A first-principles method based on density functional theory （DFT）,a generalized gradient approximation （GGA）,and a projector-augmented wave （PAW） are used to study the structual and band properties of wurtzite ...A first-principles method based on density functional theory （DFT）,a generalized gradient approximation （GGA）,and a projector-augmented wave （PAW） are used to study the structual and band properties of wurtzite Zn1-xCdxO and Zn1-xMgxO （0 ≤ x ≤ 1） ternary alloys.By taking into account all of the possible structures,the band gaps of Zn1-xCdxO and Zn1-xMgxO alloys are corrected and compared with experimental data.展开更多
利用直流反应磁控溅射的方法和后退火技术在石英衬底上制备不同Cd含量的Zn_（1-x）Cd_xO（0≤x≤1）薄膜.利用XRD、XPS、TEM、Absorption及Hall等详细地对薄膜的结构、光学及电学性能进行了研究.研究发现：当x=0~0.2时,Zn_（1-x）Cd_xO...利用直流反应磁控溅射的方法和后退火技术在石英衬底上制备不同Cd含量的Zn_（1-x）Cd_xO（0≤x≤1）薄膜.利用XRD、XPS、TEM、Absorption及Hall等详细地对薄膜的结构、光学及电学性能进行了研究.研究发现：当x=0~0.2时,Zn_（1-x）Cd_xO薄膜为沿（002）方向择优生长的六角相结构;当x=0.5时,合金薄膜出现了六角相和立方相共存现象;当x≥0.8时,合金薄膜为沿（200）方向择优生长的立方相结构.结构为六角相时,合金薄膜的带隙从x=0时的3.25 e V减小到x=0.2时的2.75 e V;结构为立方相时,薄膜的带隙从x=0.8时的2.52 e V减小到x=1时的2.42 e V,带隙的变化很小.另外,霍尔测量结果表明,Cd含量对Zn_（1-x）Cd_xO薄膜的电学性质影响很大.展开更多
利用直流反应磁控溅射的方法和后退火技术在石英衬底上制备了Zn_(1-x)Cd_xO(x=0.5)薄膜.利用XRD、XPS、TEM、Absorption及PL等详细地研究了退火温度对薄膜的结构和光学性能的影响.结果表明:原生未退火的Zn_(1-x)Cd_xO薄膜具有纯ZnO的六...利用直流反应磁控溅射的方法和后退火技术在石英衬底上制备了Zn_(1-x)Cd_xO(x=0.5)薄膜.利用XRD、XPS、TEM、Absorption及PL等详细地研究了退火温度对薄膜的结构和光学性能的影响.结果表明:原生未退火的Zn_(1-x)Cd_xO薄膜具有纯ZnO的六角纤锌矿结构并且在(002)晶面方向上择优生长;当退火温度(Ta)从300℃增加到600℃时,观察到薄膜中出现了CdO杂相;而且,随着Ta的增加,Zn_(1-x)Cd_xO薄膜的光学带隙由2.08 e V增加至3.14 e V;相应地,近带边发光峰的峰位由588 nm减小到403 nm.展开更多
基金Project supported by the Scientific Research Foundation for the Returned Overseas Chinese ScholarsMinistry of Education of China+1 种基金the Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas of Nano Materials Science for Atomic Scale Modification (No474) from Ministry of Education,Culture,Sports,Science and Technology (MEXT) of Japanthe Science and Technology Development Program of Jilin Province,China (Grant No 20040564)
文摘A first-principles method based on density functional theory （DFT）,a generalized gradient approximation （GGA）,and a projector-augmented wave （PAW） are used to study the structual and band properties of wurtzite Zn1-xCdxO and Zn1-xMgxO （0 ≤ x ≤ 1） ternary alloys.By taking into account all of the possible structures,the band gaps of Zn1-xCdxO and Zn1-xMgxO alloys are corrected and compared with experimental data.
文摘利用直流反应磁控溅射的方法和后退火技术在石英衬底上制备不同Cd含量的Zn_（1-x）Cd_xO（0≤x≤1）薄膜.利用XRD、XPS、TEM、Absorption及Hall等详细地对薄膜的结构、光学及电学性能进行了研究.研究发现：当x=0~0.2时,Zn_（1-x）Cd_xO薄膜为沿（002）方向择优生长的六角相结构;当x=0.5时,合金薄膜出现了六角相和立方相共存现象;当x≥0.8时,合金薄膜为沿（200）方向择优生长的立方相结构.结构为六角相时,合金薄膜的带隙从x=0时的3.25 e V减小到x=0.2时的2.75 e V;结构为立方相时,薄膜的带隙从x=0.8时的2.52 e V减小到x=1时的2.42 e V,带隙的变化很小.另外,霍尔测量结果表明,Cd含量对Zn_（1-x）Cd_xO薄膜的电学性质影响很大.
文摘利用直流反应磁控溅射的方法和后退火技术在石英衬底上制备了Zn_(1-x)Cd_xO(x=0.5)薄膜.利用XRD、XPS、TEM、Absorption及PL等详细地研究了退火温度对薄膜的结构和光学性能的影响.结果表明:原生未退火的Zn_(1-x)Cd_xO薄膜具有纯ZnO的六角纤锌矿结构并且在(002)晶面方向上择优生长;当退火温度(Ta)从300℃增加到600℃时,观察到薄膜中出现了CdO杂相;而且,随着Ta的增加,Zn_(1-x)Cd_xO薄膜的光学带隙由2.08 e V增加至3.14 e V;相应地,近带边发光峰的峰位由588 nm减小到403 nm.
