期刊文献+
共找到15篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Energy Stabilities, Magnetic Properties, and Electronic Structures of Diluted Magnetic Semiconductor Zn1-xMnxS(001) Thin Films
1
作者 李丹 李磊 +1 位作者 梁春军 牛原 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2011年第1期47-54,I0003,共9页
We investigate the electronic and magnetic properties of the diluted magnetic semiconductors Zn1-xMnxS(001) thin films with different Mn doping concentrations using the total energy density functional theory. The en... We investigate the electronic and magnetic properties of the diluted magnetic semiconductors Zn1-xMnxS(001) thin films with different Mn doping concentrations using the total energy density functional theory. The energy stability and density of states of a single Mn atom and two Mn atoms at various doped configurations and different magnetic coupling state were calculated. Different doping configurations have different degrees of p-d hybridization, and because Mn atoms are located in different crystal-field environment, the 3d projected densities of states peak splitting of different Mn doping configurations are quite different. In the two Mn atoms doped, the calculated ground states of three kinds of stable configurations are anti-ferromagnetic state. We analyzed the 3d density of states diagram of three kinds of energy stability configurations with the two Mn atoms in different magnetic coupling state. When the two Mn atoms are ferromagnetic coupling, due to d-d electron interactions, density of states of anti-bonding state have significant broadening peaks. As the concentration of Mn atoms increases, there is a tendency for Mn atoms to form nearest neighbors and cluster around S. For such these configurations, the antiferromagnetic coupling between Mn atoms is energetically more favorable. 展开更多
关键词 zn1-xMnxS(001 thin film Electronic structure Diluted magnetic semiconductor
下载PDF
Preparation and Effect of Oxygen Annealing on the Electrical and Magnetic Properties of Epitaxial (0001) Zn_(1-x)Co_xO Thin Films 被引量:1
2
作者 罗嗣俊 张联盟 +2 位作者 WANG Chuanbin ZHOU Xuan SHEN Qiang 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2013年第5期893-897,共5页
Epitaxial (0001)-oriented Zn1-xCoxO (x= 0.01, 0.05 and 0.1) thin films were grown on c-sapphire substrates by pulsed laser deposition. The XRD analysis, optical transmittance and XPS measurements revealed that the... Epitaxial (0001)-oriented Zn1-xCoxO (x= 0.01, 0.05 and 0.1) thin films were grown on c-sapphire substrates by pulsed laser deposition. The XRD analysis, optical transmittance and XPS measurements revealed that the Co2+ substituted Zn2+ ions were incorporated into the lattice of ZnO in Zn1-xCoxO thin films. The electrical properties measurements revealed that the Co concentration had a non- monotonic influence on the electrical properties of the Zn1-xCoxO thin films due to the defects resulted from imperfections induced by Co substitution. The resistivity remarkably increased and the carrier concentration remarkably decreased in Zn1-x CoxO thin films after oxygen annealing at 600 ℃ under 15 Pa O2 pressure for 60 mins. Room-temperature ferromagnetic was observed and the ferromagnetic Co amount was smaller than the nominal Co concentration for Zn1-xCoxO samples before oxygen annealing. After oxygen annealing, the Zn1-x CoxO thin films exhibited paramagnetic behavior. It is suggested that the room-temperature ferromagnetic ofZn1-x CoxO thin films may attribute to defects or carriers induced mechanism. 展开更多
关键词 zn1-xCoxO thin film pulsed laser deposition oxygen annealing electrical properties magnetic property
下载PDF
Room Temperature Ferromagnetism and Structure of Zn_(1-x)Cu_xO Films Synthesized by Radio Frequency Magnetron Sputtering
3
作者 陈学梅 诸葛兰剑 +1 位作者 吴雪梅 吴兆丰 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第5期582-586,共5页
Zn1-xCuxO thin films were synthesized by the radio frequency (RF) magnetron sputtering technique using a ZnO target containing different pieces of small Cu-chips. X-ray diffraction (XRD) and scanning electron micr... Zn1-xCuxO thin films were synthesized by the radio frequency (RF) magnetron sputtering technique using a ZnO target containing different pieces of small Cu-chips. X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) were employed to analyze the crystalline and microstructure of the film, and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was used to establish the bonding characteristics and oxidation states of copper inside the ZnO host. Room temperature (RT) ferromagnetism was observed in the Znl-xCuxO films by a Quantum Design superconducting quantum interference device (SQUID) and the saturation magnetic moment of the films was found to decrease with the increase in Cu content. 展开更多
关键词 RF magnetron sputtering zn1-xCuxO film FERROMAGNETISM
下载PDF
磁控溅射法制备Zn1-xFexO薄膜的微结构及铁磁性研究 被引量:1
4
作者 更藏多杰 马书懿 +3 位作者 李文琪 毛玉珍 罗晶 程亮 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第21期21077-21079,21084,共4页
采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了Zn1-xFexO(x=1.0%,3.0%,5.0%)薄膜样品,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)对其微结构、表面形貌和化学成分及价态进行分析,结果表明,Zn1-xFexO(x=1.0%,3.0%,5.0%)薄膜... 采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了Zn1-xFexO(x=1.0%,3.0%,5.0%)薄膜样品,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)对其微结构、表面形貌和化学成分及价态进行分析,结果表明,Zn1-xFexO(x=1.0%,3.0%,5.0%)薄膜晶体结构为c轴择优生长的六角纤锌矿结构,Fe在晶体中以二价和三价两种价态存在。利用振动样品强磁计(VSM)对样品的铁磁性进行测试,薄膜样品在室温下具有明显的铁磁性,并经分析认为铁磁性来源可能是磁性离子与空位缺陷形成束缚磁极子引起的结果。 展开更多
