透射电子显微学的新进展Ⅱ Z衬度像、亚埃透射电子显微学、像差校正透射电子显微学

本文综述了原子分辨率的原子序数衬度成像与原位电子能量损失谱分析、亚埃透射电子显微学、像差校正透射电子显微学和材料的微观结构表征与原位性能测试的最新发展和应用。在配置球差校正器、单色器和高能量分辨率过滤器的FEGTEM STEM中,用相位衬度像 Z衬度成像与原位电子能量损失谱分析方法,在亚埃的空间分辨率和亚电子伏特能量分辨率下,可以研究各种材料的原子尺度界面和缺陷的原子和电子结构、价态、成键和成分等。配置球差校正器后,可明显提高透射电镜的点分辨率,把点分辨率延伸到信息分辨率,同时显著减小衬度离位。随意改变球差系数CS和离焦值Δf,像差校正透射电子显微镜可提供新的成像模式。把特殊的样品杆插入电镜后,可把扫描隧道显微镜(STM)或原子力显微镜(AFM)功能相结合,开展材料的显微结构表征与原位的性能测试,不仅能得到物质的与显微像、成分、衍射有关的信息,同时还可以测量电学、力学性能,也可以研究在外场(温度、应力、电和磁场)作用下材料微观结构演变及结构与性能间的关系。

HAADFZ衬度像的特点及在材料研究中的应用

高角度环形暗场 (HAADF)的原子序数衬度 (Z衬度 )像具有分辨率高、对化学组成敏感以及图像直观可直接解释等优点。

Cr_2Ta中层错的Z衬度像研究

本文利用高角环形暗场成像技术获得六角Cr2Ta Laves相的重原子分辨的原子序数(Z)衬度像,阐述了在相近分辨率情况下Z衬度成像技术与普通高分辨像相比具有一定优势。从所得到Cr2Ta的层错的Z衬度像,直观地解释了层错的原子排列构型,为理解复杂结构中缺陷的原子构型提供了资料。

高角度环形暗场Z衬度像成像原理及方法

通常的高分辨电子显微镜应用相位衬度成像 ,相位衬度的成像是由于透过样品的各级衍射束相互干涉的结果 ,其衬度取决于衍射束的相对相位关系。在扫描透射电子显微镜中使用高角度环形探测器 ,可以得到原子序数衬度像。介绍了高角度环形暗场 (HAADF)的原子序数衬度 (Z -衬度 )

Z衬度扫描透射电子显微术的前沿进展

文章介绍了Z衬度扫描透射电子显微术 (Z -scanningtransmissionelectronmicroscopy ,Z -STEM ,Z为原子序数 )的最新进展 :Z -STEM可以直接“观察”到晶体中原子的真实位置 ,Z衬度图像的分辨率在经过球差校正后可达 0 .6 ;在利用Z衬度成像技术对材料的阴极荧光 (cathodoluminescence ,CL)性质的研究中 ,首次观察到了“死层”(deadlayer)的存在 .然后 ,文章以半导体与结晶氧化物界面结构、Al72 Ni2 0 Co8十角形准晶结构以及SrTiO3晶界结构为例 ,具体介绍了Z衬度成像在测定物质结构与化学组成方面独特的优势 .