水热合成Zn1-xCrxO稀磁半导体晶体

采用水热法,以3mol/L NaOH作为矿化剂,在260℃下,保温28h进行Cr合金化(x=0.10,0.15,0.20,0.25),合成Zn_(1-x)Cr_xO稀磁半导体晶体.研究了Cr合金化对水热合成Zn_(1-x)Cr_xO稀磁半导体粉体结构和性能的影响.XRD测试表明,Cr元素进入到ZnO的晶格内,实现了Cr的合金化,晶粒尺寸分别为46.5、46.1、50.6和48.9nm.从FE-SEM可以观察到,x≥0.2时,晶体的形貌从短柱状转变为长柱状.通过UV/Vis测试可以观察到Cr离子的吸收峰,ZnO的禁带宽度依次降低为3.17、3.18、3.19和3.23eV.VSM测试表明,所制备的Zn_(1-x)Cr_xO纳米晶体在室温下均表现出弱顺磁性.

Cr掺杂量对Zn1-xCrxO稀磁纳米材料的结构及性能影响

利用水热法制备了Zn1-xCrxO稀磁纳米材料,采用XRD、FESEM、EDS、PL和VSM等方法对样品的结构与性能进行了表征与分析,考察了Cr掺杂量对Zn1-xCrxO样品的结构与性能影响。XRD分析表明Zn1-xCrxO样品为ZnO六方纤锌矿结构,随着Cr掺杂量增加样品的结晶性能下降,并且样品的形貌由较好的六角棒状结构逐渐变得杂乱;磁滞回线分析表明Zn1-xCrxO样品具有良好的室温铁磁性,Cr掺杂量不同,样品的磁性不同;PL谱表明适量Cr掺杂对ZnO的发光性能有促进作用。

水热合成Zn_(1-x)Cr_xO稀磁半导体晶体的研究

采用水热法,以分析纯的ZnCl2和CrCl3为原料、NaOH作为矿化剂,制备Zn1-xCrxO稀磁半导体粉体。探讨前驱物制备过程中的搅拌时间,水热合成反应的保温时间以及反应温度,对Cr掺杂ZnO制备稀磁半导体的影响,分析结果发现,前驱物搅拌时间在7 h左右,保温时间24 h左右,反应温度在240℃的条件下,有利于ZnO稀磁半导体的合成制备。所制备的Zn0.9Cr0.1O晶体在常温下呈现弱的顺磁性。