As4S4/Mn0.5Zn0.5Fe2O4复合纳米粒的制备及其杀伤宫颈癌Hela细胞的实验研究

目的：通过制备As4S4/Mn0.5Zn0.5Fe2O4复合纳米粒研究体外热化疗对宫颈癌Hela细胞株的作用。方法：采用改良的化学沉淀-浸渍法制备As4S4/Mn0.5Zn0.5Fe2O4复合纳米粒,通过扫描电镜、能谱仪、原子荧光光谱仪来表征;检测As4S4/Mn0.5Zn0.5Fe2O4复合纳米粒的释药水平及在交变磁场中的升温能力;通过MTT比色法和流式细胞仪检测化疗组、热疗组及热化疗组对宫颈癌的治疗效果。结果：制备的复合纳米粒粒径为20~40 nm;复合纳米粒体外升温能达到肿瘤的有效治疗温度（41~46℃）;释药缓慢,48 h释药为13.28%。在MTT实验中,As4S4/Mn0.5Zn0.5Fe2O4复合纳米粒组细胞抑制率明显高于单纯纳米雄黄溶液组和Mn0.5Zn0.5Fe2O4联合交变磁场加热组（P〈0.05）;在凋亡率检测中,As4S4/Mn0.5Zn0.5Fe2O4复合纳米粒联合磁流体热疗组细胞凋亡率明显高于单纯纳米雄黄溶液组和Mn0.5Zn0.5Fe2O4联合交变磁场加热组（P〈0.05）。结论：采用改良的化学沉淀-浸渍法可以成功制备As4S4/Mn0.5Zn0.5Fe2O4复合纳米粒,体外实验证明该复合纳米粒联合交变磁场热疗对宫颈癌细胞具有很强的生长抑制和诱导凋亡作用。

Zn0非线性研究方法

Zn0是一种很重要的直接宽带隙半导体材料,对于氧化锌的非线性研究方法,主要有Z扫描及二次谐波法。本文以氧化锌非线性研究方法为主要内容,对Z-scan和二次谐波的原理和在研究氧化锌中的应用进行深入介绍,并对目前两种技术在该方面的研究成果进行分析。

溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜及表征

采用溶胶 -凝胶法在石英玻璃衬底上使用旋转涂覆技术生长了 Zn O薄膜 .对薄膜的 XRD分析表明 Zn O薄膜为纤锌矿结构并沿 c轴取向生长 .透射光谱表明薄膜的禁带宽度为 3.2 8e V ,与 Zn O体材料的禁带宽度 3.30 e V基本相同 .用光致发光谱分析了经过 5 0 0～ 70 0℃热处理获得的 Zn O薄膜 ,结果表明 Zn O薄膜在室温下有较强的紫外带边发射 ,但当热处理温度高于 70 0℃时 。

静电纺丝法制备定向排列的铁氧体纳米纤维

以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和金属硝酸盐为原料,采用改进的静电纺丝法制备了直径均匀、表面光滑、定向排列的Co0.8Zn0.2Fe2O4/PVP纳米纤维前驱体,经热处理后得到定向排列的铁氧体纳米纤维.对前驱体纤维的热分解过程及Co0.8Zn0.2Fe2O4(CZFO)的结构、物相及形貌进行了表征.结果表明,在空气中经550～950℃热处理3 h后均得到纯相、结晶良好的尖晶石型钴锌铁氧体;在2000 r/min转速下收集的复合纤维形貌最佳,直径约300 nm;经750℃热处理后纤维直径约为70 nm,室温下测得饱和磁化强度为66.1 A.m2/kg,矫顽力达到最大值6.6 A/m,表明钴锌尖晶石型铁氧体单畴临界尺寸约为44 nm.与CoFe2O4相比,CZFO的饱和磁化强度升高,矫顽力下降,并且CZFO的纤维与粉末的磁特性有明显的区别.

纳米ZnO的制备

本文研究了以Zn (No3 ) 2 、尿素为原料 ,加入表面活性剂改性制备纳米氧化锌粉体的方法。实验讨论了Zn (NO3 ) 2 浓度、尿素浓度、pH值、焙烧温度对纳米氧化锌粒径的影响。

Bi_2O_3与Sb_2O_3掺杂对ZnO力学性能的影响

设计、制备了三个系列(不同Bi_2O_3与Sb_2O_3掺杂浓度)的ZnO基复合材料.力学性能测试的结果表明.Bi含量(2%,原子分数)保持不变,随Sb含量(在合适的剂量范围内)的增大,由于基质ZnO晶粒减小,陶瓷致密度增大,所得材料的模量、抗弯强度以及断裂韧性均增大;Sb含量(3%,原子分数)保持不变,随Bi含量的增大,由于基质ZnO晶粒增大、陶瓷致密度减小,所得材料的模量、抗弯强度以及断裂韧性均减小.在设汁组成范围内材料的最佳力学性能约为:弹性模量114 GPa,弯曲模量115 GPa,抗弯强度120 MPa,断裂韧性1.87 MPa·m^(1/2).

