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Yb∶YAl_3(BO_3)_4 晶体形貌与生长速度的关系 被引量:4
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作者 赵珊茸 王继扬 +3 位作者 刘耀岗 李静 刘宏 孙大亮 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期53-58,共6页
观察测量了不同生长速度 (相应于不同降温速度 )自发成核生长的Yb∶YAl3(BO3) 4 晶体形貌。粒度较大 ( >2mm)的晶体不管降温速度快慢形态都很简单 ,只发育六方柱 { 112 0 }和菱面体 { 10 11} ;粒度较小 ( <2mm)的晶体形态随降温... 观察测量了不同生长速度 (相应于不同降温速度 )自发成核生长的Yb∶YAl3(BO3) 4 晶体形貌。粒度较大 ( >2mm)的晶体不管降温速度快慢形态都很简单 ,只发育六方柱 { 112 0 }和菱面体 { 10 11} ;粒度较小 ( <2mm)的晶体形态随降温速度增快而变复杂 ,发育一些罕见的高指数晶面。说明在生长速度较快的条件下 ,在晶体生长早期 ,一些高能面发育 ,在晶体生长后期已尖灭了 ,晶体生长的大部分时间是在低能面 { 112 0 }和 { 10 11}上进行的。对比了不同生长条件下晶面的粗糙度 ,随着降温速度的增快 ,六方柱面 { 112 0 }和菱面体面 { 10 11}由光滑变粗糙 ,顶面 { 0 0 0 1}永远是粗糙的。从晶体结构上定性地探讨了 3种晶面的杰克逊因子α及生长机理。 展开更多
关键词 Yb:yal3(bo3)4晶体 晶体形貌 生长机理晶体 生长速度
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Er^(3+),Yb^(3+)∶YAl_3(BO_3)_4晶体的光谱性质研究 被引量:6
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作者 李静 王继扬 +3 位作者 张怀金 苏静 谭浩 宋峰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期367-370,共4页
采用助熔剂法生长了Er3 + ,Yb3 + 共掺的YAl3 (BO3 ) 4 晶体 ,测量了晶体的室温吸收谱。由此吸收谱 ,根据Judd Ofelt理论计算了Er3 + 在Er3 + ,Yb3 + ∶YAl3 (BO3 ) 4 晶体中的强度参数、自发辐射几率、积分发射截面等参数。强度参数为... 采用助熔剂法生长了Er3 + ,Yb3 + 共掺的YAl3 (BO3 ) 4 晶体 ,测量了晶体的室温吸收谱。由此吸收谱 ,根据Judd Ofelt理论计算了Er3 + 在Er3 + ,Yb3 + ∶YAl3 (BO3 ) 4 晶体中的强度参数、自发辐射几率、积分发射截面等参数。强度参数为Ω2 =2 .4 4× 10 -2 0 cm2 、Ω4=2 .0 0× 10 -2 0 cm2 、Ω6=6 .10× 10 -2 0 cm2 。研究了晶体的荧光特性 ,并在 976nm激光泵浦下得到了上转换绿色荧光。 展开更多
关键词 Er^3+ Yb^3+:yal3(bo3)4晶体 激光材料 光谱性质 晶胞
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红色荧光粉YAl_3(BO_3)_4:Eu^(3+)的制备及发光性能研究 被引量:3
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作者 贾林艳 邵忠宝 韩俊凤 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2010年第7期26-27,39,共3页
以稀土氧化物、硝酸铝和硼酸为原料,高温固相反应制备了单相红色荧光粉YAl3(BO3)4:Eu3+,用X射线衍射和发射光谱对荧光粉末的结构和发光性能进行了分析。研究了煅烧温度、Eu3+掺杂量对其发光性能的影响。结果表明,反应物在1 250℃下煅烧... 以稀土氧化物、硝酸铝和硼酸为原料,高温固相反应制备了单相红色荧光粉YAl3(BO3)4:Eu3+,用X射线衍射和发射光谱对荧光粉末的结构和发光性能进行了分析。研究了煅烧温度、Eu3+掺杂量对其发光性能的影响。结果表明,反应物在1 250℃下煅烧可制得单相YAl3(BO3)4:Eu3+晶体,在YAl3(BO3)4:Eu3+晶体中,Eu3+取代了YAl3(BO3)4晶体中Y3+,占据了非对称中心格位。在394 nm的紫外光激发下,YAl3(BO3)4:Eu3+荧光粉具有很强的发光性能,与(Y,Gd)BO3:Eu3+荧光粉相比,最强发射线波长由596 nm变为618 nm,由橙红色光变为红色光,色纯度有了很大提高。Eu3+的最佳掺杂量为8%(物质的量分数)。 展开更多
