Zn-Sn-O透明导电膜的制备和光电性质

采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上低温制备出Zn Sn O透明导电薄膜。制备薄膜为非晶结构 ,并且具有很好的稳定性 ,与玻璃衬底具有良好的附着性。薄膜主要是依靠膜中的氧空位导电 ,薄膜的电阻率强烈地依赖溅射气体中的氧分压。制备薄膜的最低电阻率为 2 2 7×10 - 3Ω·cm ,在可见光范围内的平均透过率达超过 90 %。

柔性衬底Zn-Sn-O透明导电膜的特性

采用射频磁控溅射技术首次在有机薄膜衬底上低温制备出具有低电阻率和良好附着性的Zn-Sn-O透明导电膜。研究了有机衬底和玻璃衬底Zn-Sn-O薄膜的结构、表面形貌和组分。制备薄膜为非晶结构,有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的最低电阻率和可见光平均透过率分别为1.3×10-2Ω·cm和82%。薄膜中的氧偏离理想化学配比,存在着较多的氧空位,氧空位是薄膜中载流子的主要来源。

柔性衬底Zn-Sn-O透明导电膜的特点分析

柔性衬底薄膜的光电特性较好,能够在多个领域得到应用。基于这种认识,本文利用射频磁控溅射技术完成了柔性衬底Zn-Sn-O透明导电膜的制备,并对该种材料的结构特点和光电特性展开了分析,从而为关注这一话题的人们提供参考。

基于透明导电膜的光学窗口加热除冰效率研究

为了提高圆形光学窗口表面透明导电膜加热除冰的效率,基于欧姆定律以及热传导效应的理论分析,建立了圆形光学窗口表面透明导电膜的加热除冰效率理论模型。通过数值模拟,计算了直径100 mm圆形光学窗口在-55℃环境中对10 mm厚冰层的加热除冰效率,并采用24 V直流电源加热的方式进行了试验验证。结果表明,理论计算的除冰时间与试验结果之间存在偏差,这主要是由于在除冰过程中,光学窗口表面产生的热能除了大部分用于除冰消耗以外,还有少部分通过热传导散热而被消耗,同时窗口表面一部分水被加热而吸收热量,从而导致能耗增加。基于试验结果和理论分析,进一步提出了提高加热除冰效率的措施。

有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的低温制备及特性

采用射频磁控溅射法在有机衬底PPA上低温制备出Zn-Sn-O透明导电膜,并对薄膜的结构和光电性质进行了研究。制备的薄膜为非晶结构,薄膜与衬底有良好的附着性。性能良好的有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的电阻率为1.3×10^(-2)Ω·cm,载流子浓度为4.4×10^(19) cm^(-3),Hall迁移率为12.4 cm^2·V^(-1)·s^(-1)。薄膜在可见光范围的平均透过率达到了82％。

旋涂法制备银纳米线柔性透明导电膜的研究

采用溶剂热法制备了长度50~170μm,直径50~110nm,长径比超过1000的银纳米线。以自制的银纳米线为导电相,聚醚改性后的聚硅氧烷润湿剂,无水乙醇为溶剂,配制银纳米线墨水。采用两步旋涂法在聚对苯二甲酸乙二醇酯基底上制备柔性透明银纳米线导电薄膜,并研究了旋涂层数、银纳米线浓度和用量、旋涂工艺对导电薄膜光电性能的影响。结果表明:旋涂层数和银纳米线浓度对薄膜的透光性有影响,银纳米线用量和二步旋涂速率对薄膜透光性影响不大,但是上述工艺条件对薄膜的导电性均有影响。在低速50r/s旋涂5s,再以500r/s加速到1000r/s旋涂15s的制备工艺条件下,3.5mol/L银纳米线溶液用量0.3mL且旋涂1层的薄膜在550nm处的透射率和方块电阻分别为87.8%和12.46Ω/□。分别经过800次向内和向外弯曲循环后,薄膜的方块电阻仍然很低。该研究工作为旋涂法制备高性能柔性透明AgNWs导电薄膜提供了指导。

