CVD动态沉积法连续制备YBCO超导带

本文报道了用CVD动态沉积法连续制备YBCO超导带的实验结果。以Y(TMHD)_3、Ba(TMHD)_2、Cu(TMHD)_2为挥发源,高纯Ar和O_2分别为载流和反应气体,在移动的金属Ag基带上,以10—15cm/h的带速制出了有强烈C—轴取向的YBCO超导带。最好样品的Jc达到1.4×10~4A/cm^2(78K,OT)。

MOCVD－YBCO在多晶金属Ag基体上的生长特点

本文采用ＭＯＣＶＤ技术，以Ｙ（ＴＭＨＤ）３，Ｂａ（ＴＭＨＤ）２和Ｃｕ（ＴＭＨＤ）２为挥发源，高纯Ａｒ和Ｏ２分别为载流气体和反应剂，金属Ａｇ带为基体，在沉积温度为８５０℃，沉积过程中系统总压低于１．３３ｋＰａ的条件下，研究了４种情况的ＹＢＣＯ生长特点；４种沉积方式所制样品成分的均匀性、沿ｃ－轴取向情况以及表面形貌均存在较大的差别。４种沉积方式所制样品获得的最高Ｊｃ（７８Ｋ，０Ｔ）值分别为１．０４×１０￣４，２．２×１０￣４，１．７×１０￣４和１．４×１０￣４Ａ／ｃｍ￣２。本文还对产生上述结果的原因进行了分析，对有关的工艺问题进行了讨论。