关键词 荧光粉 稀土 硼酸盐 发光材料 yal3(bo3)4:Eu3+
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Yb:GdYAl_3(BO_3)_4晶体的生长及性质研究 被引量:3
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作者 李静 王继扬 +4 位作者 赵守任 谭浩 程绣凤 宋峰 赵洪阳 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期529-531,共3页
采用助熔剂法生长了Y b:G dYA l3(BO3)4晶体。测量了晶体的室温吸收谱和荧光谱。该晶体在960 nm和974 nm处存在两个吸收带,适合InG aA s泵浦;在1 002 nm和1 044 nm处各存在一荧光谱峰。研究了晶体的热学性质,平行于c轴方向的热膨胀系数... 采用助熔剂法生长了Y b:G dYA l3(BO3)4晶体。测量了晶体的室温吸收谱和荧光谱。该晶体在960 nm和974 nm处存在两个吸收带,适合InG aA s泵浦;在1 002 nm和1 044 nm处各存在一荧光谱峰。研究了晶体的热学性质,平行于c轴方向的热膨胀系数约为a轴方向的5.4倍。采用化学腐蚀光学显微法研究晶体缺陷证明Y b:G dYA l3(BO3)4中存在孪晶结构。 展开更多
关键词 助熔剂法 Yb:Gdyal3(bo3)4 光谱性质 热膨胀 化学腐蚀
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Tb:YAl_3(BO_3)_4晶体的生长与光谱性质 被引量:1
5
作者 李静 王继扬 +3 位作者 胡晓波 程绣风 刘耀岗 孔海宽 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第5期393-395,共3页
采用助溶剂法成功地生长了Tb:YAl_3(BO_3)_4晶体。测量了晶体的室温透过谱和荧光光谱。晶体的透光波段较宽,紫外截止吸收边在230nm附近。实验表明,在一定能量光的激发下,晶体在485nm、542nm、590nm、622nm处可产生强弱不同的发射谱峰。... 采用助溶剂法成功地生长了Tb:YAl_3(BO_3)_4晶体。测量了晶体的室温透过谱和荧光光谱。晶体的透光波段较宽,紫外截止吸收边在230nm附近。实验表明,在一定能量光的激发下,晶体在485nm、542nm、590nm、622nm处可产生强弱不同的发射谱峰。在542nm处最强,对应于Tb^(3+)的~5D_4→~7F_5发射。Tb:Al_3(BO_3)_4晶体的比热为0.755 0 展开更多
关键词 助溶剂法 Tb:yal3(bo3)晶体 光谱性能
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Luminescence properties of YAl_3(BO_3)_4 phosphors doped with Eu^(3+) ions 被引量:2
6
作者 李桂芳 曹全喜 +1 位作者 李智敏 黄云霞 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第6期792-794,共3页
YAl3 (BO3)4: Eu^3+ phosphors were prepared by the conventional solid state reaction. The phase structure and morphology were investigated by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscope (SEM). Dopi... YAl3 (BO3)4: Eu^3+ phosphors were prepared by the conventional solid state reaction. The phase structure and morphology were investigated by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscope (SEM). Doping YAl3(BO3)4: Eu^3+ phosphors with concentration of Eu^3+ ions of 0, 2, 5, 8 and 10 mol% were studied and their luminescent properties at room temperature were discussed. The excitation spectrum of Y0.95Eu0.05Al3(BO3)4 was composed of a broad band centered at about 252 nm and a group of lines in the longer wavelength region. In the emission spectra, the peak wavelength was about 614 nm under a 252 nm UV excitation. The optimal doping concentration of Eu^3+ ions in YAl3(BO3)4: Eu^3+ phosphors was 8 mol%. 展开更多
