使用一种简单的旋涂热解法结合快速退火,在空气中以载玻片玻璃和FTO为衬底,在热解温度分别为280、320、360℃的条件下制备了一系列具有高化学计量比的硫化亚锡薄膜,并采用元素分析、X射线衍射分析、拉曼光谱分析、场发射扫描电镜分析、...使用一种简单的旋涂热解法结合快速退火,在空气中以载玻片玻璃和FTO为衬底,在热解温度分别为280、320、360℃的条件下制备了一系列具有高化学计量比的硫化亚锡薄膜,并采用元素分析、X射线衍射分析、拉曼光谱分析、场发射扫描电镜分析、紫外可见近红外分析等表征方法,对以上温度所制备硫化亚锡薄膜的Sn/S原子比、薄膜晶相、表面和断面形貌、紫外光区至近红外光区的光吸收做了系统研究。结果表明,在320℃的热解温度和10 min的热解时间条件下,获得的硫化亚锡薄膜中Sn/S的原子比达到1/0.99,直接禁带宽度达到1.46 e V,与太阳能电池吸收层1.50 e V的最佳禁带宽度非常接近。使用该法制备的高化学计量比的硫化亚锡薄膜,在太阳能电池吸收层材料领域具有重要的潜在应用价值。展开更多
The structural and optical properties of semiconductor microcrystals embedded in glassy thin films have prompted considerable interest in the fields of solid state physics and materials science. They are currently sub...The structural and optical properties of semiconductor microcrystals embedded in glassy thin films have prompted considerable interest in the fields of solid state physics and materials science. They are currently subjects of intensive research for both fundamental and practical reasons. Since the semiconductor-embedded glassy films show distinctive optical properties, many studies have been carried out to evaluate the usefulness of this type展开更多
文摘为快速制备高化学计量比的SnS_2薄膜,介绍了一种简单的旋涂热解法,以Sn Cl4·5H2O和硫脲分别为Sn源和S源,在空气中及热解温度分别为200℃、260℃和320℃时制备了系列SnS_2薄膜,这是首次使用旋涂热解法制备SnS_2薄膜的尝试。采用EDS、XRD、Raman、SEM、UV-Vis等手段研究了热解温度对SnS_2薄膜元素组成、晶相、形貌、光学吸收等的影响,在热解温度为260℃且仅需热解2 min条件下,获得了Sn/S原子比为1/1.98的高化学计量比SnS_2薄膜,该薄膜直接禁带宽度为2.50 e V,非常适合作为太阳能电池窗口层。
文摘使用一种简单的旋涂热解法结合快速退火,在空气中以载玻片玻璃和FTO为衬底,在热解温度分别为280、320、360℃的条件下制备了一系列具有高化学计量比的硫化亚锡薄膜,并采用元素分析、X射线衍射分析、拉曼光谱分析、场发射扫描电镜分析、紫外可见近红外分析等表征方法,对以上温度所制备硫化亚锡薄膜的Sn/S原子比、薄膜晶相、表面和断面形貌、紫外光区至近红外光区的光吸收做了系统研究。结果表明,在320℃的热解温度和10 min的热解时间条件下,获得的硫化亚锡薄膜中Sn/S的原子比达到1/0.99,直接禁带宽度达到1.46 e V,与太阳能电池吸收层1.50 e V的最佳禁带宽度非常接近。使用该法制备的高化学计量比的硫化亚锡薄膜,在太阳能电池吸收层材料领域具有重要的潜在应用价值。
基金Project supported by the National Natural Science Foundation of China
文摘The structural and optical properties of semiconductor microcrystals embedded in glassy thin films have prompted considerable interest in the fields of solid state physics and materials science. They are currently subjects of intensive research for both fundamental and practical reasons. Since the semiconductor-embedded glassy films show distinctive optical properties, many studies have been carried out to evaluate the usefulness of this type