Zn_(0.96)Mn_(0.04)O薄膜的制备及结构、磁性分析

采用射频溅射法制备了Zn0.96Mn0.04O薄膜样品,并对样品进行了结构和性能的检测,其中使用的靶材是通过标准固态反应法制备的.经过X射线衍射分析,样品均未被发现任何杂质相,都表现为纤锌矿结构.磁性测量表明,薄膜样品在室温下表现出较强的铁磁性,每个Mn离子的饱和磁化强度为1.05μB,矫顽力为0.01 T,居里温度高于400 K.分析表明,薄膜样品所检测到的铁磁性不是杂质相的贡献,而是MnZnO的内禀性质,并且生长环境及缺陷对样品的铁磁性产生了很大的影响.

KBr辅助水热法制备Cd_(0.5)Zn_(0.5)S固溶体及可见光制氢性能

采用KBr辅助水热法制备了Cd0.5Zn0.5S固溶体光催化剂。通过XRD、SEM、UV-Vis漫反射、比表面积、荧光光谱对催化剂进行了表征。考查了催化剂可见光下分解水制氢活性。结果发现KBr的存在促进了Cd0.5Zn0.5S中ZnS(111)晶面的生长,提高了催化剂的还原能力,减少了催化剂的非辐射跃迁,从而提高了催化剂的制氢活性。

Si(100)衬底上Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜的结构及光学性能

采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜,研究了Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜的结构和光学性能。结果表明,Si(100)衬底上Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜呈六方纤锌矿结构,薄膜沿c方向取向生长,且c轴方向晶格增大0.03 nm。薄膜呈现优异的半导体特性,激子吸收峰位于297 nm,禁带宽度约为4.3 eV。薄膜平均粒径约为20 nm。薄膜在深紫外激发下的荧光发射位于368 nm。

CdTe、ZnTe、Cd_(0.875)Zn_(0.125)Te及ZnAl_2Te_4结构稳定性的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的CASTEP程序软件包,计算了CdTe、ZnTe、Cd0.875Zn0.125Te、ZnAl2Te4相的弹性常数、形成能、热力学性能、电子结构。计算结果表明,4种相都为稳定相,ZnAl2Te4相的结构稳定性最差,4种相的优先生成顺序为:CdTe、Cd0.875Zn0.125Te、ZnTe、ZnAl2Te4。

Bi(Zn_(0.5)Ti_(0.5))O_3对Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3基陶瓷相结构及弛豫性的影响

采用固相反应合成法制备了(1-x)(0.96 Bi0.5Na0.5TiO3-0.04 BaTiO3)-xBi(Zn0.5Ti0.5)O3陶瓷(x≤0.10)。通过X射线衍射,介电温度谱等对该体系陶瓷的相结构及弛豫特性进行了研究。结果发现,该陶瓷在Bi(Zn0.5Ti0.5)O3加入量低于0.05时呈现纯钙钛矿结构。此外,随着Bi(Zn0.5Ti0.5)O3加入量的增加,其相结构由三方-四方共存向赝立方结构转变;同时,陶瓷的弥散因子上升,偶极子取向冻结活化能下降,表明BZT的加入明显地增加了0.96Bi0.5Na0.5TiO3-0.04 BaTiO3陶瓷的弛豫性。

ZnO避雷器式故障限流器在配电网的应用研究

针对安装故障限流器的架空式辐射状10kV配电系统,利用MATLAB详细分析了ZnO避雷器式故障限流器对配电网安全运行和电能质量的影响。研究了系统发生短路故障时,故障限流器不同限流比对母线电压跌落以及各支路电流的影响;分析了系统正常运行时,不同限流比对电流中高次谐波含有率和畸变率的影响。仿真分析表明:ZnO避雷器式故障限流器应用于配电网,能够有效地减少系统故障时的短路电流和电压跌落,在系统正常运行的情况下,也能明显阻碍线路中高次谐波的传递。

ZnO-玻璃系压敏电阻老化特性研究

研究了ZnO–玻璃系压敏电阻的直流老化特性、交流老化特性和大电流冲击老化特性。在恒定直流偏压作用下,ZnO–玻璃系压敏电阻伏–安特性出现非对称性蜕变,非欧姆特性降低。在交流偏压作用下,ZnO–玻璃系压敏电阻伏–安特性出现对称性蜕变。在脉冲大电流作用下,其伏安特性也呈现出非对称性蜕变。适当的低熔点氧化物和一价离子掺杂可改善样品的老化性能。还利用原子缺陷势垒模型对几种老化现象进行了理论分析。

Zn_(0.5)Cd_(0.5)S:Eu^(3+)半导体材料的燃烧法制备及发光性能研究

以硫脲为硫源,采用燃烧法制备了Zn0.5Cd0.5S:Eu3+半导体材料.研究了Eu掺杂量对Zn0.5Cd0.5S:Eu3+半导体材料的结构,形貌,固体漫反射以及发光性能的影响.利用X-射线粉末衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),紫外-可见分光光度计(UV-vis)和荧光分光光度计(PL)对样品进行了表征.结果表明:Eu掺杂量对样品的结构和形貌没有明显的变化,但对其发光性能却有着显著地影响.当Eu掺杂量为3%时所制备的Zn0.5Cd0.5S:Eu3+半导体材料的发光性能为最强.