关键词 yal3(bo3)4:Eu^3 solid state reaction LUMINESCENCE PHOSPHORS rare earths
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不同掺杂浓度Yb^(3+):YAl_3(BO_3)_4晶体光谱研究
7
作者 廖金生 黄艺东 +1 位作者 林炎富 陈雨金 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期609-613,共5页
采用顶部籽晶法生长了不同浓度Yb3+:YA l3(BO3)4(Yb:YAB)晶体,X射线粉末衍射(XRD)结果表明晶体的结构与YAB相同。研究了室温下不同掺杂浓度Yb:YAB晶体的偏振吸收光谱,以及块状的偏振荧光谱和粉末的非偏振荧光光谱,通过对不同浓度掺杂Yb:... 采用顶部籽晶法生长了不同浓度Yb3+:YA l3(BO3)4(Yb:YAB)晶体,X射线粉末衍射(XRD)结果表明晶体的结构与YAB相同。研究了室温下不同掺杂浓度Yb:YAB晶体的偏振吸收光谱,以及块状的偏振荧光谱和粉末的非偏振荧光光谱,通过对不同浓度掺杂Yb:YAB晶体粉末的非偏振荧光谱的分析,实验结果表明:随着Yb3+离子掺杂浓度的增加,辐射陷阱效应对荧光谱的影响越来越严重;因此,提出了Yb:YAB晶体中荧光谱的重心波长移动与Yb3+离子掺杂浓度之间的经验关系来定量分析Yb3+离子掺杂浓度变化对辐射陷阱的影响。并且比较了不同浓度Yb:YAB晶体的光谱参数,结果表明高浓度Yb:YAB晶体是一种潜在的微片和自倍频激光材料。 展开更多
关键词 Yb3+:yal3(bo3)4晶体 Yb3+浓度 晶体生长 光谱性质 稀土
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1.5μm波段多波长Er:Yb:YAl_3(BO_3)_4激光器
8
作者 陈雨金 林炎富 +3 位作者 龚兴红 张戈 罗遵度 黄艺东 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第S3期64-67,共4页
采用熔盐法获得了Yb3+和Er3+离子掺杂浓度分别为25和1.1at.%的YAl3(BO3)4晶体。利用970nm半导体激光器作为泵浦源,通过调节其准连续运转的占空比实现了增益介质在不同晶体温度下的激光运转,并分析了不同Er:Yb:YAl3(BO3)4晶体温度对1.5μ... 采用熔盐法获得了Yb3+和Er3+离子掺杂浓度分别为25和1.1at.%的YAl3(BO3)4晶体。利用970nm半导体激光器作为泵浦源,通过调节其准连续运转的占空比实现了增益介质在不同晶体温度下的激光运转,并分析了不同Er:Yb:YAl3(BO3)4晶体温度对1.5μm波段输出波长的影响。在端面泵浦的平-凹腔中,分别实现了1600、1550、1540、1520nm4种波长的激光运转,其斜率效率分别为21%、6%、17%、15%。当吸收泵浦功率为15.7W时,这4种激光波长的最大准连续输出功率分别达到2.4,0.64,1.5和1.2W。这种输出波长的温度效应有可能成为一种获取1.5μm波段特定应用波长激光的方法。 展开更多
关键词 1.5μm波段激光 多波长 Er:Yb:yal3(bo3)4晶体
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Yb^(3+)掺杂对Yb:GdYAl_3(BO_3)_4晶体性质的影响
9
作者 李静 徐国纲 +2 位作者 程艳 韩树娟 王继扬 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2010年第5期867-869,881,共4页
