579.62nm波长处Y_2SiO_5∶Eu^(3+)晶体永久性光谱烧孔

分别利用氩离子激光,二倍频YAG∶Nd激光泵浦的诺明6G可调谐窄线宽(0.5 cm-1)染料激光和899-21可调谐染料激光作为光源,以单色仪-锁相放大器-光电倍增管-计算机数据采集系统记录光谱,对Y2SiO5∶Eu3+晶体进行了光谱和光谱烧孔研究。在常温和液氮温度下测量了晶体的激发光谱、荧光光谱等。在16 K温度下对晶体进行了光谱烧孔研究,得到了孔宽约80 MHz并能保存10 h的永久性光谱孔。

掺Eu^(3+)离子Y_2SiO_5晶体格位选择光谱研究

分别利用白光灯、４５７－９ ｎｍ 氩离子激光、二倍频ＹＡＧ∶Ｎｄ 激光泵浦的诺丹明６Ｇ 可调谐窄线宽（０－５ ｃｍ －１） 染料激光作为光源， 以单色仪锁相放大器光电倍增管计算机数据采集系统记录光谱， 测量并研究了Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ３ ＋ 晶体的透射光谱、荧光光谱、激发光谱和格位选择荧光光谱。５Ｄ０ →７Ｆ０，１ ，２ ，３，４ 跃迁，３０ 多根谱线（总数为５０ 根） 被观察到。在该晶体中Ｅｕ３＋ 替换Ｙ３＋ 离子， 占据两个较低对称性的光学格位， 这两个格位的５Ｄ０ ７Ｆ０ 能级跃迁谱线相隔大约只有０－２ ｎｍ ， 在室温下有一定的光谱关联。并用Ｘ射线谱对晶体的晶格常数ａ ， ｂ，ｃ 和晶面角度β进行测量， 测量结果显示掺杂后的晶格常数和未掺杂的Ｙ２ＳｉＯ５ 晶格常数基本一致。

Pr^(3+)∶Y_2SiO_5晶体中电磁感应光透明及群速度减慢

利用光与物质相互作用的密度矩阵方程及其数值解研究Λ型Pr3+∶Y2SiO5晶体的电磁感应光透明(EIT)和光群速度减慢(SGV),分析非均匀加宽及相干驱动场强度对EIT和SGV的影响,理论与实验结果相符.

微乳液法合成Y_2SiO_5∶Eu^(3+)及其发光性质研究

采用微乳液法合成了Y_2SiO_5∶Eu^(3+)系列荧光粉。利用XRD、扫描电镜(SEM)、光电子能谱(EDS)、荧光光谱、色坐标等研究了所制备荧光粉的结构、形貌和发光性能。光电子能谱数据验证了合成样品的离子掺杂量。荧光光谱测试表明,Y_2SiO_5∶Eu^(3+)监测光谱呈现200nm^300nm的宽带吸收峰和Eu3+的系列吸收峰。在253nm紫外光激发下,Y_2SiO_5∶Eu^(3+)材料的发射光谱为一个多峰谱,主峰分别为5D0→7F1(591nm)、5D0→7F2(616nm)的发光峰。当Eu3+掺杂物质的量大于24%时,出现了浓度猝灭现象。通过色坐标图可知,当Eu3+掺杂量为24%时,荧光粉的色坐标(0.503,0.366)与标准的红光色坐标接近,表明Y_2SiO_5∶Eu^(3+)是很好的近紫外光激发下的红色荧光粉。

Y_3Al_5O_(12):Eu^(3+)荧光粉表面包覆SiO_2的研究

采用化学均相沉淀法在YAG:Eu3+荧光粉表面包覆了SiO2。利用XRD、SEM、Zeta电位分析、傅里叶红外光谱和荧光光谱等手段对包覆处理前后的样品进行了测试和表征。结果表明:SiO2包覆层紧密附着在荧光粉表面,而不改变YAG:Eu3+荧光粉的晶体结构和发光中心;并通过改善荧光粉的表面状态,在一定程度上提高了荧光粉的发光强度。

Y_2SiO_5:Eu^(3+)纳米荧光粉的光谱特性研究

用凝胶燃烧法制备Y2SiO5:Eu3+纳米荧光粉.X射线衍射实验发现,在1 100℃以下烧结得到X1型物相,属单斜晶系,空间群为P21/c;在1 300℃以上烧结得到X2型物相,属单斜晶系,空间群为C2/c.研究了各样品的红外光谱,发现同物相的校正面积和校正高度随颗粒增大而增大,在物相转型时发生突变,X2型吸收峰位发生蓝移;研究了室温下样品在395 nm紫外光激发下得到的发射光谱,发现纳米荧光粉的5D0→7F0峰相比体材料发生蓝移,5D0→7F2峰相比于体材料中心位置变化不大,而谱带明显加宽.随着烧结温度降低,荧光粉颗粒减小,5D0→7F2的跃迁峰强度回落,但5D0→7F1与5D0→7F4的跃迁峰强度变化不大.Eu3+在Y2SiO5基质中占有两个不同的格位,不同的能级产生两套光谱致使峰数比退简并的峰数多.