Ag的掺杂量对Zn_(0.5)Cd_(0.5)S/Ag半导体材料光催化性能的影响

采用燃烧法制备了Zn0.5Cd0.5S/Ag半导体材料.利用X-射线粉末衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),荧光分光光度计(PL)以及紫外-可见分光光度计(UV-vis)对所制备得到的样品进行了表征.研究了Ag的掺杂量对Zn0.5Cd0.5S/Ag半导体材料的结构、形貌、发光性能和光催化效果的影响.结果表明,Ag的掺杂量对样品的形貌基本没有影响,但是对样品的结构、发光性能以和光催化效果有着显著地影响.研究表明:随着Ag掺杂量的增加,半导体材料中出现了AgS杂相;另外,样品的发光强度逐渐降低;而当Ag的掺杂量为0.1时,所制备的Zn0.5Cd0.5S/Ag半导体材料对亚甲基蓝溶液(MB)的光催化效果最好.

溅射功率对Mg_(0.2)Zn_(0.8)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响

以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺室温条件下在石英玻璃衬底上制备Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜。研究溅射功率对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响。测试结果表明:溅射功率不会明显影响薄膜中的成分及其浓度,并与靶材基本吻合;不同溅射功率下Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜均具有非常好的c轴择优取向生长特性,透光区域均扩展到紫外区域,而且随溅射功率从100W增大到200W,薄膜的晶粒有所增大,结晶程度明显提高,电阻率从50Ω·cm降低到不足1Ω·cm,透光率无明显差别,约为89%,带隙宽度略有减小,光吸收边略向长波方向移动,但溅射功率达到250W以后,薄膜质量有所下降,粗糙度增大,电阻率略有回升,透光率有所降低。

一种性能优良的ZnO纳米结构的制备方法

采用传统的碳热还原反应,制备出整齐的阶梯状ZnO纳米梳和纳米棒。SEM分析发现,阶梯状纳米梳的背和齿沿着生长方向呈现出一定梯度,其齿的长度和直径最大分别可达100μm和300nm。而纳米棒则呈现为六次对称的柱状结构,直径可达300nm。同时,利用溶液腐蚀法制备出超薄的纳米带和针头直径约为30nm的管状纳米结构,并定性讨论了其形成机理。光致发光性能的测试结果表明,本文所采用方法对处理后的纳米结构ZnO光学特性得到了很好的改善。

Zn_(0.95)Fe_(0.05-x)Ni_xO稀磁半导体的光学与磁学性能

利用水热法制备不同掺杂比例的Zn0.95Fe0.05-xNixO(x=0.025,0.03,0.04)稀磁半导体材料,采用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光光谱(PL)、拉曼(Raman)光谱和振动样品磁强计(VSM)对样品的形貌、晶体结构、光学性能和磁学性能进行表征。实验结果表明,水热法制备的样品形貌为纳米棒状,结晶性良好,具有纤锌矿结构。掺杂的Fe和Ni元素进入到了ZnO晶体中,Zn2+被Fe2+、Ni2+替换,晶体的拉曼光谱发生红移,光致发光光谱发生猝灭现象。同时随掺杂量增加,样品的饱和磁化强度增强,在室温条件下存在明显的铁磁性。

LMBE法生长Mg_(0.2)Zn_(0.8)O及MSM型紫外探测器的制备

采用激光分子束外延(LMBE)方法在蓝宝石(0001)面生长了高质量的Mg0.2Zn0.8O薄膜,并对薄膜在空气中900℃进行了1h的退火处理,然后采用剥离方法在薄膜表面制作了Al叉指电极,制备出MSM型Mg0.2Zn0.8O光电导紫外探测器.对响应时间的测试表明,探测器的上升时间仅为14.3ns,下降时间为6.5μs.

溶胶-凝胶法制备Ni_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4纳米材料特性的研究（英文）

利用溶胶-凝聚法制备了Nio.5Zno.5Fe_2O_4;粉末材料,烧结温度范围600℃~950℃。对材料的结构、红外、磁学和微波吸收特性进行了研究。材料的XRD图谱和原子力显微镜形貌观察表明,材料在纳米尺度范围之内。在500 cm-~600cm-1波数范围内,材料具有明显的红外吸收特性。材料的晶粒尺寸随着烧结温度的提高而增加,且较高温度烧结的材料具有相对低的矫顽力和饱和磁场。利用反射衰减实验研究材料在6 GHz^10 GHz波段范围的吸波特性,结果表明,0.33 mm厚度的样品在常温下的反射衰减达到1.8 dBm。