关键词 磁控溅射 zn1-xfexo薄膜 微结构 铁磁性
下载PDF
溶液法制备Zn1-xFexO透明导电薄膜及其性能研究
5
作者 黄洁 段蕾蕾 +1 位作者 吴俊美 惠贞贞 《安徽科技学院学报》 2019年第4期82-88,共7页
目的:以六方纤锌矿结构的ZnO基薄膜作为室温光电材料,目的是降低薄膜的电阻率,并提高其光学透过率及薄膜结晶质量。方法:采用化学溶液沉积法制备性能优异的Zn1-xFexO薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜样品的微结构... 目的:以六方纤锌矿结构的ZnO基薄膜作为室温光电材料,目的是降低薄膜的电阻率,并提高其光学透过率及薄膜结晶质量。方法:采用化学溶液沉积法制备性能优异的Zn1-xFexO薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜样品的微结构及形貌进行表征,并通过物性测量系统和紫外-可见-近红外分光光谱仪对薄膜的电学及光学性能进行测量和分析。结果:发现Fe掺杂ZnO薄膜的颗粒尺寸比未掺杂的薄膜小;当掺杂浓度为1%时,薄膜具有最小的室温电阻率;当Fe含量低于1%时,薄膜的光学带隙随掺杂浓度的增加而增大,但是当掺杂浓度进一步增加时,光学带隙趋于饱和。结论:通过对ZnO薄膜的n型掺杂,进一步引入施主缺陷,使薄膜的电导率和光学透过率可进一步提高,从而实现性能优异ZnO薄膜的稳定可控制备。 展开更多
关键词 zn1-xfexo薄膜 化学溶液沉积法 微结构 电学性能 光学性能
下载PDF
脉冲激光沉积法生长Zn_(1-x)Mg_xO薄膜 被引量:7
6
作者 邹璐 叶志镇 +1 位作者 黄靖云 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1291-1294,共4页
采用脉冲激光沉积法 ,生长出没有组分偏析 ,晶体质量好的 Zn1 - x Mgx O薄膜 (x=0 .2 ) .研究了衬底温度对Zn0 .8Mg0 .2 O薄膜晶体质量、晶粒度大小的影响 ,发现最佳衬底温度为 6 5 0℃左右 .对 Zn0 .8Mg0 .2 O薄膜进行了光致发光分析 ... 采用脉冲激光沉积法 ,生长出没有组分偏析 ,晶体质量好的 Zn1 - x Mgx O薄膜 (x=0 .2 ) .研究了衬底温度对Zn0 .8Mg0 .2 O薄膜晶体质量、晶粒度大小的影响 ,发现最佳衬底温度为 6 5 0℃左右 .对 Zn0 .8Mg0 .2 O薄膜进行了光致发光分析 ,发现相对 Zn O晶体有 0 .4 e 展开更多
关键词 脉冲激光 沉积法 zn1-xMgxO薄膜 合金 X射线衍射 PL谱 氧化锌 半导体材料 氧化镁
下载PDF
Cd_(1-x)Zn_xTe多晶薄膜的制备、性能与光伏应用 被引量:7
7
作者 邵烨 郑家贵 +6 位作者 蔡道林 张静全 蔡伟 武莉莉 蔡亚平 李卫 冯良桓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期183-188,共6页
用共蒸发法制备了 Cd1 - x Znx Te多晶薄膜 ,薄膜结构属立方晶系空间群 F4 3m.通过透射光谱的测量 ,计算光能隙 ,得到室温时薄膜的光能隙随组分 x值的变化满足二次方关系 .作为对异质结界面的修饰 ,提出了有 Cd1 - x-Znx Te过渡层的 Cd ... 用共蒸发法制备了 Cd1 - x Znx Te多晶薄膜 ,薄膜结构属立方晶系空间群 F4 3m.通过透射光谱的测量 ,计算光能隙 ,得到室温时薄膜的光能隙随组分 x值的变化满足二次方关系 .作为对异质结界面的修饰 ,提出了有 Cd1 - x-Znx Te过渡层的 Cd S/ Cd Te/ Cd1 - x Znx Te/ Zn Te∶ Cu电池 .并在相同工艺下制备了 Cd S/ Cd Te/ Cd0 .4 Zn0 .6 Te/ Zn Te∶ Cu与 Cd S/ Cd Te/ Zn Te∶ Cu太阳电池 ,发现前者比后者效率平均增加了 35 .0 % . 展开更多
关键词 Cd1-xznxTe薄膜 共蒸发法 CDTE太阳电池 光能隙
下载PDF
Zn_xCd_(1-x)S薄膜的制备及其光电性质的研究 被引量:1
8
作者 龚跃球 黄代勇 +2 位作者 马晶 朱坤 赵修建 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 2002年第9期5-7,共3页
用化学池沉积法制备了不同锌含量的 Znx Cd( 1 -x) S薄膜 ,并阐述了不同锌含量对薄膜性能的影响及其原因。通过 X射线衍射、扫描电镜、光谱透过率等测试方法表明 ,在 0 .4<x<0 .6(摩尔百分比 )时 ,薄膜有较大的晶粒和较小的电阻 ... 用化学池沉积法制备了不同锌含量的 Znx Cd( 1 -x) S薄膜 ,并阐述了不同锌含量对薄膜性能的影响及其原因。通过 X射线衍射、扫描电镜、光谱透过率等测试方法表明 ,在 0 .4<x<0 .6(摩尔百分比 )时 ,薄膜有较大的晶粒和较小的电阻 ,可望替代部分 Cd 展开更多
关键词 光电性质 化学池沉积 znxCd(1-x)S薄膜 太阳电池 锌含量
下载PDF
XPS定量测量三元合金ZnS_(1-x)Te_x薄膜组分x的研究 被引量:1
9
作者 孙汪典 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期151-153,共3页