Gd2SiO5∶Eu^3+晶体的光学浮区法制备及发光性能研究

用冷等静压制多晶料棒通过高温固相法制备Gd2SiO5∶Eu^3+粉末,并使用光学浮区法制得晶体。对其进行微观组织结构及光谱性能测试,XRD分析表明,晶体生长方向为[001]方向;摇摆曲线和Raman分析均表明其结晶状况比粉末、料棒更好;晶体无宏观和微观缺陷;EDS及XPS分析表明晶体中无杂质成分,且XPS谱中可以观测到Gd3d5/2、Eu4d5/2光电子峰劈裂,分别对应7配位和9配位离子。UV-Vis低温吸收谱中存在Eu^3+-O^2-电荷转移吸收带和Gd^3+4f-4f电子跃迁吸收(6D/I/PJ→8S7/2)吸收限,做(Ahν)1/2-hν曲线得到其禁带宽度为5.9 eV;样品在紫外激发下呈橘红色,并在254 nm、277 nm、365 nm、396 nm激发下可产生发射峰为583 nm、596 nm、620 nm、629 nm的红光发射(对应Eu^3+的5D0→7F0,1,2,3),其中277 nm激发下强度最大;以583 nm、596 nm、620 nm、629 nm为监测波长,其激发谱在200~500 nm波段,并出现以277 nm为中心的宽谱(对应Eu-O电荷转移跃迁和Gd^3+8S7/2→6IJ)以及313 nm(Gd^3+8S7/2→6PJ)、396 nm(Eu^3+7F0→5L6)和466 nm(Eu^3+的7F0→5D3)激发锐峰。由此可知,光学浮区法可以得到质量良好的Gd2SiO5∶Eu^3+晶体。

Pr^(3+)∶Y_2SiO_5晶体中橙—蓝频率上转换过程

测量了Pr3+∶Y2SiO5晶体的吸收谱,标定了室温下Pr3+在Y2SiO5晶体4f2组态内的能级.利用579 nm激光激发Pr3+∶Y2SiO5晶体,观察到480~515 nm上转换荧光带.运用时间分辨激光光谱技术测量了3P0能级的上转换荧光衰减曲线.通过研究上转换荧光的衰减曲线、吸收谱、激发谱和上转换荧光强度与泵浦激光单脉冲能量的关系,确定了以1D2为中间态的能量转移上转换主要是上转换机制.

Sr_3SiO_5:Eu^(2+)材料光谱特性研究

采用高温固相法制备了用于白光LED的Sr3SiO5:Eu2+材料.研究了合成温度及Sr/Si对样品光谱特性及结构的影响.结果显示,随合成温度的升高或Sr/Si的减小,样品的主发射峰均产生了明显的红移,同时,样品的晶体结构也受到了影响.利用InGaN管芯激发Sr3SiO5:Eu2+材料,表现出显色性较好的白光发射光谱,色坐标为(x=0.348,y=0.326).

稀土Y_(2-x)SiO_5∶Eu_x^(3+)纳米发光材料结构对发光性能影响及发光机理研究

用溶胶凝胶法合成了Y2-xSiO5∶Eux纳米发光材料,使用XRD、FTIR和TEM对其结构进行了表征。讨论了相结构、煅烧温度和Eu3+掺杂浓度对材料发光性能的影响及规律。结果显示煅烧温度在900℃以下,材料主要呈非晶相结构,900℃以上材料主要呈晶态结构;颗粒随煅烧温度升高而增大,在非晶态时颗粒大小在15~45nm,在晶态时颗粒大小为60~80nm。激发光谱和荧光发射光谱受材料晶相结构以及Eu3+掺杂浓度的影响,在晶态结构中Y2-xSiO5∶Eux纳米材料呈现更精细的激发和发射光谱。在激发光谱中,电荷转移态吸收(CST)随煅烧温度升高呈现兰移现象,晶态时CST同非晶态相比明显红移;在发射光谱中,非晶态时5D0→7F2跃迁呈现强的发光峰,随材料制备温度升高而增强,在晶态时该发光峰强度减弱,在长波波段呈现两个新的发光尖峰,并随煅烧温度升高而增强;5D0→7F1发射峰从非晶态转变为晶态后,光谱裂分为三重尖峰;而5D0→7F0跃迁发光光谱受结构和颗粒大小影响较小。同时在60~80nm的Y2-xSiO5∶Eux晶体中,发现材料5D0→7F2和5D0→7F1跃迁发光强度,均受Eu3+掺杂浓度的影响,当掺杂浓度x=0.4时,材料发光强度最大。