采用助熔剂法生长了不同Yb3+掺杂量的Ybx:Gd0.20Y0.8-xAl3(BO3)4(Yb:GdYAB)。对比分析Yb3+掺杂量对晶体的晶胞参数、室温吸收光谱、荧光光谱、荧光寿命、比热等性质的影响,结果表明,Yb3+掺杂量对晶体的生长、光谱和比热有较大的影响。随... 采用助熔剂法生长了不同Yb3+掺杂量的Ybx:Gd0.20Y0.8-xAl3(BO3)4(Yb:GdYAB)。对比分析Yb3+掺杂量对晶体的晶胞参数、室温吸收光谱、荧光光谱、荧光寿命、比热等性质的影响,结果表明,Yb3+掺杂量对晶体的生长、光谱和比热有较大的影响。随着Yb3+掺杂量的增加,吸收峰的半波宽增大,吸收强度提高。随着Yb3+掺杂量的增加,Yb:GdYAB晶体的荧光光谱的强度下降,荧光寿命逐渐降低。随着Yb3+掺杂量的增加,Yb:GdYAB晶体的比热逐渐变小。研究结果表明,选择适中的Yb3+掺杂量,不仅有利于Yb:GdYAB晶体的生长,也能保证各种性能都较优良,更有利于实现自倍频激光的输出。 展开更多
关键词 Ybx:Gd0.20Y0.8-xAl3(bo3)4 Yb3+掺杂 光谱性质 吸收光谱 荧光光谱
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共沉淀法合成YAl_3(BO_3)_4:Ce,Tb绿色荧光粉及其性能研究 被引量:1
10
作者 李优 李宗元 +4 位作者 梁乃祥 余兆伟 孙亚玲 孙琳 董丽敏 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2012年第4期97-100,共4页
采用化学共沉淀法合成YAl3(BO3)4:Ce,Tb绿色硼铝酸盐发光材料,通过X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)光谱对其晶体结构和荧光光谱进行研究.测试结果表明:YAl3(BO3)4:Ce,Tb发光材料属于三方晶系、空间群R32,掺入Ce3+,Tb3+离子后晶格结构没有... 采用化学共沉淀法合成YAl3(BO3)4:Ce,Tb绿色硼铝酸盐发光材料,通过X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)光谱对其晶体结构和荧光光谱进行研究.测试结果表明:YAl3(BO3)4:Ce,Tb发光材料属于三方晶系、空间群R32,掺入Ce3+,Tb3+离子后晶格结构没有变化;发光材料的发射光谱主峰位于541 nm处的Tb3+的5D4→7F5跃迁峰,Ce3+离子对Tb3+有敏化作用;掺杂的稀土离子配比为Ce:Tb=0.3:0.1,B的掺杂量为25%,在1 100℃下、高温烧结2h的样品的荧光强度最好. 展开更多
关键词 YA13(bo3)4:Ce Tb荧光粉 Ce3+的敏化 激发光谱 发射光谱
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Morphology, Growth Process and Symmetry of {0001} Face on Yb:YAl_3(BO_3)_4 Crystal 被引量:2
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作者 ShanrongZHAO JiyangWANG +2 位作者 DaliangSUN JingLI XiaoboHU 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第2期120-122,共3页
The {0001} face develops on the habit of self-frequency doubling laser crystal Yb: YAI3(B03)4 (YbYAB) only under high growth rate condition, and its morphology is rough. To study the growth mechanism of {0001} face, w... The {0001} face develops on the habit of self-frequency doubling laser crystal Yb: YAI3(B03)4 (YbYAB) only under high growth rate condition, and its morphology is rough. To study the growth mechanism of {0001} face, we have observed the growth morphology on {0001} polishing section by atomic force microscopy (AFM). A series of AFM images captured in different growth durations on the {0001} polishing section reflect the crystal growth process. It is shown that the growth morphology on the {0001} polishing section was rough with many hillocks