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Zn1-xCoxO晶体薄膜结构和铁磁特性
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作者 余萍 熊狂炜 邱东江 《南昌大学学报(理科版)》 CAS 北大核心 2008年第1期42-45,共4页
利用电子束反应蒸发法(REBE)在Si和石英玻璃衬底上生长Zn1-xCoxO晶体薄膜,衬底温度分别为250、350和500℃。对晶体的微结构特性进行研究,X-射线衍射(XRD)结果表明Zn1-xCoxO晶体薄膜在250℃有高度的c-轴取向;而且随着温度升高,出现更明... 利用电子束反应蒸发法(REBE)在Si和石英玻璃衬底上生长Zn1-xCoxO晶体薄膜,衬底温度分别为250、350和500℃。对晶体的微结构特性进行研究,X-射线衍射(XRD)结果表明Zn1-xCoxO晶体薄膜在250℃有高度的c-轴取向;而且随着温度升高,出现更明显的多晶峰且峰值强度越来越强。紫外-可见光(UV-VIS)测量结果说明Co离子虽然部分替代Zn离子进入ZnO晶格里面,但并没有改变ZnO的纤锌矿结构。利用物理特性测量系统(PPMS)测得Zn1-xCoxO晶体薄膜M-H和M-T特性曲线来研究Zn1-xCoxO晶体薄膜的铁磁特性,结果显示Zn1-xCoxO薄膜是铁磁性的,而且居里温度在室温以上,这种特性使得Zn1-xCoxO有可能在自旋器件中得到广泛应用。 展开更多
关键词 电子束反应蒸发法 zn1-xcoxo薄膜 铁磁特性
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磁控溅射法制备Zn_(1-x)Co_xO薄膜的磁性能 被引量:1
2
作者 林文松 欧阳辰鑫 +1 位作者 何亮 王伟 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期701-703,共3页
采用磁控溅射工艺,在玻璃基片上制备了Zn1-xCoxO(x=0.02~0.15)稀磁半导体薄膜。采用X-射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)、振动样品磁强计(VSM)研究了薄膜的相结构、化学成分及价态、表面形貌和磁性... 采用磁控溅射工艺,在玻璃基片上制备了Zn1-xCoxO(x=0.02~0.15)稀磁半导体薄膜。采用X-射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)、振动样品磁强计(VSM)研究了薄膜的相结构、化学成分及价态、表面形貌和磁性能。结果表明,本实验条件下,薄膜不存在Co及Co的氧化物相,薄膜中Zn的化学价为+2,Co则以+2和+4价的形式存在;薄膜晶体结构为c轴取向生长的六方纤锌矿结构;薄膜表面平整致密。在温度为300 K时,Zn0.9Co0.1O薄膜呈铁磁效应,在M-H曲线中观测到明显的磁滞回线特征。 展开更多
关键词 磁控溅射 稀磁半导体 zn1-xcoxo 磁性
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常压化学气相输运法合成Zn_(1-x)Co_xO晶体 被引量:1
3
作者 蔡淑珍 李志强 +2 位作者 徐丽云 郑一博 韦志仁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期565-568,共4页
本文采用高温化学气相输运法,温度970℃,在蓝宝石和石英基片上制备Zn1-xCoxO晶体。电子扫描显微镜(SEM)观察发现,蓝宝石晶片上的晶体形貌较S iO2晶片上的规整,晶体呈现六棱柱或六棱锥体,一般显露柱面m{101-0}、正锥面p{101-1}、负极面c{... 本文采用高温化学气相输运法,温度970℃,在蓝宝石和石英基片上制备Zn1-xCoxO晶体。电子扫描显微镜(SEM)观察发现,蓝宝石晶片上的晶体形貌较S iO2晶片上的规整,晶体呈现六棱柱或六棱锥体,一般显露柱面m{101-0}、正锥面p{101-1}、负极面c{0001-}和正极面c{0001},晶体表面光滑。在石英基片上得到的Zn1-xCoxO晶体生长的棱面较模糊,基片的部分晶体非定向密集生长,连续形成薄膜结构。X衍射证实晶体为ZnO纤锌矿结构。X光能谱(EDS)测量表明ZnO晶体有钴离子的存在,且浓度随原料中的Co2O3:ZnO的比值增大而增加。 展开更多
关键词 化学气相输运法 蓝宝石 石英 zn1-xcoxo晶体
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Zn_(1-x)Co_xO纳米复合薄膜的磁特性 被引量:1
4
作者 任妙娟 唐海马 +1 位作者 赵鹏 张军 《微细加工技术》 2007年第6期24-26,共3页
用磁控溅射交替沉积和退火的方法制备了不同Co含量的ZnO纳米颗粒薄膜Zn1-xCoxO,并研究了其磁特性。发现室温下的比饱和磁矩随Co含量x(体积比)的减小而单调下降,矫顽力在x=0.5附近达到极大值。在温度从5 K升到50 K的过程中,磁矩迅速下降,... 用磁控溅射交替沉积和退火的方法制备了不同Co含量的ZnO纳米颗粒薄膜Zn1-xCoxO,并研究了其磁特性。发现室温下的比饱和磁矩随Co含量x(体积比)的减小而单调下降,矫顽力在x=0.5附近达到极大值。在温度从5 K升到50 K的过程中,磁矩迅速下降,50 K以上,磁矩基本不随温度变化。其原因是低温下,小的颗粒表现出铁磁性,随着温度升高至50 K,小颗粒变成超顺磁性,只有那些较大的颗粒才表现出磁性。 展开更多
关键词 纳米复合膜 磁特性 zn1-xcoxo
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低温生长Zn_(1-x)Co_xO(x=0.33)薄膜的微结构和磁性
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作者 邱东江 刘谱成 +3 位作者 冯春木 冯爱明 余萍 丁丽 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期171-176,共6页