可拉伸银纳米线透明导电膜的制备及性能研究

以银纳米线(AgNWs)为导电相,聚二甲基硅氧烷(PDMS)膜为基材,采用旋涂-转移法制备可拉伸银纳米线透明导电膜,即先将AgNWs均匀旋涂在聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene Terephthalate,PET)薄膜表面,然后转移到半干的PDMS膜表面,再经热处理获得可拉伸银纳米线透明导电膜(AgNWs/PDMS)。研究了银纳米线的浓度、用量和尺寸以及旋涂层数对AgNWs/PDMS导电性、透光性、可拉伸性以及稳定性的影响;随着银纳米线浓度和用量的增加,AgNWs/PDMS膜的导电性和透光性下降。随着银纳米线直径下降,薄膜的透光性增加,但导电性下降。采用0.2 mL的2 mg/mL银纳米线(直径60 nm,长度25~30μm)旋涂4层所制备的薄膜在550 nm处的透光率为72.5%,方阻为32.94Ω/□。同时,AgNWs/PDMS膜具有良好的柔韧性、弯折稳定性、可拉伸性和电稳定性。

基于纳米银线的可拉伸柔性透明导电膜制备及其性能研究

以自制高长径比纳米银线为导电材料,聚(二甲基硅氧烷)(PDMS)作为柔性基底,采用旋涂-转移法制备了银纳米线可拉伸柔性透明导电膜。探究了纳米银线浓度和旋涂层数对薄膜光电性能的影响,并分析了拉伸应变、食指摩擦和透明胶带黏附条件下薄膜的导电性。结果表明:用0.2mL 2mg/mL银纳米线在聚酯(PET)表面分别旋涂5层和10层,然后转移到半干的PDMS膜表面,再经100℃热处理30min,得到纳米银现可拉伸柔性透明导电膜。薄膜在550nm处的光透射率分别为79.8%和77.1%,方阻分别为58.68Ω/sq和22.4Ω/sq,具有良好的光电性能;薄膜拉伸应变达45%时,其方阻增加了4.1倍,固定拉伸应变20%时,经拉伸反复100次时,薄膜方阻增加了4.2倍,表明薄膜具有良好的可拉伸性和导电性;采用食指在薄膜表面反复摩擦,薄膜的导电性明显下降,但是采用透明胶带黏附,则薄膜依然具有良好的导电性,表明薄膜具有良好的附着力。

磁控溅射法制备钛镓锌氧化物透明导电膜的介电和光电性能研究

采用磁控溅射技术制备了钛镓锌氧化物(TiGaZnO)透明导电膜,研究了衬底温度对薄膜样品介电、光电和结构性能的影响.结果表明:所制备的薄膜样品均为(002)择优取向的六角纤锌矿结构,并且衬底温度对薄膜性能具有明显的影响.当衬底温度为610 K时所制备的TiGaZnO薄膜具有较优的光电性能和结晶质量,对应的品质因数为1.23×10^(4)Ω^(-1)∙cm^(-1)、平均可见光透过率为86.85%、电阻率为5.76×10^(-4)Ω∙cm、平均晶粒尺寸为83.42 nm.另外,利用光谱拟合方法得到了TiGaZnO薄膜的光学常数,进一步研究了衬底温度对薄膜光学性质和介电性能的影响.结果表明TiGaZnO薄膜的折射率、介电常数和耗散系数均依赖于衬底温度.

柔性透明导电膜用UV胶的配方探讨

应用于柔性透明导电膜用UV胶压印技术,对柔性透明导电膜产品性能有重要作用,特别是胶的黏度、硬度、附着力、光学性能、耐水性、伸长率等对实现高精度印刷效果、导电膜柔韧性、透光率和稳定性都有重要的意义。根据柔性透明导电膜用UV胶实用性能的要求,讨论了柔性透明导电膜用UV胶的配方成份。

薄膜厚度对ZnO∶Al透明导电膜性能的影响

铝掺杂的氧化锌 (ZnO∶Al)透明导电膜是采用射频磁控溅射法在有机衬底 (Polypro pyleneadipate,PPA)和Corning 70 5 9玻璃上制备的。详细研究了薄膜的结构性质、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系。制备的ZnO∶Al薄膜具有 (0 0 2 )面的单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构 ,性能优良的薄膜电阻率在两种衬底上分别为 2 .5 5× 1 0 - 3 Ω·cm和1 .89× 1 0 - 3 Ω·cm ,平均透射率达到了 80 %和 85 %。

透明导电膜及靶材

透明导电膜在电气及光学领域的应用日益广泛。近年来以掺杂Ｓｎ的Ｉｎ２Ｏ３（简称ＩＴＯ）开发和应用受到重视。用ＩＳＯ靶通过溅射法制备ＩＴＯ透明导电膜。由金属铟制取氧化铟粉末，后与氧化锡混合、压制烧结制出相对密度达９５％的ＩＴＯ靶材。

