55NiCrMoV7钢回火组织特征与回火温度和时间的关系

采用X射线衍射(XRD)技术,研究了55NiCrMoV7热作工具钢回火过程组织的演化规律。结果表明,随回火温度增加,残余奥氏体逐渐分解,回火碳化物为M3C和少量VC;X射线衍射马氏体(211)峰半高宽随回火温度线性下降,随回火时间呈幂指数下降关系。并建立了回火组织特征马氏体(211)峰物理半高宽与回火温度、回火时间服从B=B0.e-(Dt)m定量关系的单一模型和分段模型。

Si衬底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT

利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaNHEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD(002)摇摆曲线半高宽573″,(102)摇摆曲线半高宽668″.通过插入层技术实现2μm厚GaNHEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm2/(V.s),方块电阻328Ω/□.1mm栅宽GaN微波功率器件饱和电流大于0.8A/mm,跨导大于250mS/mm,2GHz下最大连续波输出功率5.1W,增益9.1dB,附加效率达到35%.