采用改进的布里奇曼法生长出尺寸为Φ15 mm×45 mm,外观完整无开裂的Cd Ge As2单晶体。为了提高器件的使用性能,需要对晶体进行表面处理,主要对Cd Ge As2晶片表面的抛光技术进行了研究。通过对解理面切割分析得到(101)晶面,机械抛...采用改进的布里奇曼法生长出尺寸为Φ15 mm×45 mm,外观完整无开裂的Cd Ge As2单晶体。为了提高器件的使用性能,需要对晶体进行表面处理,主要对Cd Ge As2晶片表面的抛光技术进行了研究。通过对解理面切割分析得到(101)晶面,机械抛光后进行了XPS分析。对该晶面采用溴甲醇溶液进行腐蚀抛光,采用XRD回摆及光学显微镜对不同抛光时间的试样进行观测。结果表明,CGA晶体的(101)晶面在常温下采用溴甲醇溶液腐蚀50 s后,晶片表面光滑无划痕,并且具有半峰宽较小的回摆曲线,同时计算得到Cd Ge As2晶体的表面损伤层厚度。展开更多
基金National Natural Science Foundation of China(50732005)National High Technology Research and Development Program of China(2007AA03Z443)
文摘采用改进的布里奇曼法生长出尺寸为Φ15 mm×45 mm,外观完整无开裂的Cd Ge As2单晶体。为了提高器件的使用性能,需要对晶体进行表面处理,主要对Cd Ge As2晶片表面的抛光技术进行了研究。通过对解理面切割分析得到(101)晶面,机械抛光后进行了XPS分析。对该晶面采用溴甲醇溶液进行腐蚀抛光,采用XRD回摆及光学显微镜对不同抛光时间的试样进行观测。结果表明,CGA晶体的(101)晶面在常温下采用溴甲醇溶液腐蚀50 s后,晶片表面光滑无划痕,并且具有半峰宽较小的回摆曲线,同时计算得到Cd Ge As2晶体的表面损伤层厚度。