用电子束反应蒸镀法在低温生长了Zn1-xCoxO薄膜.Co含量x高达0.33的Zn1-xCoxO薄膜仍具有类ZnO的纤锌矿结构,没有杂质相,Co的化合价为+2.场冷和零场冷M-T及M-H曲线表明,Zn1-xCoxO(x=0.33)薄膜在低温下具有铁磁性;随着温度的升高,其剩... 用电子束反应蒸镀法在低温生长了Zn1-xCoxO薄膜.Co含量x高达0.33的Zn1-xCoxO薄膜仍具有类ZnO的纤锌矿结构,没有杂质相,Co的化合价为+2.场冷和零场冷M-T及M-H曲线表明,Zn1-xCoxO(x=0.33)薄膜在低温下具有铁磁性;随着温度的升高,其剩磁和矫顽力均逐渐下降,在65 K以上趋于零,显示出超顺磁性.Zn1-xCoxO薄膜的低温铁磁性起源于Co2+离子之间的双交换相互作用及载流子诱导的sp-d交换耦合作用,而从低温(<65 K)铁磁态到高温(>65 K)超顺磁态的转变可归因于薄膜的纳米晶小尺寸效应. 展开更多
关键词 无机非金属材料 zn1-xcoxo薄膜 电子束反应蒸发 微结构 磁特性
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Fe掺杂对Zn_(1-x)Co_xO纳米晶体结构及磁性行为的影响
6
作者 高茜 祁阳 范明 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期223-226,共4页
利用溶胶-凝胶法制备了Fe掺杂Zn1-xCoxO(x=0.01~0.02)纳米晶体.通过XRD,TEM和VSM对其结构、晶格参数和磁性进行了表征和分析.所有样品都没有检测到非晶态产物以及Fe,Co团簇等第二相,即Fe掺杂没有改变Zn1-xCoxO晶体的纤锌矿型ZnO结构、... 利用溶胶-凝胶法制备了Fe掺杂Zn1-xCoxO(x=0.01~0.02)纳米晶体.通过XRD,TEM和VSM对其结构、晶格参数和磁性进行了表征和分析.所有样品都没有检测到非晶态产物以及Fe,Co团簇等第二相,即Fe掺杂没有改变Zn1-xCoxO晶体的纤锌矿型ZnO结构、晶粒度大小以及室温铁磁性.随着Fe掺杂浓度的提高,饱和磁化强度、剩余磁化强度和矫顽力等磁性参数都有相应的改善.Fe掺杂还引起了交换偏置,并且,该现象随着Fe掺杂浓度的提高而增强;但是,单原子Fe对饱和磁化强度的贡献低于单原子Co对自发磁化强度的贡献,这表明Fe,Co共掺杂ZnO材料与Co掺杂ZnO材料的磁性机制有所不同. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 Fe掺杂zn1-xcoxo 室温铁磁性 交换偏置
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不同矿化剂浓度合成Zn_(1-x)Co_xO粉体研究 被引量:1
7
作者 李慧勤 安百江 石雪芳 《玻璃》 2017年第7期14-19,共6页
本实验采用水热法,以ZnSO_47H_2O为和Co(NO_3)_26H_2O为原料,以NaOH作为矿化剂(浓度为2 mol/L、3 mol/L、4 mol/L),在180℃保温24 h条件下,合成Zn_(1-x)Co_xO(x=0、0.05、0.1、0.15)稀磁半导体。通过XRD测试发现,矿化剂浓度对Co掺杂ZnO... 本实验采用水热法,以ZnSO_47H_2O为和Co(NO_3)_26H_2O为原料,以NaOH作为矿化剂(浓度为2 mol/L、3 mol/L、4 mol/L),在180℃保温24 h条件下,合成Zn_(1-x)Co_xO(x=0、0.05、0.1、0.15)稀磁半导体。通过XRD测试发现,矿化剂浓度对Co掺杂ZnO影响随着Co含量越高,峰值越低。扫描电镜显示:ZnO晶体呈针状,掺杂Co2+后,在长度方向上发生改变,当x=0.05时呈长方形块状,x=0.1时掺杂后的晶体呈块状,x=0.15时晶体以颗粒状的形貌出现,说明Co的掺杂在一定程度上影响了ZnO纳米晶体的生长。 展开更多
关键词 zn1-xcoxo 稀磁半导体 水热法 纳米晶体
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低钴含量Zn_(1-x)Co_xO绿色色料的合成与特性研究 被引量:5
8
作者 周念莺 白雯昊 +2 位作者 周丰 周双 张垠 《齐鲁工业大学学报》 2017年第6期1-6,共6页
通过固相法合成了一系列Zn_(1-x)Co_xO绿色色料。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外漫反射光谱和CIE L*a*b*比色对色料进行了分析。结果表明,合成的色料是一种基于纤锌矿晶体结构的绿色颜料。一定时长的高能球磨(HEBM)可以减小粒径... 通过固相法合成了一系列Zn_(1-x)Co_xO绿色色料。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外漫反射光谱和CIE L*a*b*比色对色料进行了分析。结果表明,合成的色料是一种基于纤锌矿晶体结构的绿色颜料。一定时长的高能球磨(HEBM)可以减小粒径并使其形貌均匀,同时提高颜料的颜色性能。通过添加2wt%的CaF_2可以降低反应的烧成温度并提高颜料的色度。颜料中氧化钴的含量比其他钴基颜料少得多(约1.8wt%)。因此,制备的钴绿色颜料具有良好的应用和市场前景。 展开更多
关键词 zn1-xcoxo 色料 固相反应 CAF2
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Preparation and Effect of Oxygen Annealing on the Electrical and Magnetic Properties of Epitaxial (0001) Zn_(1-x)Co_xO Thin Films 被引量:1
9
作者 罗嗣俊 张联盟 +2 位作者 WANG Chuanbin ZHOU Xuan SHEN Qiang 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2013年第5期893-897,共5页
