紫外光激发Ce^(3+)掺YVO_4蓝光发射性能研究

利用提拉法生长了YVO4和掺2.0at%CeO2(或Ce2(CO3)3)的YVO4:Ce3+晶体。样品的XRD测试表明Ce3+代替Y3+进入晶格,Ce3+的加入并没有影响YVO4的晶格结构。XPS测试显示YVO4:Ce3+晶体中Ce离子3d分裂为882.0、885.8、902.9、908.0和915.9 eV等5个峰,峰位表明样品中铈离子是以Ce3+和Ce4+两种价态形式存在。YVO4和YVO4:Ce3+激发谱都呈现出260~360 nm宽带激发,此激发带源于基质中VO43-离子团的配体O到V的电荷迁移吸收。使用325 nm的紫外线激发时,两种样品均可发出以440 nm为中心的宽带蓝光,其中YVO4发射峰应归属于VO43-离子团中3T2→1A1和3T1→1A1跃迁;而YVO4:Ce3+的蓝光发射则来源于Ce3+的5d→4f的跃迁。分析可知YVO4:Ce3+中VO43-的π轨道和Ce3+的电子波函数能有效地重叠,使得VO43-和Ce3+可通过交换作用有效地向Ce3+传递能量,可大幅提高Ce3+的蓝光发射强度。实验结果显示YVO4:Ce3+可作为UV-LED管芯激发的白光发光二极管用高亮度蓝色发光材料。

用Ce^(3+):YVO_4晶体荧光粉与蓝光LED制造自然白光LED

本文报导了通过结合自行制备的掺铈钒酸钇晶体(Ce3+:YVO4)荧光粉与InGaN／GaN蓝光发光二极管(LED)结合而得的白光发光二极管(W-LED)。在室温、正向电压3.5V、正向电流20mA时W-LED的CIE色坐标为(0．32,0．37),接近纯白色(0．33,0．33)。

白光LED用VO_4:Ce^(3+)荧光粉的制备与表征

白光LED中YAG荧光粉专利权为日本Nichia所有,各国研究者为了规避专利,争相研究替代产品。本文首次采用高温固相法制备了YVO4:Ce3+荧光粉,对不同Ce3+掺杂浓度下XRD图样与国际标准衍射卡对比后发现在1100℃保温9小时合成的Ce3+:YVO4为四方晶系结构,随保温时间延长,结晶程度更好,但时间再长时,结晶变化已不大。荧光光谱表明,激发光谱为双峰结构,主峰在232nm和403nm。发射光谱为一宽带,峰值在424nm附近。发现最佳Ce3+掺杂浓度为5mol%。结论是Ce3+:YVO4荧光粉可以满足与蓝光LED复合产生自然白光的要求。

掺铈钒酸钇荧光粉的合成及其光谱特性

首次采用高温固相法制备了YVO4∶Ce3+荧光粉,对不同Ce3+掺杂浓度下XRD图样与国际标准衍射卡对比后发现在1100℃保温9 h合成的Ce3+∶YVO4为四方晶系结构,随保温时间延长,结晶程度更好,但时间再长时,结晶变化已不大.荧光光谱表明,激发光谱为双峰结构,主峰在232,403 nm.发射光谱为一宽带,峰值在424nm附近.还发现,最佳Ce3+掺杂质量浓度为5%.研究认为Ce3+∶YVO4荧光粉可以满足与蓝光LED复合产生自然白光的要求.