at the first growth stage, and it can become smooth finally, although the growth morphology on the {0001} face developed naturally on YbYAB crystal habit is always rough. On the smooth {0001} surface formed at the last growth stage, there are some triangular pits. This fact is different from that of hillocks in most crystal growth morphologies. AFM can easily distinguish the pits or hillocks on the surface, but differential interfere contrast microscopy (DIC) can not do. The orientation of the triangular pits is just the opposite to the triangular {0001} faces. The chemical etching pattern is also composed of this kind of triangular pits. These growth morphology and etching pattern of the {0001} faces show 3m symmetry, but the point group of YbYAB crystal is 32. The symmetric contradiction between morphology and point group does not exist for quartz, although which has the same point group as YbYAB. From quartz {0001} surface morphology we can distinguish the right form or left form of the crystal, but from YbYAB {0001} surface morphology we can not do. The reason for the symmetric contradiction between YbYAB {0001} surface morphology and its point group is not known yet. 展开更多
关键词 Yb:yal3(bo3)4 Growth morphology Etching pattern AFM
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Ln_7O_6(BO_3)(PO_4)_2∶Eu(Ln=La,Gd,Y)的VUV-UV激发和辐射发光 被引量:3
12
作者 初本莉 刘行仁 +4 位作者 王晓君 金伟华 陶冶 王渭 侯雪颖 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期263-267,共5页
本文报道了Ln7O6(BO3) (PO4 ) 2 ∶Eu(Ln =La ,Gd ,Y)在VUV UV区的激发光谱及Eu3 + 在可见区的发射光谱。其激发光谱包括基质在真空紫外区的激发带和激活剂离子在紫外区的Eu3 + O2 -电荷迁移带 ,随La3 + ,Gd3 + ,Y3+ 离子半径逐渐减小 ... 本文报道了Ln7O6(BO3) (PO4 ) 2 ∶Eu(Ln =La ,Gd ,Y)在VUV UV区的激发光谱及Eu3 + 在可见区的发射光谱。其激发光谱包括基质在真空紫外区的激发带和激活剂离子在紫外区的Eu3 + O2 -电荷迁移带 ,随La3 + ,Gd3 + ,Y3+ 离子半径逐渐减小 ,Eu3 + O2 -电荷迁移带的重心位置逐渐向高能量方向移动 ,Gd7O6(BO3) (PO4 ) 2 ∶Eu和Y7O6(BO3) (PO4 ) 2 ∶Eu在真空紫外区的吸收与Eu3+ O2 -电荷迁移带位于紫外区的吸收的比值要高于在La7O6(BO3) (PO4 ) 2 ∶Eu中的这个比值。激发能可被基质吸收 ,传递给激活剂离子 ,得到Eu3 + 的红光发射。在Gd7O6(BO3) (PO4 ) 2 ∶Eu中 ,5D0 →7F1的发射强度较强 ,在Y7O6(BO3) (PO4 ) 2 ∶Eu中 ,5D0→7F2 和5D0 →7F3的跃迁较强。 展开更多
关键词 VUV-UV 激发光谱 发射光谱 EU^3+离子 Ln7O6(bo3)(PO4)2:Eu(Ln=La Gd Y) 荧光材料 辐射发光