Epitaxial (0001)-oriented Zn1-xCoxO (x= 0.01, 0.05 and 0.1) thin films were grown on c-sapphire substrates by pulsed laser deposition. The XRD analysis, optical transmittance and XPS measurements revealed that the... Epitaxial (0001)-oriented Zn1-xCoxO (x= 0.01, 0.05 and 0.1) thin films were grown on c-sapphire substrates by pulsed laser deposition. The XRD analysis, optical transmittance and XPS measurements revealed that the Co2+ substituted Zn2+ ions were incorporated into the lattice of ZnO in Zn1-xCoxO thin films. The electrical properties measurements revealed that the Co concentration had a non- monotonic influence on the electrical properties of the Zn1-xCoxO thin films due to the defects resulted from imperfections induced by Co substitution. The resistivity remarkably increased and the carrier concentration remarkably decreased in Zn1-x CoxO thin films after oxygen annealing at 600 ℃ under 15 Pa O2 pressure for 60 mins. Room-temperature ferromagnetic was observed and the ferromagnetic Co amount was smaller than the nominal Co concentration for Zn1-xCoxO samples before oxygen annealing. After oxygen annealing, the Zn1-x CoxO thin films exhibited paramagnetic behavior. It is suggested that the room-temperature ferromagnetic ofZn1-x CoxO thin films may attribute to defects or carriers induced mechanism. 展开更多
关键词 zn1-xcoxo thin film pulsed laser deposition oxygen annealing electrical properties magnetic property
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Zn_(1-x)Co_xO Diluted Magnetic Semiconductor Bulk Prepared by Hot Pressing
10
作者 林文松 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2010年第3期527-529,共3页
Zn1-xCoxO diluted magnetic semiconductor bulks were prepared by hot pressing.Mixed powders of pure ZnO and CoO were compacted under pressure of 10 MPa at the temperature of 1 073 K.Then the samples were annealed in va... Zn1-xCoxO diluted magnetic semiconductor bulks were prepared by hot pressing.Mixed powders of pure ZnO and CoO were compacted under pressure of 10 MPa at the temperature of 1 073 K.Then the samples were annealed in vacuum at the temperature from 673 K to 873 K for 10 h.The crystal structure and magnetic properties of Zn1-xCoxO bulks have been investigated by X-ray diffraction(XRD) and vibrating sample magnetometer(VSM).X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) was used to study chemical valence of zinc and cobalt in the samples.The results showed that Zn1-xCoxO samples had c-axis oriented wurtzite symmetry,neither cobalt or cobalt oxide phase was found in the samples if x was less than 0.15.Zn and Co existed in Zn0.9Co0.1O sample in Zn2+ and Co2+ states.The results of VSM experiment proved the room temperature ferromagnetic properties(RTFP) of Co-doped ZnO samples.The saturation magnetization and the coercivity of Zn0.9Co0.1O sample,observed in the M-H curve,were about 0.20 emu/g and 200 Oe,respectively. 展开更多
