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题名基于绝缘层上硅衬底的新型半导体光电探测器件研究
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作者
刘坚
万景
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机构
复旦大学信息科学与工程学院
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出处
《微纳电子与智能制造》
2021年第1期57-62,共6页
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文摘
回顾了近年来课题组基于绝缘层上硅衬底(silicon-on-insulator,SOI)实现的一系列新型半导体器件成果。基于正反馈工作机制的零亚阈摆幅器件Z2-FET具有快速开关和栅控回滞特性,可用于高性能存储、静电保护和高灵敏度光电探测等领域。界面耦合光电探测器(interface coupled photodetector,ICPD)利用了SOI中的界面耦合效应,可大幅增强光响应度。进一步将其与SOI/MoS2混合维度光电探测器结合,ICPD展示出可调频谱的光电探测性能。基于双光栅效应实现的波长探测器,其输出电学信号只对波长而非光强敏感。原位光电子探测器(photoelectron in-situ sensing device,PISD)基于SOI的界面耦合和深耗尽效应工作原理,在衬底进行光电转换并可原位感应光电子,比传统的CMOS图像传感器(CMOS image sensor,CIS)具有更紧凑的结构。课题组研究针对SOI器件顶层硅和衬底的能带或电势调控,结合新原理和新材料,实现了SOI衬底在光电探测器件领域的系列创新。
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关键词
SOI
z2-fet
ICPD
光电探测
PISD
FD-SOI
图像传感器
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Keywords
SOI
z2-fet
ICPD
Photodetection
PISD
FD-SOI
image sensor
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分类号
N36
[自然科学总论]
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