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Z型TiO_(2)/Au/CdS异质结对304不锈钢的光生阴极保护效果研究 被引量:1
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作者 许守武 张红兵 +5 位作者 王镜淇 张凯丽 都俐俐 巩大明 卢贵武 邱萍 《材料保护》 CAS CSCD 2023年第12期58-64,104,共8页
为了提高TiO_(2)对304不锈钢的光生阴极保护性能,采用阳极氧化法在Ti片表面制备TiO_(2)纳米带,再使用离子溅射制备TiO_(2)/Au,然后进一步使用连续离子层吸附反应法制备出Z型TiO_(2)/Au/CdS异质结复合膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微... 为了提高TiO_(2)对304不锈钢的光生阴极保护性能,采用阳极氧化法在Ti片表面制备TiO_(2)纳米带,再使用离子溅射制备TiO_(2)/Au,然后进一步使用连续离子层吸附反应法制备出Z型TiO_(2)/Au/CdS异质结复合膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪、X射线光电子能谱对所制备膜层的晶体结构、表面形貌、元素分布、各元素的价态以及键能进行分析,使用分光光度计分析膜层的光学性质,使用电化学工作站测试膜层对304不锈钢的光生阴极保护性能。结果表明:TiO_(2)/Au(10)/CdS复合膜对304不锈钢的光生阴极保护效果最好,其开路电位为-1.252 V(vs SCE),同时光生电流密度达到2.697 mA/cm^(2),是纯TiO_(2)(0.185 mA/cm^(2))的14倍。TiO_(2)复合Au和CdS后形成了Z型异质结,这种Z型电荷转移机制可以改变光生电子的迁移路径,能促进光生电子与空穴的分离,因此能够为304不锈钢提供有效的阴极保护。 展开更多
关键词 304不锈钢 TiO_(2)纳米带 z异质 TiO_(2)/au/cds复合膜 光生阴极保护
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全固态Z-型CdS/Au/Bi2MoO6异质结的构筑及其光催化性能 被引量:3
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作者 郭莉 赵强 +5 位作者 张越诚 张媛媛 韩宣宣 张开来 王丹军 付峰 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第1期11-20,共10页
采用简单的化学还原沉积和二次水热的方法成功制备了CdS和Au共同修饰Z型CdS/Au/Bi2MoO6(CdS/Au/BMO)光催化剂。通过X射线粉末衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)等测试技术对其组成、形貌、光... 采用简单的化学还原沉积和二次水热的方法成功制备了CdS和Au共同修饰Z型CdS/Au/Bi2MoO6(CdS/Au/BMO)光催化剂。通过X射线粉末衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)等测试技术对其组成、形貌、光吸收特性和光电化学性能等进行系统表征。实验结果表明,CdS/Au/BMO-2复合材料在可见光照射下表现出最佳的降解效率,其降解RhB的速率常数约为BMO的8.8倍和CdS的20倍。Au NPs作为固态电子媒介,为光生电子的传输和转移提供了一个通道,同时Au NPs的表面等离子体共振(SPR)效应和CdS纳米粒子显著拓宽了催化体系对可见光的响应范围;通过对催化剂的组成、结构和光电性能表征,确定了CdS/Au/BMO的能带结构,进而探讨了CdS/Au/BMO活性增强机制。 展开更多
关键词 z型cds/au/bmo异质结 表面等离子体共振效应(SPR) 光催化 RHB
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SiC/Pt/CdS纳米棒Z型异质结的制备及其高效光催化产氢性能 被引量:14
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作者 曹丹 安华 +3 位作者 严孝清 赵宇鑫 杨贵东 梅辉 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第3期93-106,共14页