石墨烯的制备、表征及其在透明导电膜中的应用

近年来,石墨烯因其优异的电学和光学等特性,越来越受到人们的广泛关注。研究人员应用多种方法来合成石墨烯并且探讨其潜在的应用价值。本文首先简要介绍了石墨烯的结构及其基本的物理性质,并简单回顾了石墨烯的合成方法和表征手段。在此基础上,讨论了石墨烯/银复合薄膜在透明导电膜中的应用,并详细介绍了我们在该领域的研究成果。用化学气相沉积法(CVD)和多羟基法分别制备了双层石墨烯及银纳米线,成功合成了石墨烯/银复合薄膜,结果表明复合薄膜的方块电阻可降低至26Ω?□^(-1),展示了其在光电器件上广泛的应用前景。

柔性透明导电薄膜的制备及其发展前景

随着电子器件向小型化和轻便化方向发展,柔性衬底的透明导电薄膜将成为硬质衬底透明导电薄膜的更新换代产品,因此其研究备受关注。综述了柔性透明导电膜的主要制备技术及其优缺点,阐述了当前该领域的最新研究成果及应用,并讨论了工业应用对柔性透明导电膜的性能要求及其未来发展趋势。

有机薄膜衬底ITO透明导电膜的结构和光电特性

我们用反应蒸发法在氧分压２×１０－２Ｐａ、衬底温度８０～２４０℃条件下蒸发铟－锡合金，在有机薄膜衬底上制备出ＩＴＯ膜，并研究了其结构和光电特性随制备衬底温度的变化．制备膜的最佳取向为（１１１）方向，迁移率为２０．７～３６．７ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１，载流子浓度为（１．７～４．４）×１０２０ｃｍ－３，适当调节制备参数，可得电阻率为６．６３×１０－４Ω·ｃｍ。

柔性衬底氧化物半导体透明导电膜的研究进展

回顾和评述了柔性衬底氧化物透明导电膜 (包括锡掺杂的三氧化二铟ITO薄膜、铝掺杂的氧化锌AZO薄膜等 )的研究进展情况。报道了在柔性衬底上制备的ITO膜、ZnO膜的光电性质对衬底种类、制备工艺以及制备参数的依赖关系 。

ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质

在室温下 ,采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上制备出 Zn O- Sn O2 透明导电薄膜 .制备的薄膜为非晶结构 ,并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压 .薄膜的最小电阻率为 7.2 7× 10 - 3Ω· cm,载流子浓度为4 .3× 10 1 9cm- 3、霍尔迁移率为 2 0 .5 cm2 / (V· s) ,在可见光范围内的平均透过率达到了 90 % .

膜厚对Zr,Al共掺杂ZnO透明导电薄膜结构和光电性能的影响

采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出Zr,Al共掺杂ZnO(AZZO)透明导电薄膜。用XRD和SEM分析和观察了薄膜样品的组织结构和表面形貌。研究表明:制备的AZZO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。另外还研究了薄膜的结构、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系。当薄膜厚度为843nm时,电阻率具有最小值1.18×10-3Ω.cm,在可见光区(500～800nm)平均透过率超过93%。

柔性透明导电膜衬底材料的研究进展

综述了柔性透明导电膜材料的应用以及可用作柔性透明导电膜衬底材料的种类、存在的问题和可行的解决方法。介绍了柔性透明导电膜材料的优点、应用和国内外研究现状。重点介绍了可用作柔性透明导电膜衬底的聚合物材料—聚酰亚胺和聚酯,分析了各自的特点。通过分析柔性衬底存在的不足,寻求可行的解决方法,使柔性衬底可以更好地满足导电膜对衬底材料的要求,为柔性衬底材料的设计提供依据。

ZnO:Al透明导电薄膜的制备及其特性分析

采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出c轴择优取向的ZnO:A l(AZO)透明导电薄膜,靶材为AZO(2%质量分数A l2O3)陶瓷靶。对在不同溅射功率下沉积出来的薄膜运用X射线衍射(XRD)、可见光区透射谱、四探针方法分别进行结构和光电特性的表征。得出在200W下沉积的膜性能最好,可见光区平均透过率达到89%以上,电阻率最低为9.3×10-4Ω.cm。