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新型近红外超长余辉材料Zn_3Al_2Ge_2O_(10)∶Cr^(3+)的发光性能 被引量:9
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作者 杨小平 崔瑞瑞 +1 位作者 张弛 邓朝勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期300-305,共6页
采用高温固相法制备了新型近红外长余辉材料Zn3Al2Ge2O10∶Cr3+,利用X射线衍射、荧光光谱和余辉衰减曲线等对合成的样品进行了分析。结果表明:样品Zn3Al2Ge2O10∶Cr3+是Ge4+取代ZnAl2O4∶Cr3+尖晶石中的部分Al3+而形成的固溶体。在397 n... 采用高温固相法制备了新型近红外长余辉材料Zn3Al2Ge2O10∶Cr3+,利用X射线衍射、荧光光谱和余辉衰减曲线等对合成的样品进行了分析。结果表明:样品Zn3Al2Ge2O10∶Cr3+是Ge4+取代ZnAl2O4∶Cr3+尖晶石中的部分Al3+而形成的固溶体。在397 nm光的激发下,发射光谱主要由两个明显的窄峰叠加在Cr3+离子的自旋允许跃迁4T2→4A2辐射的宽发射带上。发光强度随着Cr3+离子掺杂浓度的增大和煅烧温度的升高而出现浓度猝灭及温度猝灭现象。当Zn3Al2-xGe2O10∶xCr3+中的Cr3+离子掺杂量x为2%且煅烧温度为1 350℃时,样品的近红外发光及余辉强度最大。材料的余辉持续时间超过300 h,余辉发射谱峰位与荧光发射光谱中的N线一致,均位于697 nm附近。最后分析了煅烧温度对样品余辉性能的影响,并对材料的余辉机制进行了探讨。 展开更多
关键词 近红外长余辉 zn3al2ge2o10∶cr3+ 浓度猝灭 反位缺陷
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溶胶-凝胶法制备Zn_3Ga_2Ge_2O_(10)∶Cr_(0.01)^(3+),Pr_(0.03)^(3+),Yb_(0.3)^(3+)纳米长余辉材料及其表面修饰的研究 被引量:1
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作者 周雪松 樊婧 +2 位作者 常石岩 蔡永丰 沈毅 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第10期1891-1896,共6页
以Ga(NO_3)_3·8H_2O、Zn(NO_3)_2·6H_2O、Pr(NO_3)_2·6H_2O、GeO_2、Yb(NO_3)_3·5H_2O、Cr(NO_3)_2·9H_2O为原料,采用溶胶-凝胶法合成了Cr^(3+),Pr^(3+),Yb^(3+)共掺杂的Zn_3Ga_2Ge_2O_(10)长余辉纳米材料(PLN... 以Ga(NO_3)_3·8H_2O、Zn(NO_3)_2·6H_2O、Pr(NO_3)_2·6H_2O、GeO_2、Yb(NO_3)_3·5H_2O、Cr(NO_3)_2·9H_2O为原料,采用溶胶-凝胶法合成了Cr^(3+),Pr^(3+),Yb^(3+)共掺杂的Zn_3Ga_2Ge_2O_(10)长余辉纳米材料(PLNPs)。利用XRD,SEM,激发发射图谱,余辉曲线测试确定1000℃煅烧,保温3 h时,基质Zn_3Ga_2Ge_2O_(10)已形成。Yb^(3+)掺杂百分比为0.3时,样品的发光性能最好。Zn_3Ga_2Ge_2O_(10)∶Cr_(0.01)^(3+),Pr_(0.03)^(3+),Yb_(0.3)^(3+)纳米长余辉材料在波长为267 nm的紫外线激发下发射出中心波长为745 nm的深樱桃红色光,此时晶粒粒径约为150 nm;随着Yb3+掺杂百分比的增加,晶粒粒径逐渐变小。通过FT-IR,Zeta电势,激光粒度测试,TEM及悬浮实验测试表明,PEG修饰PLNPs后,可观察到明显的核壳结构,水合粒径约为155 nm;水溶性大大增加,0.3 mg/m L的浓度下其悬浮时间超过48 h,这表明PEG包裹PLNPs成功。 展开更多
关键词 Zii3Ga2ge2o10:cr3+0.01 Pr3+0.03Yb3+0.3 溶胶-凝胶法 长余辉 表面修饰
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Al2O3-Cu/25W10Mo4Cr复合材料的电接触行为 被引量:2
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作者 薛慧慧 田保红 +2 位作者 张晓辉 刘勇 张毅 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期1-7,共7页
采用真空烧结和内氧化法制备了Al2O3-Cu/25W10Mo4Cr复合材料,研究了其硬度、导电率、密度等综合性能和电接触性能。利用JF04C电接触触点测试系统测试了复合材料的熔焊力、燃弧时间、质量转移等电接触性能参数;利用JMS-5610LV扫描电镜对... 采用真空烧结和内氧化法制备了Al2O3-Cu/25W10Mo4Cr复合材料,研究了其硬度、导电率、密度等综合性能和电接触性能。利用JF04C电接触触点测试系统测试了复合材料的熔焊力、燃弧时间、质量转移等电接触性能参数;利用JMS-5610LV扫描电镜对电接触试验后复合材料的表面进行微观形貌分析。结果表明:电压为DC 25 V时,Al2O3-Cu/25W10Mo4Cr复合材料的燃弧时间、燃弧能量随负载电流的增大而增大;接触电阻随负载电流的增大而减小;电接触后触点材料表面有气孔、裂纹、凹坑等典型电弧侵蚀特征。 展开更多
关键词 al2o3-Cu/25W10Mo4cr复合材料 熔焊力 燃弧时间 燃弧能量 质量转移
