氧化锌铝（ZAO）靶材的制备及性能研究

采用冷等静压成型（CIP）、低真空烧结和热等静压（HIP）烧结技术制备ZAO靶材，采用排水法、SEM、XRD、光谱发射法（ICPOES）分析了2种烧结方法制备的ZAO靶材的密度、结晶状态和组织成分。结果表明，ZAO细粉经压力造粒后，CIP成型压坯相对密度可达75％以上，该压坯经低真空高温烧结，相对密度达到95％，而采用HIP低温烧结的靶材可达到98％以上，靶材结晶完整，组织成分均匀。

高密度与低电阻率ZnO:Al靶材的制备及缺陷分析

以纳米量级的ZnO和Al2O3粉体为原料,通过湿式球磨得到了混合粉体,再经过模压成型与常压烧结工艺即可获得致密度超过95%的ZnO∶Al陶瓷靶材,其电阻率可达10-2Ω.cm数量级。高致密度的原因在于纳米粉体具有大的比表面积和粒子数,烧结均匀,气孔较少。低电阻率在于Al3+对Zn2+替代产生的自由电子。同时对靶材中的黑点进行了分析,EDS显示其不仅存在N元素,而且Al含量与致密度比正常区域低,其原因与粉体颗粒的均匀性有关。

ZAO薄膜使用射频溅射法生长之参数的研究

以氧化铝锌陶瓷为溅射靶材,在氩气环境下,使用射频溅射法在玻璃基片上制备氧化铝锌(ZAO)薄膜。通过调节气体压强、基片温度、溅射功率制膜,得到以C轴(002)为选择取向的氧化锌薄膜。由XRD、原子力显微镜(AFM)等对薄膜进行分析。结果表明,制备薄膜的最佳条件为:溅射压强0.4 Pa,溅射功率200 W,基片温度300℃。