Tb^(3+)掺杂量对HAp结构和发光性能的影响

Tb^(3+)掺杂HAp是目前研究比较多的稀土离子掺杂HAp荧光材料之一,然而研究中实际掺杂量和理论掺杂量之间的差异并没有涉及到.本文采用化学沉淀法制备了Tb^(3+)掺杂HAp纳米材料,采用ICP-AES电感耦合等离子体光谱法对实际掺量进行了测试,随后采用XRD衍射仪、FT-IR红外光谱分析和荧光分光光度计研究了Tb^(3+)掺杂量对HAp纳米晶体结构和荧光性能的影响.ICP-AES结果表明实际掺量小于计划加入量;XRD结果显示Tb^(3+)含量的改变对主晶相影响不大,晶粒尺寸和晶面间距(d)随着Tb^(3+)含量增加呈现出先增加后减小再增大的趋势;FT-IR结果同样显示Tb^(3+)掺杂量改变对HAp晶体结构没有较大影响;发光强度随着Tb^(3+)含量的增加呈现出先增强后减弱的趋势,荧光衰减曲线呈现出单指数衰减趋势;荧光寿命随着Tb^(3+)含量的增加呈现缓慢减小的变化趋势.