了采用 X射线光电子谱 (XPS)等技术研究脉冲激光沉积在 Ni、Mo、C、Na Cl(1 0 0 )表面的 Cu、Au原子团簇的电子状态 ;结合 Cu2 p3/2 X射线光电子谱峰和 Cu L3M4,5 M4,5 俄歇跃迁分离了电子结合能的初态和终态贡献 ,得出了它们随 Cu表面浓度变化的关系 ,并对之作出了解释。使用 XPS、RBS、TEM三项技术研究了 Au在 Na Cl(1 0 0 )表面的生长过程 ,通过计算得出了在不同表面浓度下