离子注入法增强YIG单晶薄膜的磁光效应

利用离子注入技术，将Ｃｅ￣（＋３）离子注入到ＹＩＧ单晶薄膜中，剂量为１０￣（１４）～１０￣（１６）ｉｏｎｓ／ｃｍ￣２，能量为５００ｋｅＶ。对注入前后的样品进行光吸收谱测量，发现注入后的样品光吸收有明显的增加，且样品颜色变深，对样品进行高温退火，可有效地降低光损耗。离子注入样品磁光特性测量表明Ｃｅ￣（＋３）薄膜有很大的磁光增强作用，且法拉第旋转角随注入剂量增加而增大。

基于YIG单晶薄膜的陷波器设计

针对基于环球耦合谐振的钇铁石榴石(YIG)小球陷波器装配调试工艺复杂、不利于多通道集成的问题,提出了一种采用静磁波技术来实现YIG单晶薄膜陷波器结构与设计方法。该文通过对单晶薄膜陷波器工作原理的分析,静磁反向体波的角频率与波数(ω-k)色散特性与微带激励谐振换能器的静磁波激励特性的数值计算及器件仿真优化,设计了调谐工作频段为6~8 GHz的实用化YIG单晶薄膜陷波器。设计仿真与实验结果表明,在6~8 GHz内调谐频段陷波器均能保证良好的通带插损、阻带深度及30 dB阻带带宽等技术指标。