关键词 hot pressing diluted magnetic semiconductors zn1-xcoxo
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Co掺杂ZnO薄膜的结构及光磁性能研究 被引量:7
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作者 吴艳南 吴定才 +3 位作者 邓司浩 董成军 纪红萱 徐明 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期95-100,共6页
采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了Zn1-xCoxO(x=0,0.01,0.03,0.05,0.08,0.12)薄膜.利用显微镜和X射线衍射(XRD)研究了ZnO:Co薄膜的表面形貌和微结构.结果表明,所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向,尤其是当掺杂浓度为12%时,薄膜c... 采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了Zn1-xCoxO(x=0,0.01,0.03,0.05,0.08,0.12)薄膜.利用显微镜和X射线衍射(XRD)研究了ZnO:Co薄膜的表面形貌和微结构.结果表明,所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向,尤其是当掺杂浓度为12%时,薄膜c轴择优取向最为显著.振动样品磁强计(VSM)测量表明Zn1-xCoxO薄膜具有室温铁磁性.室温光致发光测量发现,所有样品的PL谱中都出现了较强的蓝光双峰发射和较弱的绿光发射,分析认为这主要是由于Co元素的掺入改变了薄膜的禁带宽度、锌填隙缺陷和氧位错缺陷浓度,其中长波长的蓝光峰和绿光峰都能够通过掺杂进行控制.基于上面的测量结果,探讨了不同波段光发射的机理与掺杂状态之间的关系. 展开更多
关键词 zn1-xcoxo薄膜 溶胶-凝胶 CO掺杂 光致发光 铁磁性
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Co掺杂量对ZnO薄膜结构及光学特性的影响 被引量:3
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作者 温晓莉 陈钊 陈长乐 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期892-895,共4页
采用脉冲激光沉积法(PLD)在SiO2衬底上成功制备了具有c轴择优生长特性的Zn1-xCoxO(x=0.05、0.1、0.2、0.3)系列薄膜。通过X射线衍射和能谱仪研究了Co掺杂量对薄膜晶体结构和成分的影响;同时利用光致发光谱(PL)和透过率研究了薄膜的光学... 采用脉冲激光沉积法(PLD)在SiO2衬底上成功制备了具有c轴择优生长特性的Zn1-xCoxO(x=0.05、0.1、0.2、0.3)系列薄膜。通过X射线衍射和能谱仪研究了Co掺杂量对薄膜晶体结构和成分的影响;同时利用光致发光谱(PL)和透过率研究了薄膜的光学特性。结果表明,当掺杂浓度为10%时,薄膜生长最好,c轴择优生长最为显著;Co元素的掺入改变了薄膜的紫外、绿光和蓝光发射,分析认为主要是Co元素的掺入量改变了薄膜的禁带宽度、氧错位缺陷浓度和锌填隙缺陷的浓度;Co元素掺杂浓度为5%时,薄膜的透过率超过90%。此外,探讨了不同波段光发射的可能机理。 展开更多
关键词 zn1-xcoxo薄膜 掺杂浓度 光致发光 PLD
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Zn_(0.95)Co_(0.05)O纳米线和纳米管的电泳沉积法可控合成(英文)
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作者 李建军 张丽亭 +2 位作者 朱金波 刘银 郝维昌 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2012年第S1期95-99,共5页
以阳极氧化铝为模板通过电泳沉积法制备Zn0.95Co0.05O纳米线和纳米管,并对电泳沉积法制备纳米线(管)的机理进行研究。系统的结构表征表明所得的纳米管和纳米线是由8~15nm的纤锌矿纳米晶构成的多晶结构,Co2+离子以代位掺杂形式掺入晶格... 以阳极氧化铝为模板通过电泳沉积法制备Zn0.95Co0.05O纳米线和纳米管,并对电泳沉积法制备纳米线(管)的机理进行研究。系统的结构表征表明所得的纳米管和纳米线是由8~15nm的纤锌矿纳米晶构成的多晶结构,Co2+离子以代位掺杂形式掺入晶格,取代了晶格中的Zn2+离子。磁性表征显示制备的纳米线和纳米管具有室温铁磁性。由于Co在纳米线(管)中表面择优分布,纳米管的磁性明显高于纳米线。 展开更多
关键词 zn1-xcoxo 纳米线 纳米管 电泳沉积 阳极氧化铝模板 室温铁磁性
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气相沉积法制备Co掺杂ZnO纳米线的磁学性能研究
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作者 多永正 常永勤 +2 位作者 郭佳林 龙毅 强文江 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A08期3025-3027,共3页