利用XPS定量测量分子束外延生长的三元合金碲硫锌ZnS1-xTex(0 <x <1)薄膜的组分x ,对比用高分辨率X射线双晶衍射技术的测量结果 ,相对误差小于 10 %。
关键词 X射线 光电子能谱 碲硫锌 薄膜 双晶衍射 组分
下载PDF
分子束外延ZnS_(1-x)Te_x单晶薄膜特性分析
10
作者 孙汪典 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期104-107,共4页
通过精确的测量发现,分子束外延( M B E) 生长的Ⅱ- Ⅵ族三元合金碲硫锌( Zn S1 - x Te x)(0 ≤x ≤1) 半导体单晶薄膜中 Zn 和 Te 修正的俄歇参数α′随 x 增大近似线性增加,且前者大于后者;同时还发现... 通过精确的测量发现,分子束外延( M B E) 生长的Ⅱ- Ⅵ族三元合金碲硫锌( Zn S1 - x Te x)(0 ≤x ≤1) 半导体单晶薄膜中 Zn 和 Te 修正的俄歇参数α′随 x 增大近似线性增加,且前者大于后者;同时还发现 Te 4d3/2 和 Te 4d5/2 光电子谱峰间距随 x 展开更多
关键词 半导体材料 薄膜 znS1-xTex X射线光电子谱(XPS) 俄歇参数
下载PDF
直流反应磁控溅射Zn_(1-x)Cd)_xO薄膜的研究 被引量:2
11
作者 马德伟 叶志镇 +1 位作者 黄靖云 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1053-1056,共4页
用直流反应磁控溅射法在n Si(111)和玻璃衬底上生长高度择优取向的Zn1-xCdxO合金晶体薄膜 ,最佳生长温度为 45 0℃ (x=0 2 ) .当x≤ 0 6时 ,Zn1-xCdxO薄膜具有纯ZnO的六角结构 ,x =0 8时 ,薄膜是由ZnO六角结构晶体和CdO立方结构晶体... 用直流反应磁控溅射法在n Si(111)和玻璃衬底上生长高度择优取向的Zn1-xCdxO合金晶体薄膜 ,最佳生长温度为 45 0℃ (x=0 2 ) .当x≤ 0 6时 ,Zn1-xCdxO薄膜具有纯ZnO的六角结构 ,x =0 8时 ,薄膜是由ZnO六角结构晶体和CdO立方结构晶体组成的混合物 .透射光谱测试表明 ,通过改变合金薄膜中Cd的含量 ,可以调节Zn1-x CdxO薄膜的禁带宽度 . 展开更多
关键词 znl-xCdxO薄膜 磁控溅射 禁带宽度
下载PDF
Growth and Magnetic Properties of Sol-Gel Derived Co-Doped ZnO Thin Film
12
作者 Young Sung Kim Ki Chul Kim Won Pil Tae Dae Ho Yoon Tae Seok Park Su Jeong Suh 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第z1期59-63,共5页
Zn1-xCoxO films were grown on glass by sol-gel spin coating process. A homogeneous and stable Zn1-xCoxO sol was prepared by dissolving zinc acetate dihydrate, cobalt acetate tetrahydrate and aluminium chloride hexahyd... Zn1-xCoxO films were grown on glass by sol-gel spin coating process. A homogeneous and stable Zn1-xCoxO sol was prepared by dissolving zinc acetate dihydrate, cobalt acetate tetrahydrate and aluminium chloride hexahydrate as solutes in solution of isopropanol and monoethanolamine. The films were postheated and vacuum annealed, and investigated for c-axis preferred orientation and electromagnetic properties. Zn1-xCoxO films with different Co concentrations were oriented well along the c-axis, especially the Zn1-xCoxO film with 10% Co(atom fraction) was highly c-axis oriented. The transmittance spectra show that Zn1-xCoxO films occur d-d transition and sp-d exchange interaction between Co2+ ions. The electrical resistivity of the films at 10% Co had the lowest value because the crystallite size became largest and the crystallinity of the c-axis was improved. X-ray photoelectron spectroscopy and alternating gradient magnetometer analyses indicated that no Co metal cluster was formed, and the ferromagnetism at room temperature appeared. The characteristics of the electrical resistivity and room temperature ferromagnetism of sol-gel derived Zn1-xCoxO films suggest a potential application of dilute magnetic semiconductor devices. 展开更多
