还原气氛烧成Y5V瓷粉的结构与介电性能

运用SEM和XRD等手段,研究了掺杂对Y5V钛酸钡陶瓷材料结构和性能的影响。SEM和能谱的研究结果表明:掺杂促进了材料的烧结,Nd5+聚集在晶界的位置,形成针状的晶粒。XRD结果表明,掺杂材料中有新相形成,掺杂组分能够促进钛酸钡材料居里点向低温方向移动,并促进介温曲线平滑。还发现,由于还原气氛烧结,材料中电导损耗增加导致介质损耗上升。

Y5V多层陶瓷电容器低频介电性能失效研究

研究了Y5V多层陶瓷电容器(MLCC)在直接浸泡和电化学注氢两种作用下的低频介电性能。结果表明直接浸泡对样品性能的影响很小,这与电子元器件成品的封装技术造成的保护作用有关。然而电化学注氢会对样品造成显著的影响,样品的电容值会随之减小,同时其介电损耗及漏电流增大,这是由于电化学注氢过程中所产生的氢离子会沿着电容器的电极进入元件内部,从而与原材料产生作用造成的,这种作用效果会随着电容器的多层结构而显著表现出来。

还原气氛烧成Y5V型瓷粉的结构与介电性能(英文)

运用SEM、TEM、XRD等手段研究了掺杂组分对钛酸钡基Y5V陶瓷的结构和性能影响。结果表明:由于掺杂组分的存在,烧结情况得到了明显的改进。掺杂钛酸钡陶瓷的烧结包括固-固烧结和液-固烧结。Zr和稀土元素能够扩散进入钛酸钡晶格并促进固-固烧结,SiO2主要聚集在晶界并促进液-固烧结烧结。Nd5+聚集在晶界并促进针状颗粒生成,XRD的结果表明样品中有新相形成。由于掺杂的引入,材料的居里温度向低温方向移动,材料的介温曲线较纯钛酸钡材料的介温曲线更趋平坦。研究的结果还表明,由于在还原气氛中烧结,材料的介电损耗上升。

纳米CuO掺杂(Ba_(0.87)Ca_(0.09)Sr_(0.04))(Ti_(0.90)Zr_(0.04)Sn_(0.06))O_3基Y5V陶瓷的制备与表征

目的以纳米CuO作为烧结助剂制备(Ba0.87Ca0.09Sr0.04)(Ti0.90Zr0.04Sn0.06)O3陶瓷(BC-STZS),研究纳米CuO的用量及烧结温度对BCSTZS陶瓷的微观形貌以及介电性能的影响,以期获得低烧Y5V型陶瓷材料。方法采用固相法掺入纳米CuO制备一系列的BCSTZS陶瓷。通过XRD,TEM和SEM对样品进行表征,并测试陶瓷的介电性能。结果在低温烧结时,陶瓷的密度和介电常数随CuO掺杂量的增加而增大,纳米CuO可以将BCSTZS陶瓷的烧结温度降低到1 150℃。当纳米CuO含量为1.5%(质量分数)时,BCSTZS陶瓷材料满足EIA Y5V标准,其εmax=8 690,介质损耗为1.67%,绝缘电阻率为5×1013Ω.cm。结论采用纳米CuO为助烧剂制备的BCSTZS陶瓷具有气孔率小、密度较大,晶粒大小一致且分布均匀的特点,采用该方法可以在低温下得到满足Y5V标准的BSCTZS基陶瓷材料。该研究具有重要的应用前景。

Y5V型钛酸钡基介质瓷料的研究现状和展望

Y5V型BaTiO3基介电陶瓷具有介电性能高、温度稳定性好等优点，因此被广泛的应用和研究。本文从Y5V型介电陶瓷研究的现状、制备方法、掺杂改性、低烧等方面进行了综述，并对其发展方向进行了展望。