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GdAl_3(BO_3)_4:Eu^(3+)荧光粉的光致发光特性 被引量:10
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作者 王育华 远滕忠 都云昆 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期772-778,共7页
用硝酸盐热分解法合成了单相粉末样品Gd1-xEuxAl3(BO3)4(0≤x≤1)。研究了Eu3+在GdAl3(BO3)4中的紫外和真空紫外光谱性质。GdAl3(BO3)4:Eu3+中稀土离子占据非中心对称的格位,Eu3+在其中的特征发射以5D0→7F2电偶极跃迁为主。在147nm激发... 用硝酸盐热分解法合成了单相粉末样品Gd1-xEuxAl3(BO3)4(0≤x≤1)。研究了Eu3+在GdAl3(BO3)4中的紫外和真空紫外光谱性质。GdAl3(BO3)4:Eu3+中稀土离子占据非中心对称的格位,Eu3+在其中的特征发射以5D0→7F2电偶极跃迁为主。在147nm激发下GdAl3(BO3)4:Eu3+呈色坐标为(0.645,0.330)的强红光发射,说明是非常有前途的PDP用红色发光材料。在GdAl3(BOa)4:Eu3+的真空紫外光谱中观察到两个峰,158nm的激发带归属于BO3基团的吸收,258nm处的激发带为Eu3+→O2-的电荷转移跃迁带。在147nm激发下,GdAl3(BO3)4:Eu3+的红光发射强度随着Eu3+浓度的增加而减弱,而在258nm激发下随Eu3+浓度的增大Eu3+的红光发射增强,说明它们发光的机理不同。 展开更多
关键词 GdAl3(bo3)4 发光 紫外及真空紫外光谱
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(Y,Gd)Al_3(BO_3)_4:Ce,Tb的光谱特性及稀土离子间的能量传递 被引量:5
14
作者 刘端阳 何大伟 +2 位作者 康凯 刘春棠 李少霞 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期473-475,共3页
采用高温固相反应合成了(Y,Gd)Al3(BO3)4中掺杂Ce3+和Tb3+的样品,并研究了其结构特性、光谱特性和发光过程中稀土离子间的能量传递。(Y,Gd)Al3(BO3)4属于三角晶系,具有R32的空间群,掺入Ce3+,Tb3+杂质后晶格结构没有变化。(Y,Gd)Al3(BO3)... 采用高温固相反应合成了(Y,Gd)Al3(BO3)4中掺杂Ce3+和Tb3+的样品,并研究了其结构特性、光谱特性和发光过程中稀土离子间的能量传递。(Y,Gd)Al3(BO3)4属于三角晶系,具有R32的空间群,掺入Ce3+,Tb3+杂质后晶格结构没有变化。(Y,Gd)Al3(BO3)4:Ce,Tb的激发光谱由3个宽谱带组成,这3个谱带分别对应于Ce3+的4f-5d跃迁吸收。在该体系中存在Ce3+→Tb3+,Gd3+→Tb3+和Gd3+→Ce3+的能量传递,其中Ce3+起敏化剂和中间体的双重作用。 展开更多
关键词 (Y Gd)Al3(bo3)4 激发光谱 发射光谱 能量传递 稀土
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(Y,Gd)Al_3(BO_3)_4:Tb的真空紫外光谱特性 被引量:5
15
作者 刘端阳 何大伟 +4 位作者 康凯 刘春棠 李少霞 沈芳 陶冶 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1034-1037,共4页
(Y,Gd)Al3(BO3)4属于三角晶系, 具有R32的空间群, 掺入Ce3+, Tb3+杂质后, 其晶格结构没有变化. (Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb随着Gd3+摩尔浓度增大, 基质吸收带红移. Gd3+和Tb3+之间存在着很有效的能量传递. Gd3+摩尔浓度在一定范围内(0~0.75 m... (Y,Gd)Al3(BO3)4属于三角晶系, 具有R32的空间群, 掺入Ce3+, Tb3+杂质后, 其晶格结构没有变化. (Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb随着Gd3+摩尔浓度增大, 基质吸收带红移. Gd3+和Tb3+之间存在着很有效的能量传递. Gd3+摩尔浓度在一定范围内(0~0.75 mol)增大时, 样品在120~300 nm光谱范围内的激发强度均是增强的; 但是, Gd3+浓度过高造成Gd3+的发射增强, GdAl3(BO3)4:Tb在120~240 nm光谱范围内激发强度很明显下降. (Y,Gd)Al3(BO3)4:Ce, Tb在真空紫外激发下, 发现Tb3+的发光明显的被Ce3+猝灭. 展开更多
