掺铈YAP晶体的时间响应性能测量

对YAP:Ce晶体的时间响应性能进行了测量。利用锁模激光器产生的266nm激光照射到YAP:Ce晶体上,用GD40透紫光电管接受晶体产生的荧光,测量了YAP:Ce晶体的时间特性,得到了完整波形和时间性能参数。测量结果表明,波形前沿、半高宽、后沿和衰减时间分别为0.86ns、12.53ns、41.30ns和18.77ns。通过实验发现该晶体衰减时间很短(～26ns),比NaI:Tl快一个量级。且该晶体具有高光输出、高能量分辨率、高时间分辨率、对γ辐射敏感、γ/n甄别能力强等特点,该国产晶体在γ脉冲辐射测量中是一种比较好的候选晶体。