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富铅配料的PbI_2晶体生长与性能表征 被引量：1
1
作者 朱兴华 赵北君 +3 位作者 朱世富 金应荣 向安平 魏昭荣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期898-901,共4页
以富Pb配料,采用特殊工艺生长出尺寸为Φ10mm×20mm的PbI2晶体.XRD分析结果表明该晶体为2H晶型,P3ml空间群;IR透过率测试结果表明1mm厚的PbI2晶片在400～1000cm-1范围的平均透过率为40%;UV吸收测试结果表明PbI2晶片吸收边为547.6nm... 以富Pb配料,采用特殊工艺生长出尺寸为Φ10mm×20mm的PbI2晶体.XRD分析结果表明该晶体为2H晶型,P3ml空间群;IR透过率测试结果表明1mm厚的PbI2晶片在400～1000cm-1范围的平均透过率为40%;UV吸收测试结果表明PbI2晶片吸收边为547.6nm,对应能隙为2.27eV.采用上述晶体制备的PbI2探测器在室温下对241Am59.5keVγ射线敏感,能谱半高宽(FWHM)为26.7keV. 展开更多
关键词 PbI2晶体 生长工艺 xrd务析 IR透过率 禁带宽度 能谱特性
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