Gd_2SiO_5:Eu^(3+)的VUV-UV光谱特性

本文介绍了利用同步辐射光源对Gd2 SiO5:Eu3+的VUV -UV光谱特性进行的研究。重点讨论了在低温 (10K )及室温下Gd2 SiO5:Eu3+中存在的各种能量传递过程 ,包括基质向Eu3+,Gd3+向Eu3+的传递以及两种不同格位Eu3+离子之间的能量传递。另一方面从探索新型量子剪裁材料的角度对比了 186nm和 2 76nm激发下的发射谱 ,指出Gd2

Dawson结构聚金属氧酸盐有机-无机复合物[{Y(DMSO)_5(H_2O)_3}{Y(DMSO)_8}][P_2W_(18)O_(62)]·2DMSO·2H_2O的合成、性质及晶体结构

以α-H6P2W18O62·nH2O,Y2O3,DMSO(二甲亚砜)为原料合成了Dawson结构聚金属氧酸盐有机-无机复合物犤狖Y(DMSO)5(H2O)3狚狖Y(DMSO)8狚犦犤P2W18O62犦·2DMSO·2H2O(1),化合物晶体属于单斜晶系,P21/c空间群,Mr=5803.06,a=1.7614(4)nm,b=3.1527(6)nm,c=2.1523(4)nm,β=90.40(3)°,V=11.963(4)nm3,Dc=3.222g·cm-3,μ=18.566mm-1,Z=4,F(000)=10464。由17342个可观测衍射点犤I≥2σ(I)犦用于精修所有的结构参数,得一致性因子R=0.0745,wR=0.1438。结构解析表明,化合物中两个Y3+离子的配位环境均为八配位的畸变双冠三棱柱构型。CV行为研究表明,标题化合物中阴离子(pH=5.5)存在五步还原过程,得电子数依次为1,1,1,1,2。化合物的IR光谱和X-射线衍射结果表明,固态条件下配阳离子与杂多阴离子之间存在较强的相互作用。

TiO_2包覆上转换发光材料Pr^(3+)∶Y_2SiO_5的制备及其可见光催化性能的研究

为了提高TiO2对可见光的利用率,通过溶胶-凝胶法制备了TiO2包覆上转换发光材料Pr3+∶Y2SiO5的复合材料,并借助XRD、TEM、紫外-可见吸收光谱等对制备的样品进行了表征和研究。同时,研究了不同条件下制备的复合粉体对罗丹明B光降解效率。结果表明,该方法制备出的Pr3+∶Y2SiO5/TiO2复合材料较纯TiO2和简单机械混合两种粉体在可见光下具有较强的光催化效果。验证了Pr3+∶Y2SiO5作为上转换发光材料,可吸收可见光发射紫外线,从而满足TiO2光催化降解的要求。文中最后对Pr3+∶Y2SiO5/TiO2复合材料的光催化机理进行了研究。

Ba^(2+)取代及助熔剂对Sr_3SiO_5:Eu^(2+)结构和发光性能的影响

采用还原气氛下的高温固相法制备了Sr3SiO5:Eu2+橙色荧光粉,利用X射线衍射、扫描电子显微镜和荧光分光光度计考察了Ba2+与Sr2+替换和助熔剂对Sr3SiO5:Eu2+晶体结构和发光性能的影响。结果表明:Ba2+取代Sr2+会使配位多面体膨胀,导致附近Eu2+占据的配位多面体压缩,晶体场强度增大。随着Ba2+取代量的增加,Eu2+逐渐占据Ba2+取代后的多面体中心,晶体场强度减弱,发射光谱峰值整体先由575 nm红移至592 nm后又蓝移回583 nm。Sr2+与Ba2+的量比n(Sr):n(Ba)=4时,发射光谱红移效果最佳。助熔剂H3BO3的掺入会使Sr3SiO5:Eu2+的发光强度急剧下降。而NH4F和NH4Cl掺入都能使Sr3SiO5:Eu2+的发射光谱强度增大,NH4F和NH4Cl单掺质量分数分别为2%和0.3%时增强效果最好,且NH4Cl的增强效果比NH4F要好很多。