研究了气相沉积方法制备的Co掺杂ZnO纳米线的结构及其磁学性能。结果表明,Co离子代替Zn离子的位置进入ZnO晶格,样品的磁性能对实验条件的依赖性比较大,通入适量空气的条件下制备的样品具有室温铁磁性。
关键词 气相沉积 zn1-xcoxo 室温铁磁性
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Co掺杂对化学气相输运法合成ZnO形貌影响
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作者 李志强 徐丽云 +3 位作者 赵起 郑一博 韦志仁 侯志青 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1211-1214,共4页
采用化学气相输运法,研究了在蓝宝石基片上大比例掺杂Co生成的ZnO晶体形貌。分别选用Co2O3与ZnO的质量比3%、5%、7%、15%、20%5种不同含量的样品,通过电子显微镜发现得到的晶体呈六棱结构,一般显露柱面m{1010}、正锥面p{1011}、负极面c{... 采用化学气相输运法,研究了在蓝宝石基片上大比例掺杂Co生成的ZnO晶体形貌。分别选用Co2O3与ZnO的质量比3%、5%、7%、15%、20%5种不同含量的样品,通过电子显微镜发现得到的晶体呈六棱结构,一般显露柱面m{1010}、正锥面p{1011}、负极面c{0001}和正极面c{0001},随着Co掺入量的增加得到的Zn1-xCoxO晶体表面趋于光滑,晶体六棱结构趋于不对称,锥面面积减小,极性生长特性减弱。Zn1-xCoxO晶体的X射线能谱图显示Co的掺入量与原料配比中Co的量几乎成正比,Co可以大比例掺入ZnO晶体中。 展开更多
关键词 化学气相输运法 蓝宝石 zn1-xcoxo晶体
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Defect-Bound Carrier Mediated Room-Temperature Ferromagnetism in Co-Doped ZnO Powders
16
作者 文岐业 张怀武 +2 位作者 宋远强 杨青慧 John.Xiao 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2007年第10期2955-2958,共4页
We prepare pure single-phase Co:ZnO powders introducing controllable interstitial Zni by Zn vapour annealing. The as-ground powder shows that no room-temperature ferromagnetism (RT-FM) exists, while the Zn vapour t... We prepare pure single-phase Co:ZnO powders introducing controllable interstitial Zni by Zn vapour annealing. The as-ground powder shows that no room-temperature ferromagnetism (RT-FM) exists, while the Zn vapour treated samples exhibit unambiguous RT-FM with a maximum magnetic moment of 0.2μB/Co. The FM of Co:ZnO strongly depends on the Zn diffusion process, suggesting that not only carriers but also Zni defects play an important role in mediating FM in diluted magnetic semiconductors. A new core-shell model is proposed to interpret the mixture behaviour of FM and paramagnetism observed in the Zn vapour annealed Co:ZnO powders. 展开更多
关键词 ELECTRIC PROPERTIES FILMS zn1-xcoxo ABSENCE
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Growth and Magnetic Properties of Sol-Gel Derived Co-Doped ZnO Thin Film
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作者 Young Sung Kim Ki Chul Kim Won Pil Tae Dae Ho Yoon Tae Seok Park Su Jeong Suh 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第z1期59-63,共5页