关键词 (Y Gd)Al3(bo3)4 PDP(等离子平板显示器) VUV(真空紫外) 猝灭
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H_3BO_3添加量对SrAl_2O_4:Eu^(2+),Dy^(3+)蓄光性能的影响 被引量:4
16
作者 张勤勇 蒋洪川 +1 位作者 张永强 张万里 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期344-346,共3页
采用共沉淀法制备SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+蓄光材料,研究了H3BO3添加量对SrAl2O4:Eu2+,Dy3+蓄光性能的影响.XRD和光学性能测试结果表明,硼酸添加量为5wt%的样品结晶完全,其初始亮度达到5000mcd/m2,余辉时间大于8h,随着硼酸添加量增加,样品结... 采用共沉淀法制备SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+蓄光材料,研究了H3BO3添加量对SrAl2O4:Eu2+,Dy3+蓄光性能的影响.XRD和光学性能测试结果表明,硼酸添加量为5wt%的样品结晶完全,其初始亮度达到5000mcd/m2,余辉时间大于8h,随着硼酸添加量增加,样品结晶程度降低、发光强度逐渐下降、余辉衰减速度加快.因此添加适量硼酸可以改善SrAl2O4:Eu2+,Dy3+的结晶性能和发光性能,过量添加硼酸将导致样品严重结块,SrAl2O4相减少、发光性能大大降低. 展开更多
关键词 共沉淀法 SRAL2O4:EU^2+ DY^3+ 蓄光材料 H3bo3
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凝胶-燃烧法合成(Y,Gd)Al_3(BO_3)_4:Tb^(3+)荧光材料的结构及其发光性能 被引量:3
17
作者 李桂芳 曹全喜 +2 位作者 黄云霞 李志敏 卫云鸽 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1638-1641,共4页
采用凝胶-燃烧法合成掺Tb3+和Gd3+的四硼酸铝钇(Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb3+荧光粉。分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、发光光谱等测试手段分析不同温度下煅烧所得粉体的物相、形貌与发光性质。XRD和SEM结果表明:(Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb3... 采用凝胶-燃烧法合成掺Tb3+和Gd3+的四硼酸铝钇(Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb3+荧光粉。分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、发光光谱等测试手段分析不同温度下煅烧所得粉体的物相、形貌与发光性质。XRD和SEM结果表明:(Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb3+的最低合成温度为1000℃,在该反应过程中,首先形成中间相Al4B2O9、YBO3和Y3Al5O12,而最终形成单相的(Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb3+。随煅烧温度的升高,样品结晶程度越来越好,并且颗粒尺寸随温度的升高而增大,在1100℃时合成的晶粒尺寸比较均匀,平均粒径在1μm左右。发光光谱的测试结果表明:在229nm激发下,(Y,Gd)Al3(BO3)4:Tb3+荧光粉最强发射峰位于542nm处,属于Tb3+的5D4→7F5的跃迁。在该体系中存在Gd3+→Tb3+的能量传递,使得该荧光粉的发光强度随着Gd3+掺杂浓度的增加而增大。 展开更多
关键词 凝胶-燃烧法 (Y Gd)Al3(bo3)4:Tb3+ 荧光粉 发光
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H_3BO_3对微波等离子体法合成SrAl_2O_4∶Eu^(2+),Dy^(3+)的影响 被引量:6
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作者 孙文周 王兵 王玉乾 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期324-330,共7页