Eu^(3+)掺杂LaPO_4-5SiO_2复合材料的结构和发光性能研究

采用溶胶-凝胶法在常温下制备了稀土Eu3+掺杂的以LaPO4-5SiO2为复合基质的发光材料,并通过DTATG、XRD、TEM、IR、荧光光谱对材料的结构和发光性能进行了测试和分析。DTA-TG谱图分析显示,样品在84℃和245℃左右出现明显的失重现象,对应于凝胶中的吸附水、有机物的挥发和结晶水的分解。XRD图谱显示,复合基质中LaPO4主要为六方相结构,与纯LaPO4为单斜相结构不同,说明SiO2的加入改变了LaPO4的结构和配位构型。TEM显示材料形貌为长约50nm,直径10nm左右的棒状结构,电子衍射谱图显示材料为多晶结构。IR图谱显示,样品中主要存在Si-O-Si键和O-P-O键。荧光光谱图显示,在612nm监测波长下,最佳激发波长为395nm,Eu3+的最佳掺杂浓度为7.00%(at%),最佳退火温度为800℃。

Persistent Spectral Hole Burning of Eu^3＋ Doped Y2SiO5 Crystal at 579.62 nm

By using an Ar^＋ ion laser, a tunable Rh6G dye laser（linewidth： 0.5 cm^-1） pumped by the second harmonic of a YAG：Nd laser and an 899-21 dye laser as light sources and using a monochromator, a phase-locking amplifier and a computer as the data detecting system, the spectra and spectral hole burning of Eu^3＋：Y2SiO5 crystal were researched in this paper.Photoluminescence excitation spectrum and site selective fluorescence spectrum were detected at room temperature and 77 K. Hole burning experiments were reached at 16 K. A spectral hole with hole width of about 80 MHz were detected and it could be kept for 10 h.

Fluorescence Properties of Eu^(3+) :Y_2SiO_5 Single Crystal

Fluorescence properties of Eu 3+ :Y 2SiO 5 have been investigated. Transitions between 5D and 7Fwere were studied with transmission spectra, fluorescence spectra, photoluminescence excitation ( or absorption ) spectra and site selective fluorescence spectra. The X ray powder diffraction pattern of Eu 3+ :Y 2SiO 5 shows that the crystal belong to monoclinic, and lattice's constants a, b, c and β are obtained by a simulation with the measured diffraction angles.

Pr^(3+):Y_2SiO_5中的反斯托克斯荧光谱及其对基态Stark分裂能级的确定

掺杂在晶体Y2 SiO5(YSO)中的Pr3+ ,运用脉冲激光激发 3H4 → 1 D2 跃迁 ,粒子通过非辐射能量转移从能级 1 D2 转移到能级 3P0 ,测得了对应于 3P0 → 3H4 跃迁的反斯托克斯荧光光谱 ,由此可确定 3H4 的Stark分裂能级以及 3P0 能级的能量高度。与运用激光激发 3H4 → 1 D2 跃迁 ,通过观察 1 D2 → 3H4 斯托克斯荧光光谱确定3H4 的Stark分裂能级方法相比 ,该过程避免了不同晶点位置中 (Crystallographicsite)Pr3+ 的 1 D2 能级间的能量转移影响 ,从而具有较高的确定性。同时 。

新型(Yb^3＋,La^3＋)∶Gd2SiO5和(Yb^3＋,Tb^3＋)∶GdTaO4单晶生长及分凝研究

采用提拉法生长了尺寸为30 mm×50 mm的(Yb3+,La3+)∶Gd2SiO5单晶和尺寸为24 mm×57 mm的(Yb3+,Tb3+)∶GdTaO4单晶,用X射线荧光法测量了掺杂样品的组分浓度在晶体中的分布,拟合了掺杂离子的有效分凝系数,结果表明:Yb3+在Gd2SiO5晶体中的分凝系数为1.185(15),接近单位1,而La3+则为0.68(10),偏离单位1较多,对晶体的光学均匀性会有较大的影响;Yb3+和Tb3+在GdTaO4中的分凝系数为0.84(14)和0.84(5),接近单位1,对晶体的光学均匀性影响较小。

Co^(2+),Er^(3+):Y_3Al_5O_(12)晶体的生长及其吸收特性

应用中频感应提拉法成功生长出新型的Co2+,Er3+:Y3A l5O12晶体。研究了室温下晶体的吸收光谱性能。结合Er3+:Y3A l5O12晶体的光谱,并利用调Q判据对Co2+,Er3+:Y3A l5O12晶体调Q特性进行了简单的分析。结果表明Co2+,Er3+:YAG晶体是一种很有潜力的自调Q激光晶体。