常压水热法制备BTZ粉体及其在Y5V瓷粉中的应用

采用常压水热法制备锆钛酸钡粉体，研究了工艺参数对锆钛酸钡粉体颗粒大小的影响，以及粉体颗粒、Ba/（Ti＋Zr）摩尔比对制成的Y5V瓷粉介电性能的影响。结果表明：选择改进的加料方式，再通过洗涤控制，可以得到粒度（D50）在0.4~0.5μm、Ba/（Ti＋Zr）摩尔比为1.0的粉体；其能与抗还原剂、助熔剂很好匹配，获得性能优良（εr≥15000，tanδ＜30×10^–4，–80%≤？C/C20≤＋30%）的镍内电极MLCC用Y5V瓷料。

BaTiO_3基Y5V型多层陶瓷电容器的介电与储能特性分析

多层陶瓷电容器(MLCC)是电子信息技术的基础元件,在电子工业中被广泛应用。其中Ba Ti O_3基Y5V型MLCC拥有高的介电性能,好的温度稳定特性,市场需求较大,备受关注。本文以其为研究对象,分析单层厚度超薄的Y5V型Ba Ti O_3基MLCC的介电特性与储能特性,借助于介电频谱和温谱分析其介电极化对外场的响应特点。研究结果表明:Y5V型MLCC的介电常数被直流偏压所抑制,谐振频率随偏压的增加向高频方向移动,其静电储能密度达到了1.76 J/cm^3,储能效率随外电场的增加逐渐降低。

镍内电极Y5V特性MLCC烧结工艺研究

制备了镍内电极Y5V特性多层陶瓷电容器(MLCC),采用SEM、DPA等分析手段研究了烧结工艺对样品电性能和可靠性的影响,结果发现,合适的烧结温度可以使陶瓷晶粒生长充分均匀,使陶瓷体致密度高。合适的烧结气氛可以减小样品在烧结时的内部应力,从而防止内部缺陷的发生。烧结温度和烧结气氛的合理匹配,可以使样品的电性能和可靠性达到最优。

MgO掺杂Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3基电容器陶瓷的研究

以通用的陶瓷工艺合成Ba0.7Sr0.3TiO3基电容器陶瓷。通过实验研究MgO掺杂量对材料εr、tanδ和容量温度变化率等性能的影响,探讨了MgO的掺杂改性机理。结果表明:MgO具有减小介电常数温度变化率,降低陶瓷气孔率,细化陶瓷晶粒尺寸的作用。当MgO的质量分数为0.20%时,陶瓷的εr达最大值4528;质量分数为1.00%时,得到εr为4090,tanδ为0.0043,介电常数温度变化率为21.1%的Y5V瓷料。

烧结温度对Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3-Zn-Nb-Sm陶瓷微观结构与介电性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备了Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3-Zn-Nb-Sm粉体,在1260℃-1320℃不同烧结温度下制备了锆钛酸钡基陶瓷。利用XRD和SEM图分析了样品的物相及微观形貌,并研究了烧结温度对相组成、微观形貌、居里温度及介电性能的影响规律。研究表明:陶瓷在1280℃烧结时,样品为钙钛矿结构,晶粒大小均匀,陶瓷的室温介电常数达到19384,容温变化率符合Y5V标准。

烧结温度对Zn-Nb共掺Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3陶瓷微结构与介电性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备Y5V型Zn、Nb共掺杂Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3陶瓷,通过XRD、SEM等分析检测手段对样品进行表征。研究了烧结温度对陶瓷相组成、微观结构、介电性能及介电弛豫的影响。结果表明:样品为单一的四方相钙钛矿结构,随着烧结温度的增加,陶瓷晶粒尺寸与介电常数增大,弥散相变系数(γ)先增加后减小。当陶瓷的烧结温度为1 280℃时,陶瓷的平均晶粒尺寸约为3μm、密度(6.0346g/cm^3)与γ(1.909 2)达到最大值,室温相对介电常数(ε_r)和介电损耗(tanδ)分别为14 849和0.37%。

包覆型锆钛酸钡基陶瓷的性能研究

采用溶胶-凝胶法制备钛酸钡基符合Y5V标准的MLCC用介质陶瓷材料,粉体经包覆改性后所制备的陶瓷材料的性能会得到优化,能够充分体现出包覆这种掺杂改性的方法对陶瓷材料性能的优化所体现的意义和价值。采用沉淀法制备具有"芯-壳"结构的BZTZN@Al_2O_3复合粉体,研究Al_2O_3包覆对BZTZN基陶瓷体系微观结构及介电性能的影响规律。