采用微波等离子体法合成SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,探讨了H3BO3的加入对材料的光谱性能、余辉性能、相组成结构、微观形貌的影响。结果表明,适量的添加助溶剂H3BO3,有利于增强材料的发光强度,延长余辉时间,但过量的添加反而会... 采用微波等离子体法合成SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,探讨了H3BO3的加入对材料的光谱性能、余辉性能、相组成结构、微观形貌的影响。结果表明,适量的添加助溶剂H3BO3,有利于增强材料的发光强度,延长余辉时间,但过量的添加反而会导致发光性能下降。本试验确定硼酸的最佳添加量为10%。综合检测分析结果推断,硼酸加入后在高温下大部分形成液相,并通过液相传质促进晶体生长,提高基质的结晶程度,同时促进稀土离子Eu2+,Dy3+进入晶格并使其分布更均匀;而少部分则会进入晶格发生B取代Al,引起晶体场畸变,从而提高了材料的发光强度和长余辉特性。 展开更多
关键词 长余辉发光材料 微波等离子体 SrAl2O4:Eu^2+ Dy^3+助熔剂 H3bo3 稀土
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GdAl3(BO3)4和Nd离子掺杂的倍频与自变频激光晶体研究 被引量:1
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作者 涂朝阳 朱昭捷 +3 位作者 李坚富 游振宇 王燕 Brenier Alain 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第10期1843-1853,共11页
采用熔盐顶部籽晶法从K 2 Mo 3 O 10-B 2 O 3助熔剂中生长出尺寸为20 mm的优质GdAl 3(BO 3)4(简称GAB)和Nd^3+激活的自变频激光晶体。确定了GAB晶体的透光波长范围、折射率和倍频系数随波长的变化,结果表明其在整个透光范围内均可实现... 采用熔盐顶部籽晶法从K 2 Mo 3 O 10-B 2 O 3助熔剂中生长出尺寸为20 mm的优质GdAl 3(BO 3)4(简称GAB)和Nd^3+激活的自变频激光晶体。确定了GAB晶体的透光波长范围、折射率和倍频系数随波长的变化,结果表明其在整个透光范围内均可实现相位匹配。测定了Nd^3+∶GAB晶体在室温下的偏振吸收、荧光光谱和荧光寿命,进行了光谱计算,测试了晶体的自变频激光性能,实现了紫外-可见光-红外-中红外多波段激光输出。 展开更多
关键词 GDAL 3(bo 3)4晶体 Nd^3+离子 光谱性能 自变频激光性能
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N^+(N=Li,Na,K)对发光材料M3(M=Ca,Sr,Ba)Y2(BO3)4:Eu^3+光谱的影响 被引量:3
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作者 李盼来 王志军 +1 位作者 高慧颖 杨志平 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2503-2506,共4页
采用高温固相反应方法在空气中制备了M3(M=Ca,Sr,Ba)Y2(BO3)4∶Eu3+红色发光材料,测量结果显示,材料的主发射峰均位于613 nm处,监测613 nm发射峰时,所得材料的激发光谱相同。研究了Li+,Na+和K+对M3(M=Ca,Sr,Ba)Y2(BO3)4∶Eu3+材料激发... 采用高温固相反应方法在空气中制备了M3(M=Ca,Sr,Ba)Y2(BO3)4∶Eu3+红色发光材料,测量结果显示,材料的主发射峰均位于613 nm处,监测613 nm发射峰时,所得材料的激发光谱相同。研究了Li+,Na+和K+对M3(M=Ca,Sr,Ba)Y2(BO3)4∶Eu3+材料激发与发射光谱的影响,结果显示,加入Li+,Na+和K+后,M3(M=Ca,Sr,Ba)Y2(BO3)4∶Eu3+材料的激发与发射光谱的峰值位置并不发生变化,但材料的激发与发射光谱的峰值强度均得到了不同程度的增强。在Li+,Na+和K+掺入浓度相同的条件下,研究发现,与加入Na+和K+时相比,加入Li+时,M3(M=Ca,Sr,Ba)Y2(BO3)4∶Eu3+材料的激发与发射光谱的峰值增强效果最明显。进而研究了Sr3Y2(BO3)4∶Eu3+材料发射峰强度随Li+掺杂浓度的变化情况,结果表明,随着Li+掺杂浓度的增大,Sr3Y2(BO3)4∶Eu3+材料发射峰强度先增大后减小,在Li+浓度为5 mol%时到达峰值,约为未掺杂时的两倍。 展开更多
关键词 M3(M=Ca Sr Ba)Y2(bo3)4∶Eu3+ 发射光谱 激发光谱 Li+ Na+ K+
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