ZnGeP_2晶体近红外吸收特性的研究

采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体,晶体毛坯尺寸达φ20mm×90mm,选取晶体尾部、晶体中部、籽晶端三个部位厚度为4.0mm的抛光晶片作为测试样品.从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性.实验结果显示:晶体透过率由尾部至近籽晶端逐渐增大,表明晶体近红外吸收由尾部至近籽晶端逐渐减小,这是由于晶体内缺陷密度发生了改变,且晶体内本征点缺陷分布比例不均衡,进而导致晶体的近红外吸收产生差异.理论上计算了磷化锗锌晶体施主缺陷GeZn+和受主缺陷V-Zn的吸收光谱.计算结果表明:受主缺陷V-Zn对磷化锗锌晶体吸收光谱产生的影响大于施主缺陷GeZn+.

扩散诱导的锌间隙相关施主缺陷对ZnO纳米棒结构及光电特性的影响

采用射频磁控溅射技术和水浴法在SiO2单晶衬底上生长了Zn纳米颗粒/ZnO纳米棒复合材料(Zn/ZnO)。后期热处理促使Zn/ZnO界面之间发生元素相互扩散,直接向ZnO纳米棒中引入额外锌杂质,从而获得了富锌的ZnO纳米棒材料。借助扫描电子显微镜、X射线衍射仪、霍尔测试仪、分光光度计和拉曼光谱仪研究了富锌ZnO纳米棒的形貌、结构以及光电特性。结果表明,所有ZnO纳米棒均呈整齐的六角纤锌矿结构,相比ZnO纳米棒,富锌纳米棒具有相对较差的结晶质量,较好的导电性,较低的透射率和较窄的禁带宽度。拉曼光谱研究表明,通过扩散法向ZnO纳米棒引入的锌间隙相关施主缺陷,是其拉曼光谱中出现异常的275 cm^(-1)振动模的来源,也是导致富锌ZnO纳米棒微结构以及光电特性显著变化的主要原因。