烧结保温时间对Ba(Zr0．1Ti0.9)O3-Zn-Nb陶瓷微观结构与介电性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备Y5V型Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3-Zn-No陶瓷,通过XRD、SEM等分析检测手段对样品进行表征。研究了烧结保温时间对Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3-Zn-No陶瓷相组成、微观结构、介电性能及介电弛豫的影响。结果表明:样品均为单一钙钛矿结构,且随着烧结保温时间的增加,陶瓷晶粒尺寸与介电常数增大,弥散相变系数(y)先增加后减小。

(Ba_(0.87)Sr_(0.04)Ca_(0.09))(Ti_(0.94-x)Zr_xSn_(0.06))O_3基纳米粉体及其陶瓷的制备与表征

目的改进(Ba0.87Sr0.04Ca0.09)(Ti0.94-xZrxSn0.06)O3基(BSCTZS)纳米粉体及其陶瓷的制备方法,研究Zr含量对BSCTZS粉体及陶瓷相组成、微观结构及其介电性能的影响,得到细晶高介电常数Y5V陶瓷材料。方法采用溶胶-凝胶法制备了一系列BSCTZS基(0.04≤x≤0.12)纳米粉体及其陶瓷,通过TG-DTG,XRD,TEM和SEM对样品进行表征,并测试陶瓷的介电性能。结果 BSCTZS粉体为立方相钛酸钡,其平均粒径小于100nm。随着Zr含量的增大,陶瓷的居里峰移向低温,介温谱ε-T趋于平缓,容温变化率得到改善,当Zr摩尔分数为8%时,陶瓷的室温介电常数达13200以上,并满足EIAY5V标准。结论溶胶-凝胶法工艺简单、均匀性好、纯度高、配方容易控制、粉体烧结活性较好,采用该方法可以得到满足Y5V标准的BSCTZS基陶瓷材料。

pH值对溶胶-凝胶法制备Ba(Ti0.86Zr0.14)O3基粉体及陶瓷的影响研究

通过溶胶-凝胶一步法制备了晶粒尺寸在10μm以下的致密的Ba(Ti0.86Zr0.14)O3基Y5V型陶瓷,系统研究了溶胶的pH值对粉体的粒径、陶瓷的烧结及介电性能的影响规律。结果表明,溶剂的pH值对粉体的形成、粒度分布和团聚产生影响,进而影响到陶瓷的性能。pH=2.5时制备的陶瓷的最大介电常数达到21200。在溶胶-凝胶一步法中,所有的反应都发生在原子尺度上,最终得到结晶程度高、化学计量组成均匀的纳米颗粒,为制备高纯超细的钛酸钡基Y5V陶瓷开辟了新的途径。

Ho掺杂对Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_(3)基陶瓷介电性能的影响

目的通过Ho掺杂提高Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_(3)(BZT)基Y5V型陶瓷的介电性能。方法采用Sol-gel一步法研究Ho掺杂对BZT基Y5V型纳米粉体及陶瓷微观形貌及介电性能的影响规律。结果当Ho含量为0.10 mol%时,陶瓷最大介电常数为19943,容温变化率(TCC)符合Y5V标准。结论随Ho含量的增加,BZT陶瓷的居里温度向低温方向移动,居里峰展宽,最大介电常数先增大后减小。因此,通过匹配的元素对材料进行掺杂改性,同时辅以优化的制备工艺可以实现陶瓷介电性能的有效提升。

