Y、V共掺杂CaBi_4Ti_4O_(15)陶瓷的结构及电性能研究

采用固相烧结法制备了Y、V共掺杂的Ca Bi4Ti4O15陶瓷（简称CYBTV）。Y、V共掺杂有利于陶瓷晶粒沿c轴方向生长,提高瓷体致密度。测量和分析了不同频率下CYBTV陶瓷的交流电导率σac和直流电导率σdc随温度（300-1150 K）的变化以及陶瓷的复阻抗谱。σac在不同温区表现出不同程度的频率和温度相关性：在低温区,σac随着频率的升高而增大;在高温区,σac随着温度的升高而增大。CBT基材料的复阻抗响应主要与晶粒电阻电容有关,Y、V共掺杂后,陶瓷的晶粒电阻率显著增大,从而导致材料电阻率的提高。