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Tunable luminescence in co-doped Zn3Al2Ge2O10:Cr3+by controlling crystal field splitting and nephelauxetic effect 被引量:5
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作者 Qiongyu Bai Suling Zhao +1 位作者 Zheng Xu Panlai Li 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第12期1265-1272,共8页
Ce3+/Dy3+/Tb3+/Eu3+/Mn2+and Cr3+ions co-doped Zn3 Al2 Ge2 O10 phosphor were prepared by a hightemperature solid-state method.X-ray diffraction patterns prove the cubic phase structure of prepared Zn3 Al2 Ge2 O10 phosp... Ce3+/Dy3+/Tb3+/Eu3+/Mn2+and Cr3+ions co-doped Zn3 Al2 Ge2 O10 phosphor were prepared by a hightemperature solid-state method.X-ray diffraction patterns prove the cubic phase structure of prepared Zn3 Al2 Ge2 O10 phosphor,Emission,excitation spectra and decay curves confirm the tunable luminescence.Different degrees of the decrease of emission FWHM in Zn3 Al2 Ge2 O10:0.02 Cr3+,RE(RE=Ce3+,Dy3+,Tb3+,Eu3+)and Zn3 Al2 Ge2 O10:0.02 Cr3+,Mn2+are observed.The reason of variable FWHM is the effect of crystal field splitting and nephelauxetic effect,and the nephelauxetic effect is dominant.Therefore,the emission FWHM decreases with the increasing concentration of Mn2+/Tb3+/Eu3+in Zn3 Al2 Ge2 O10:0.02 Cr3+,and for Zn3 Al2 Ge2 O10:0.02 Cr3+,Ce3+and Zn3 Al2 Ge2 O10:0.02 Cr3+,Dy3+,it is a constant.The variation of Zn3 Al2 Ge2 O10:0.02 Cr3+,Tb3+is more obvious than that of Zn3 Al2 Ge2 O10:0.02 Cr3+,Eu3+,because Tb3+ion has smaller electronegativity.Thus,the tunable luminescence of Cr3+can be realized by co-doping different ions.And these phosphors have potential applications in light-emitting diodes for plant growth. 展开更多
关键词 Iuminescence zn3al2ge2o10:cr3+ Co-DoPING IoNS Rare earths
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Cr^(3+)掺杂的Cd_3Al_2Ge_3O_(12)光谱特性及晶场参数计算 被引量:1
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作者 袁剑辉 杨昌虎 +1 位作者 张振华 袁晓博 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期5272-5276,共5页
采用高温固相法合成了Cd3Al2Ge3O12:Cr3+多晶材料,利用X射线衍射对其结构进行了分析,通过Cr3+的室温吸收光谱、室温和77 K发射光谱分别对其光谱特性和晶场参数进行了分析和计算.结果表明:在450 nm的蓝光激发下,Cd3Al2Ge3O12:Cr3+室温发... 采用高温固相法合成了Cd3Al2Ge3O12:Cr3+多晶材料,利用X射线衍射对其结构进行了分析,通过Cr3+的室温吸收光谱、室温和77 K发射光谱分别对其光谱特性和晶场参数进行了分析和计算.结果表明:在450 nm的蓝光激发下,Cd3Al2Ge3O12:Cr3+室温发射光谱主要由三个宽带及附加其上的弱R线构成,分别对应于Cr3+的4T1,2T2,4T2到4A2能级跃迁.低温时宽带发射变弱,而R线变得强而锐.Cr3+在Cd3Al2Ge3O12中晶场强度Dq/B为2.32,Stokes位移ΔES为1919cm-1,黄昆-里斯因子S为5.58.表明在Cd3Al2Ge3O12中Cr3+处于弱的中等晶场强度,电子-声子耦合较强.4T2零声子能级与2E能级的间距ΔE仅为325.5cm-1,对Cr3+可调谐激光的输出非常有利. 展开更多
关键词 Cd3al2ge3o12:cr3+ 荧光光谱 晶场参数 可调谐激光
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