本文采用简单的化学还原辅助水热法制备了一种新型Si C/Pt/Cd SZ型异质结纳米棒,并将Pt纳米粒子锚定在Si C纳米棒与Cd S纳米粒子的界面间,诱导电子-空穴对沿着Z型迁移路径进行转移。进行一系列的表征来分析该催化体系的结构,形貌和性能... 本文采用简单的化学还原辅助水热法制备了一种新型Si C/Pt/Cd SZ型异质结纳米棒,并将Pt纳米粒子锚定在Si C纳米棒与Cd S纳米粒子的界面间,诱导电子-空穴对沿着Z型迁移路径进行转移。进行一系列的表征来分析该催化体系的结构,形貌和性能。X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)结果表明,成功合成了具有较好晶体结构的光催化剂。通过透射电子显微镜证明,Pt纳米颗粒生长在Si C纳米棒和Cd S纳米颗粒的界面间。UV-Vis漫反射光谱显示,所制备的Z-型异质结样品具有比原始Cd S材料更宽的光吸收范围。光致发光光谱和瞬态光电流响应进一步证明具有最佳摩尔比的Si C/Pt/Cd S纳米棒样品具有最高的电子-空穴对分离效率。通过控制Si C和Cd S的摩尔比,可以有效地调节Si C/Pt纳米棒表面Cd S的负载量,从而使得Si C/Pt/Cd S纳米棒光催化剂达到最佳性能。当Si C:Cd S=5:1(摩尔比)时可以达到最佳产氢性能,其最大析氢速率达到122.3μmol·h-1。此外,从扫描电子显微镜、XRD和XPS分析可以看出,经过三次循环测试后,Si C/Pt/Cd S光催化剂的形貌和晶体结构均基本保持不变,表明Si C/Pt/Cd S纳米复合材料在可见光下产氢时具有稳定的结构。通过选择性光沉积技术在光反应中同时进行Au纳米粒子的光还原沉积和Mn3O4纳米粒子光氧化沉积以证明电子-空穴对的Z-型转移机制。实验结果表明,Cd S导带上的电子主要参与光催化过程中的还原反应,Si C价带上的空穴更容易发生氧化反应,其中,Si C的导带上的电子将与Cd S价带上的空穴复合形成Z型传输路径。因此,提出了在光催化产氢过程中Si C/Pt/Cd S纳米棒催化体系可能的Z-型电荷迁移路径来解释产氢活性的提高。该研究为基于Si C纳米棒的Z-型光催化体系的合成提供了新的策略。基于以上分析,Si C/Pt/Cd S纳米复合材料具有高效、廉价、易于制备、结构稳定等优势,具有突出的商业应用前景。 展开更多
关键词 碳化硅 纳米棒 SiC/Pt/cds 光催化剂 z异质
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Z型异质结In_(2)O_(3)/CdS的合成及光降解抗生素研究 被引量:3
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作者 潘紫薇 顾心童 +5 位作者 张雪莹 盛铭军 吴小敏 黄继会 王伟 郭永福 《工业水处理》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期92-97,共6页
为了拓展对可见光的吸收范围、抑制光生载流子的复合,并增强催化剂的光催化性能,通过将CdS原位生长于In_(2)O_(3)表面的方法制备出In_(2)O_(3)/CdS催化剂。结果表明:在可见光照射60 min后,In_(2)O_(3)/CdS异质结对盐酸强力霉素的去除效... 为了拓展对可见光的吸收范围、抑制光生载流子的复合,并增强催化剂的光催化性能,通过将CdS原位生长于In_(2)O_(3)表面的方法制备出In_(2)O_(3)/CdS催化剂。结果表明:在可见光照射60 min后,In_(2)O_(3)/CdS异质结对盐酸强力霉素的去除效率达84.0%,远高于In_(2)O_(3)和CdS单体的降解效率,降解过程符合一级动力学。In_(2)O_(3)/CdS对盐酸强力霉素的降解速率常数为0.028 min^(-1),分别为In_(2)O_(3)和CdS单体的13.7倍和1.5倍。自由基捕获实验表明:·O^(-)_(2)和·OH是主要的活性基团,光催化性能的提高主要得益于Z型异质结的形成,有效加速了光生电子和空穴的转移和分离效率。 展开更多
关键词 In_(2)O_(3)/cds z异质 光催化 抗生素
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