Zn1-xCoxO films were grown on glass by sol-gel spin coating process. A homogeneous and stable Zn1-xCoxO sol was prepared by dissolving zinc acetate dihydrate, cobalt acetate tetrahydrate and aluminium chloride hexahyd... Zn1-xCoxO films were grown on glass by sol-gel spin coating process. A homogeneous and stable Zn1-xCoxO sol was prepared by dissolving zinc acetate dihydrate, cobalt acetate tetrahydrate and aluminium chloride hexahydrate as solutes in solution of isopropanol and monoethanolamine. The films were postheated and vacuum annealed, and investigated for c-axis preferred orientation and electromagnetic properties. Zn1-xCoxO films with different Co concentrations were oriented well along the c-axis, especially the Zn1-xCoxO film with 10% Co(atom fraction) was highly c-axis oriented. The transmittance spectra show that Zn1-xCoxO films occur d-d transition and sp-d exchange interaction between Co2+ ions. The electrical resistivity of the films at 10% Co had the lowest value because the crystallite size became largest and the crystallinity of the c-axis was improved. X-ray photoelectron spectroscopy and alternating gradient magnetometer analyses indicated that no Co metal cluster was formed, and the ferromagnetism at room temperature appeared. The characteristics of the electrical resistivity and room temperature ferromagnetism of sol-gel derived Zn1-xCoxO films suggest a potential application of dilute magnetic semiconductor devices. 展开更多
关键词 SOL-GEL zn1-xcoxo THIN film DILUTE MAGNETIC SEMICONDUCTOR (DMS)
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Zn_(1-x)Co_xO稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究 被引量:5
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作者 吴文清 史同飞 +6 位作者 张国斌 符义兵 潘志云 孙治湖 闫文盛 徐彭寿 韦世强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期4328-4333,共6页
利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-xCoxO(x=0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn1-xCoxO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌... 利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-xCoxO(x=0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn1-xCoxO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌矿结构.荧光X射线吸收精细结构测试结果表明,脉冲激光气相沉积法制备的样品中的Co离子全部进入ZnO晶格中替代了部分Zn的格点位置,生成单一相的Zn1-xCoxO稀磁半导体.通过对X射线吸收近边结构谱的分析,确定Zn1-xCoxO薄膜中存在O空位,表明Co离子与O空位的相互作用是诱导Zn1-xCoxO产生室温铁磁性的主要原因. 展开更多
关键词 zn1-xcoxo稀磁半导体 X射线吸收精细结构谱 脉冲激光气相沉积法
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Co-ZnO非匀质磁性半导体的磁光克尔效应研究
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作者 张云鹏 颜世申 +4 位作者 陈延学 刘国磊 梅良模 王松有 陈良尧 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2007年第2期29-29,共1页
研究了制备态和退火态Zn1-xCoxO非匀质磁性半导体的极向克尔谱,发现通过调制样品成分和退火处理,可以大幅度调制极向克尔谱。退火后样品的磁光克尔旋转角得到显著增强,克尔角最大值达到0.72°,这是由于退火后样品变成了Co颗粒和Zn1... 研究了制备态和退火态Zn1-xCoxO非匀质磁性半导体的极向克尔谱,发现通过调制样品成分和退火处理,可以大幅度调制极向克尔谱。退火后样品的磁光克尔旋转角得到显著增强,克尔角最大值达到0.72°,这是由于退火后样品变成了Co颗粒和Zn1-xCoxO磁性半导体的纳米复合体系。 展开更多
关键词 磁光克尔效应 磁性半导体 zn1-xcoxo 纳米复合体系
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