关键词 SOL-GEL zn1-xCoxO THIN film DILUTE MAGNETIC SEMICONDUCTOR (DMS)
下载PDF
Zn_(1-x)Sr_xS:Cu薄膜电致发光特性的研究
13
作者 段恒勇 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2004年第2期41-45,共5页
首先我们制备了结构为 :ITO/SiO2 /ZnS :Cu/SiO2 /Al的薄膜电致发光器件 ,其电致发光为绿色的宽带发射 .然后将发光材料换成Zn1 -xSrxS :Cu ,制备同样结构的薄膜电致发光器件 .结果发现电致发光光谱由原来的 5 5 0nm单个峰的宽带发射变... 首先我们制备了结构为 :ITO/SiO2 /ZnS :Cu/SiO2 /Al的薄膜电致发光器件 ,其电致发光为绿色的宽带发射 .然后将发光材料换成Zn1 -xSrxS :Cu ,制备同样结构的薄膜电致发光器件 .结果发现电致发光光谱由原来的 5 5 0nm单个峰的宽带发射变成了双峰发射 .峰值位置分别为 430nm和 5 30nm左右 ,而且随Sr浓度的变化而不同 . 展开更多
关键词 蓝色电致发光 掺杂发光材料 激发光谱 缺陷发光 薄膜电致发光器件 zn1-xSrxS:Cu薄膜
下载PDF
Defect-Bound Carrier Mediated Room-Temperature Ferromagnetism in Co-Doped ZnO Powders
14
作者 文岐业 张怀武 +2 位作者 宋远强 杨青慧 John.Xiao 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2007年第10期2955-2958,共4页
We prepare pure single-phase Co:ZnO powders introducing controllable interstitial Zni by Zn vapour annealing. The as-ground powder shows that no room-temperature ferromagnetism (RT-FM) exists, while the Zn vapour t... We prepare pure single-phase Co:ZnO powders introducing controllable interstitial Zni by Zn vapour annealing. The as-ground powder shows that no room-temperature ferromagnetism (RT-FM) exists, while the Zn vapour treated samples exhibit unambiguous RT-FM with a maximum magnetic moment of 0.2μB/Co. The FM of Co:ZnO strongly depends on the Zn diffusion process, suggesting that not only carriers but also Zni defects play an important role in mediating FM in diluted magnetic semiconductors. A new core-shell model is proposed to interpret the mixture behaviour of FM and paramagnetism observed in the Zn vapour annealed Co:ZnO powders. 展开更多
关键词 ELECTRIC PROPERTIES films zn1-XCOXO ABSENCE
下载PDF
Cu_(2)Zn(Sn_(1-x)Ge_(x))(S,Se)_(4)太阳能电池的制备和表征
15
作者 姜雨虹 李佳烨 +3 位作者 李雪 李丹 赵佳丽 刘洋 《吉林师范大学学报(自然科学版)》 2023年第4期8-12,共5页
采用简单的溶胶-凝胶法制备了高质量的Cu_(2)Zn(Sn_(1-x)Ge_(x))(S,Se)_(4)(CZTGSSe)前驱体薄膜.在500℃下进行17 min的硒化,得到了高质量的CZTGSSe薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等研究... 采用简单的溶胶-凝胶法制备了高质量的Cu_(2)Zn(Sn_(1-x)Ge_(x))(S,Se)_(4)(CZTGSSe)前驱体薄膜.在500℃下进行17 min的硒化,得到了高质量的CZTGSSe薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等研究了CZTGSSe薄膜的物理化学性质.实验结果表明,利用在CZTSSe吸收层中掺杂Ge的方法可以得到较高的迁移率和光电转换效率(PCE).与Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)太阳能电池相比,观察到5%-CZTGSSe太阳能电池的开路电压(V_(oc))增加了104 mV,PCE也从3.14%增加到5.28%.因此,在CZTSSe层中掺杂Ge不仅是一种可以获得具有较高V_(oc)和PCE的CZTSSe基太阳能电池的方法,也是一种可以促进晶粒生长、提高薄膜质量的有效途径. 展开更多
关键词 Cu_(2)zn(Sn_(1-x)Ge_(x))(S Se)_(4)薄膜 溶胶-凝胶法 光电性能 太阳能电池
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部