改性PFN-PFW系MLC瓷料反应机理和电性能的研究

本文研究了复合钙钛矿ＰＦＮ－ ＰＦＷ 系统的介电性能。采用控制最佳预烧温度和添加稳定剂以及传统的陶瓷工艺一步合成法，制备出的ＭＬＣ＊ ＊ 瓷料，钙钛矿相含量接近１００ ％ ，介电性能完全符合Ｙ５Ｖ 特性，制成圆片电容器烧结温度≤９５０ ±２０ ℃。ε＝ ２００００ ±２０００ ，ｔｇδ≤１ ．０ ×１０ － ２ ，△Ｃ／Ｃ≤６０ ％ （ － ３０ ℃～＋ ８５ ℃） ，ＩＲ≥１０１０Ω；在Ｐｏｌａｍａｒ 线上制成 ＭＬＣ，其烧结温度为９４０ ±１０ ℃，ε＝ ２５０００ ±１０００ ，ｔｇδ≤１ ．５ ×１０ － ２ ，△Ｃ／Ｃ≤６０ ％ （ － ３０ ℃～＋８５ ℃） ，ＩＲ≥１０１０Ω。按新国标进行例验，产品全部合格。

水性粘合剂对Ni-MLCC流延成型的影响

以聚丙烯酸酯乳液为粘合剂,采用水基流延成型制备了镍电极多层陶瓷电容器(Ni-MLCC)。利用扫描电子显微镜对膜片表面形貌进行了分析,研究了该水性粘合剂对Ni-MLCC陶瓷浆料黏度、膜片拉伸强度以及所制电容器的电性能的影响。结果表明:粘合剂的用量以质量分数10%为最佳,流延成型所得膜片表面光滑,无缺陷,瓷粉分散均匀,所制备电容器的各项电性能符合EIA-Y5V规范。

V_(85)Ti_(10)Y_(5)和V_(85)Ti_(10)Cu_(5)合金的组织结构与氢分离性能

利用高真空非自耗电弧熔炼炉制备了V_(85)Ti_(10)Y_(5)和V_(85)Ti_(10)Cu_(5)氢分离合金。通过SEM、TEM、XRD、氢渗透试验、PCT吸氢试验、恒压缓冷试验,研究了Y、Cu元素的加入对合金氢渗透性能、氢溶解性能及抗氢脆性能的影响。结果表明:铸态V85Ti10Y5和V85Ti10Cu5合金组织均由V-基体和第二相组成,但前者第二相是弥散分布的富Y颗粒,而后者为既在晶内析出又沿晶界连续分布的铜钛金属间化合物。V_(85)Ti_(10)Y_(5)合金中Y_(2)O_(3)的生成及V_(85)Ti_(10)Cu_(5)合金中部分固溶Cu的斥氢作用和Cu2Ti形成使V中Ti的固溶量减少,进而降低合金中的氢浓度,减小氢固溶产生的内应力,提高抗氢脆性能。V_(85)Ti_(10)Y_(5)和V_(85)Ti_(10)Cu_(5)合金在缓冷过程中均未发生氢脆现象,表现出优异的抗氢脆性能,而且在673K时的氢渗透率分别为0.139×10^(-6)和0.174×10^(-6)mol·H_(2)·m^(-1)·s^(-1)·Pa^(0.5),是Pd_(77)Ag_(23)氢渗透率的5.5和6.9倍,与商用钯合金相比均展现出较高的渗透率。

Er^3+:V0.01Y2.99Al5N0.01F0.01O11.98/BiPO4/Pt光催化剂的制备及其在降解废水中亚甲基蓝的应用

通过溶胶-凝胶法合成了上转换发光材料Er^3+:V0.01Y2.99Al5N0.01F0.01O11.98(Er:YAG),然后利用水热法合成了BiPO4,再利用高温煅烧法合成了Er:YAG/BiPO4/Pt复合物光催化剂.通过使用X-射线粉末衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM),光致发光光谱(PL)和上转换发射光谱对样品的组成、形貌及光学特征进行了表征.此外,还研究了不同甘油添加量、Er:YAG和BiPO4的摩尔比例和复合温度及光催化剂的循环使用次数对Er:YAG/BiPO4/Pt复合物光催化剂活性的影响.实验结果显示Er:YAG/BiPO4/Pt复合物光催化剂具有高的光催化活性和较好的稳定性,它可以作为一种高效的光催化剂用于污水中有机污染物的处理.