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溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜及表征 被引量:25
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作者 季振国 宋永梁 +3 位作者 杨成兴 刘坤 王超 叶志镇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期52-55,共4页
采用溶胶 -凝胶法在石英玻璃衬底上使用旋转涂覆技术生长了 Zn O薄膜 .对薄膜的 XRD分析表明 Zn O薄膜为纤锌矿结构并沿 c轴取向生长 .透射光谱表明薄膜的禁带宽度为 3.2 8e V ,与 Zn O体材料的禁带宽度 3.30 e V基本相同 .用光致发光... 采用溶胶 -凝胶法在石英玻璃衬底上使用旋转涂覆技术生长了 Zn O薄膜 .对薄膜的 XRD分析表明 Zn O薄膜为纤锌矿结构并沿 c轴取向生长 .透射光谱表明薄膜的禁带宽度为 3.2 8e V ,与 Zn O体材料的禁带宽度 3.30 e V基本相同 .用光致发光谱分析了经过 5 0 0~ 70 0℃热处理获得的 Zn O薄膜 ,结果表明 Zn O薄膜在室温下有较强的紫外带边发射 ,但当热处理温度高于 70 0℃时 。 展开更多
关键词 zn0薄膜 光致发光 溶胶-凝胶法 旋涂
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A Novel Approach to Synthesizing Porous ZnO Films: Inorganic Chelating Sol-Gel Method 被引量:1
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作者 杨立荣 靳正国 +1 位作者 步邵静 程志捷 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期241-246,共6页
Porous ZnO films are synthesized by inorganic chelating sol-gel method,which is a novel sol-gel technique using zinc nitrate as starting materials and citric acid as the chelating reagent.The crystal structure,surface... Porous ZnO films are synthesized by inorganic chelating sol-gel method,which is a novel sol-gel technique using zinc nitrate as starting materials and citric acid as the chelating reagent.The crystal structure,surface morphology,porous and optical properties of the deposited films are investigated.X-ray diffraction pattern analysis shows that crystal structure of the ZnO films is hexagonal wurtzite.Scanning electron microscopy (SEM) shows that the ZnO film is porous.The curve of pore size distribution has two peak values at about 2.02nm and 4.97nm and BET surface area of the ZnO film is 27.57m2/g.In addition,the transmittance spectrum gives a high transmittance of 85% in the visible region and optical bandgap of the ZnO film (fired at 500℃) is 3.25eV. 展开更多
关键词 porous znO film inorganic chelating sol-gel method pore size distribution PROPERTIES
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氧化锌掺钴薄膜铁磁特性的研究
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作者 余萍 《华东交通大学学报》 2008年第1期133-135,共3页
采用电子束反应蒸发法(REBE)生长钴掺杂的氧化锌(Zn1-xCoO x=0.1)薄膜,研究薄膜的铁磁特性.对Zn1-xCoxO薄膜的磁特性测量结果表明:薄膜具有室温(300K)铁磁性;Zn1-xCoxO薄膜,无论外部磁场平行或垂直于薄膜平面,其室温矫顽... 采用电子束反应蒸发法(REBE)生长钴掺杂的氧化锌(Zn1-xCoO x=0.1)薄膜,研究薄膜的铁磁特性.对Zn1-xCoxO薄膜的磁特性测量结果表明:薄膜具有室温(300K)铁磁性;Zn1-xCoxO薄膜,无论外部磁场平行或垂直于薄膜平面,其室温矫顽力均仅为6~7G,呈现典型的稀磁及磁各向同性特征;而对于多晶Zn1-CoxO薄膜,其室温矫顽力在200~370G之间展示出显著的磁化各向异性特征;同时讨论了薄膜的铁磁性起源及其各向异性机理. 展开更多
关键词 电子束反应蒸发技术 zn1-Cox0薄膜 铁磁特性
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衬底温度对PLD法生长的Mg_(0·05)Zn_(0·95)O薄膜结构和发光特性的影响 被引量:9
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作者 吴小丽 陈长乐 +3 位作者 韩立安 罗炳成 高国棉 朱建华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期3735-3739,共5页
用脉冲激光沉积(PLD)法在不同温度的Si(111)衬底上成功制备了c轴择优取向的Mg0·05Zn0·95O薄膜.通过X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)研究了衬底温度对Mg0·05Zn0·95O薄膜结构和发光特性的影响,探讨了薄膜的结晶质量... 用脉冲激光沉积(PLD)法在不同温度的Si(111)衬底上成功制备了c轴择优取向的Mg0·05Zn0·95O薄膜.通过X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)研究了衬底温度对Mg0·05Zn0·95O薄膜结构和发光特性的影响,探讨了薄膜的结晶质量与发光特性之间的关系.结果表明,在衬底温度为450℃时生长的Mg0·05Zn0·95O薄膜具有很好的c轴取向和较强的光致发光峰.室温下分别用激发波长为240,300和325nm的氙灯作为激发光源得到不同样品的PL谱,分析表明紫外发光峰和紫峰来源于自由激子的复合辐射且发光强度与薄膜的结晶质量密切相关,蓝绿发光峰与氧空位有关.此外,探讨了衬底温度影响紫外光致发光峰红移和蓝移的可能机理. 展开更多
关键词 Mg0·05zn0·95O薄膜 PLD 衬底温度 光致发光
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硅衬底上Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的结构与光学性质 被引量:3
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作者 邹璐 汪雷 +2 位作者 黄靖云 赵炳辉 叶志镇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期935-938,共4页
采用脉冲激光法 (PLD)在Si衬底上沉积Zn1 -xMgxO薄膜 .x射线衍射 (XRD)表明薄膜为c轴取向 ,(0 0 2 )峰的半高宽仅为 0 .2 11° ,且没有MgO的相偏析 .透射电子显微镜可以清楚看到Zn1 -xMgxO薄膜的c轴择优取向 .在选区电子衍射图中可... 采用脉冲激光法 (PLD)在Si衬底上沉积Zn1 -xMgxO薄膜 .x射线衍射 (XRD)表明薄膜为c轴取向 ,(0 0 2 )峰的半高宽仅为 0 .2 11° ,且没有MgO的相偏析 .透射电子显微镜可以清楚看到Zn1 -xMgxO薄膜的c轴择优取向 .在选区电子衍射图中可以看到Zn1 -xMgxO结晶薄膜整齐的衍射斑点 .室温下对Zn1 -xMgxO薄膜进行了光致荧光光谱分析 ,发现其带边发射峰相对ZnO晶体有 0 .4eV的蓝移 ,带边发射峰与杂质发射峰的强度之比高达 15 9.Zn1 -xMgxO结晶薄膜质量良好 。 展开更多
关键词 硅衬底 zn1-xMgx0薄膜 结构 光学性质 X射线衍射 光致荧光光谱分析 氧化锌 半导体光电器件
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